公开(公告)号：CN111418069B

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN201880073344.1

申请日：2018-11-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 张辰 ,  程慷果 ,  山下典洪 ,  苗欣 ,  许文豫

IPC: H01L29/78

Abstract: 提供了用于增加Weff VFET器件的技术。在一个方面，一种形成鳍结构的方法包括：将硬掩模沉积到衬底上；将心轴材料沉积到所述硬掩模上；沿第一方向图案化所述心轴材料以形成第一心轴；在所述第一心轴旁边形成第一间隔物；在第一心轴之间形成第二心轴；沿垂直于所述第一方向的第二方向图案化所述第一心轴/所述第二心轴；在所述第一/第二心轴旁边形成垂直于所述第一间隔物的第二间隔物；选择性地移除所述第一/第二心轴，从而留下由所述第一/第二间隔物形成的阶梯形图案；将所述阶梯形图案转移到所述硬掩模，然后转移到所述衬底。还提供了一种形成VFET器件、VFET鳍结构和VFET器件的方法。

公开(公告)号：CN110520973A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201880024368.8

申请日：2018-04-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 苗欣 ,  程慷果 ,  张辰 ,  许文豫 ,  P.J.奥迪格斯

IPC: H01L21/336

Abstract: 一种用于降低半导体结构的寄生电容的方法，包括在衬底上形成鳍片结构，在鳍片结构和衬底之间形成第一源极/漏极区，在鳍片结构附近形成第一间隔物，在第一源极/漏极区附近形成第二间隔物和使暴露区域中的第一源极/漏极区凹陷。该方法还包括在凹陷的第一源极/漏极区的暴露区域内形成浅沟槽隔离(STI)区，在STI区域上方沉积底部间隔物，在底部间隔物上方形成金属棚极堆叠，在金属栅极堆叠上沉积顶部间隔物，切割金属栅极堆叠，在鳍片结构上形成第二源极/漏极区；和形成触点，使得STI区在金属栅极堆叠和第一源极/漏极区之间延伸一段长度。

公开(公告)号：CN110520973B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201880024368.8

申请日：2018-04-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 苗欣 ,  程慷果 ,  张辰 ,  许文豫 ,  P.J.奥迪格斯

IPC: H01L21/336

Abstract: 一种用于降低半导体结构的寄生电容的方法，包括在衬底上形成鳍片结构，在鳍片结构和衬底之间形成第一源极/漏极区，在鳍片结构附近形成第一间隔物，在第一源极/漏极区附近形成第二间隔物和使暴露区域中的第一源极/漏极区凹陷。该方法还包括在凹陷的第一源极/漏极区的暴露区域内形成浅沟槽隔离(STI)区，在STI区域上方沉积底部间隔物，在底部间隔物上方形成金属棚极堆叠，在金属栅极堆叠上沉积顶部间隔物，切割金属栅极堆叠，在鳍片结构上形成第二源极/漏极区；和形成触点，使得STI区在金属栅极堆叠和第一源极/漏极区之间延伸一段长度。

公开(公告)号：CN111418069A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201880073344.1

申请日：2018-11-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 张辰 ,  程慷果 ,  山下典洪 ,  苗欣 ,  许文豫

IPC: H01L29/78

Abstract: 提供了用于增加Weff VFET器件的技术。在一个方面，一种形成鳍结构的方法包括：将硬掩模沉积到衬底上；将心轴材料沉积到所述硬掩模上；沿第一方向图案化所述心轴材料以形成第一心轴；在所述第一心轴旁边形成第一间隔物；在第一心轴之间形成第二心轴；沿垂直于所述第一方向的第二方向图案化所述第一心轴/所述第二心轴；在所述第一/第二心轴旁边形成垂直于所述第一间隔物的第二间隔物；选择性地移除所述第一/第二心轴，从而留下由所述第一/第二间隔物形成的阶梯形图案；将所述阶梯形图案转移到所述硬掩模，然后转移到所述衬底。还提供了一种形成VFET器件、VFET鳍结构和VFET器件的方法。