公开(公告)号：CN111418069B

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN201880073344.1

申请日：2018-11-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 张辰 ,  程慷果 ,  山下典洪 ,  苗欣 ,  许文豫

IPC: H01L29/78

Abstract: 提供了用于增加Weff VFET器件的技术。在一个方面，一种形成鳍结构的方法包括：将硬掩模沉积到衬底上；将心轴材料沉积到所述硬掩模上；沿第一方向图案化所述心轴材料以形成第一心轴；在所述第一心轴旁边形成第一间隔物；在第一心轴之间形成第二心轴；沿垂直于所述第一方向的第二方向图案化所述第一心轴/所述第二心轴；在所述第一/第二心轴旁边形成垂直于所述第一间隔物的第二间隔物；选择性地移除所述第一/第二心轴，从而留下由所述第一/第二间隔物形成的阶梯形图案；将所述阶梯形图案转移到所述硬掩模，然后转移到所述衬底。还提供了一种形成VFET器件、VFET鳍结构和VFET器件的方法。

公开(公告)号：CN110520973A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201880024368.8

申请日：2018-04-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 苗欣 ,  程慷果 ,  张辰 ,  许文豫 ,  P.J.奥迪格斯

IPC: H01L21/336

Abstract: 一种用于降低半导体结构的寄生电容的方法，包括在衬底上形成鳍片结构，在鳍片结构和衬底之间形成第一源极/漏极区，在鳍片结构附近形成第一间隔物，在第一源极/漏极区附近形成第二间隔物和使暴露区域中的第一源极/漏极区凹陷。该方法还包括在凹陷的第一源极/漏极区的暴露区域内形成浅沟槽隔离(STI)区，在STI区域上方沉积底部间隔物，在底部间隔物上方形成金属棚极堆叠，在金属栅极堆叠上沉积顶部间隔物，切割金属栅极堆叠，在鳍片结构上形成第二源极/漏极区；和形成触点，使得STI区在金属栅极堆叠和第一源极/漏极区之间延伸一段长度。

公开(公告)号：CN116569340A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180084350.9

申请日：2021-11-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  张婧芸 ,  苗欣 ,  A·雷茨尼采克

IPC: H01L29/423

Abstract: 本发明提供了一种制造纳米片场效应晶体管(FET)器件的方法。该方法包括在衬底上形成多个纳米片堆叠，这些纳米片堆叠包括第一类型牺牲层和有源半导体层的交替层。该方法包括：在这些纳米片堆叠的侧壁上形成该第一类型牺牲层；然后在相邻的纳米片堆叠的该第一类型牺牲层的侧壁部分之间形成电介质柱；并且然后去除该第一类型牺牲层。该方法还包括在通过去除纳米片堆叠中的第一个纳米片堆叠的第一类型牺牲层而形成的空间中形成PWFM层，并且包括在通过去除纳米片堆叠中的相邻的第二个纳米片堆叠的第一类型牺牲层而形成的空间中形成NWFM层。

公开(公告)号：CN116670836A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202180086125.9

申请日：2021-11-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·雷兹尼彻 ,  苗欣 ,  李忠贤 ,  张婧芸

IPC: H01L29/66

Abstract: 一种半导体结构可以包括底部源漏、顶部源漏、栅极堆叠。顶部源漏在栅极堆叠上方，而底部源漏在栅极堆叠下方。半导体结构还可以包括底部隔离物和顶部隔离物。栅极堆叠在底部隔离物和顶部隔离物之间。底部隔离物和顶部隔离物各自包括偶极衬里。偶极衬里包括第一层和第二层。第二层可以与第一层直接接触。第二层可以由与第一层不同的材料制成。第一层可以由氧化硅制成。第二层可以由氮化硅或氧化铝制成。第一层可以与栅极堆叠、顶部源漏和底部源漏直接接触。

公开(公告)号：CN110520973B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201880024368.8

申请日：2018-04-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 苗欣 ,  程慷果 ,  张辰 ,  许文豫 ,  P.J.奥迪格斯

IPC: H01L21/336

Abstract: 一种用于降低半导体结构的寄生电容的方法，包括在衬底上形成鳍片结构，在鳍片结构和衬底之间形成第一源极/漏极区，在鳍片结构附近形成第一间隔物，在第一源极/漏极区附近形成第二间隔物和使暴露区域中的第一源极/漏极区凹陷。该方法还包括在凹陷的第一源极/漏极区的暴露区域内形成浅沟槽隔离(STI)区，在STI区域上方沉积底部间隔物，在底部间隔物上方形成金属棚极堆叠，在金属栅极堆叠上沉积顶部间隔物，切割金属栅极堆叠，在鳍片结构上形成第二源极/漏极区；和形成触点，使得STI区在金属栅极堆叠和第一源极/漏极区之间延伸一段长度。

公开(公告)号：CN111418069A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201880073344.1

申请日：2018-11-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 张辰 ,  程慷果 ,  山下典洪 ,  苗欣 ,  许文豫

IPC: H01L29/78

Abstract: 提供了用于增加Weff VFET器件的技术。在一个方面，一种形成鳍结构的方法包括：将硬掩模沉积到衬底上；将心轴材料沉积到所述硬掩模上；沿第一方向图案化所述心轴材料以形成第一心轴；在所述第一心轴旁边形成第一间隔物；在第一心轴之间形成第二心轴；沿垂直于所述第一方向的第二方向图案化所述第一心轴/所述第二心轴；在所述第一/第二心轴旁边形成垂直于所述第一间隔物的第二间隔物；选择性地移除所述第一/第二心轴，从而留下由所述第一/第二间隔物形成的阶梯形图案；将所述阶梯形图案转移到所述硬掩模，然后转移到所述衬底。还提供了一种形成VFET器件、VFET鳍结构和VFET器件的方法。

公开(公告)号：CN118043954A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202280065180.4

申请日：2022-08-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 苗欣 ,  张婧芸 ,  A·雷茨尼切克 ,  李忠贤

IPC: H01L21/762 ,  H01L29/78

Abstract: 一种纳米片器件包括底部电介质隔离部，该底部电介质隔离部由高k电介质层的在半导体衬底之上的第一部分、在该高k电介质层的该第一部分之上的间隔体材料以及该高k电介质层的在该间隔体材料之上的第二部分形成。半导体通道层的序列垂直于半导体衬底堆叠在底部电介质隔离部上方，并且由金属栅极堆叠体隔开并与金属栅极堆叠体垂直对准。源极/漏极区从所述半导体沟道层的相对端横向延伸，其中所述源极/漏极区的底表面与所述底部电介质隔离部直接接触，以将所述源极/漏极区与所述半导体衬底电隔离。