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公开(公告)号：CN111566820B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201880085472.8
申请日：2018-12-31
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 李忠贤 , 杨振荣 , 鲍如强 , H.贾甘纳坦
IPC: H01L29/41
Abstract: 一种形成半导体结构的方法，包括：形成设置在衬底的顶表面之上的多个鳍；以及使用替换金属栅极(RMG)工艺从该多个鳍形成一个或多个垂直传输场效应晶体管(VTFET)。围绕VTFET中的给定VTFET的至少一个鳍的栅极包括设置在栅极接触金属层之上的栅极自对准接触(SAC)帽盖层，栅极接触金属层被设置成与至少一个鳍的端部相邻。
公开(公告)号：CN111566820A
公开(公告)日：2020-08-21
公开(公告)号：CN111480238B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN201880081159.7
申请日：2018-12-14
Inventor： 李忠贤 , 望月省吾 , 鲍如强 , H.贾甘纳坦
IPC: H01L29/06
Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括在衬底上形成鳍片。在鳍片相对侧上的衬底上布置源极/漏极区域。该方法包括在源极/漏极区域上沉积半导体层。该方法包括在鳍片和半导体层上沉积含锗层。该方法还包括施加退火操作，该退火操作被配置为使半导体层与含锗层化学反应并形成氧化硅层。
公开(公告)号：CN111480238A
公开(公告)日：2020-07-31
