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公开(公告)号：CN110651365B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201880033254.X
申请日：2018-06-07
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/04
Abstract: 一种形成具有不同沟道长度的多个垂直传输鳍式场效应晶体管(VT FinFETs)的方法，包括：在衬底的第一区域上形成垂直鳍和在衬底的第二区域上形成垂直鳍；在衬底的第二区域上的垂直鳍上形成盖块；在衬底的第一区域上形成第一底部源极/漏极，其中第一底部源极/漏极覆盖第一区域上的垂直鳍的下部；去除盖块；以及在衬底的第二区域中形成第二底部源极/漏极，其中第二底部源极/漏极在衬底的表面下方，其中第二底部源极/漏极不覆盖第二区域上的垂直鳍的下部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111316422A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201880069329.X
申请日：2018-10-23
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/8234 , H01L29/66 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种形成垂直传输鳍式场效应晶体管的方法。该方法包括在衬底上形成掺杂层，以及在掺杂层上形成多层鳍，其中多层鳍包括下修整层部分、上修整层部分以及在上下修整层部分之间的鳍状沟道部分。去除下修整层部分的一部分以形成下修整层柱，并且去除上修整层部分的一部分以形成上修整层柱。在上修整层柱附近形成上凹槽填充物，在下修整层柱附近形成下凹槽填充物。去除鳍状状沟道部分的一部分以在上修整层柱和下修整层柱之间形成鳍状状沟道柱。
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公开(公告)号：CN111316422B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201880069329.X
申请日：2018-10-23
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/8234 , H01L29/66 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种形成垂直传输鳍式场效应晶体管的方法。该方法包括在衬底上形成掺杂层，以及在掺杂层上形成多层鳍，其中多层鳍包括下修整层部分、上修整层部分以及在上下修整层部分之间的鳍状沟道部分。去除下修整层部分的一部分以形成下修整层柱，并且去除上修整层部分的一部分以形成上修整层柱。在上修整层柱附近形成上凹槽填充物，在下修整层柱附近形成下凹槽填充物。去除鳍状状沟道部分的一部分以在上修整层柱和下修整层柱之间形成鳍状状沟道柱。
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公开(公告)号：CN111954920A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201980008379.1
申请日：2019-01-18
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 提供了用于VFET栅极长度控制的技术。在一个方面，一种形成VFET器件的方法包括：在衬底中图案化鳍片；缘着所述鳍片的相对侧壁形成第一聚合物隔离物；通过所述第一聚合物隔离物形成与所述鳍片偏置的第二聚合物隔离物；去除对所述第二聚合物隔离物有选择性的所述第一聚合物隔离物；使所述第二聚合物隔离物回流以闭合与所述鳍片的间隙；在所述第二聚合物隔离物上方形成覆层；去除所述第二聚合物隔离物；沿着暴露于所述底部隔离物和所述覆层之间的所述鳍片的相对侧壁形成栅极，其中所述栅极具有通过去除所述第二聚合物隔离物而设定的栅极长度Lg；在所述覆层上方形成所述顶部隔离物；在所述顶部隔离物上方形成顶部源极和漏极。还提供了VFET器件。
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公开(公告)号：CN110651365A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201880033254.X
申请日：2018-06-07
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/04
Abstract: 一种形成具有不同沟道长度的多个垂直传输鳍式场效应晶体管(VT FinFETs)的方法，包括：在衬底的第一区域上形成垂直鳍和在衬底的第二区域上形成垂直鳍；在衬底的第二区域上的垂直鳍上形成盖块；在衬底的第一区域上形成第一底部源极/漏极，其中第一底部源极/漏极覆盖第一区域上的垂直鳍的下部；去除盖块；以及在衬底的第二区域中形成第二底部源极/漏极，其中第二底部源极/漏极在衬底的表面下方，其中第二底部源极/漏极不覆盖第二区域上的垂直鳍的下部。
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