公开(公告)号：CN105845622B

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201610066551.7

申请日：2016-01-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 张慎明 ,  M·A·古罗恩 ,  宫副裕之 ,  A·M·皮茨那 ,  蔡欣妤

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L29/40 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76864 ,  H01L23/528 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/16

Abstract: 本发明涉及半导体结构及其形成方法。提供包括交替的第一U形电极和第二U形电极、以及将第一和第二U形电极互连的接触衬垫的结构。每个第一U形电极包括通过位于衬底的一端的弯折部而连接的基本平行的直部。每个第二U形电极包括通过位于衬底的相反另一端的弯折部而连接的基本平行的直部。邻近的第一和第二U形电极的每个相邻的直部构成具有亚光刻间距的电极对。每个接触衬垫与第一和第二U形电极中的一个的弯折部重叠并且接触。

公开(公告)号：CN105845622A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610066551.7

申请日：2016-01-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 张慎明 ,  M·A·古罗恩 ,  宫副裕之 ,  A·M·皮茨那 ,  蔡欣妤

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L29/40 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76864 ,  H01L23/528 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/16 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L29/40 ,  H01L29/41 ,  H01L29/413

Abstract: 本发明涉及半导体结构及其形成方法。提供包括交替的第一U形电极和第二U形电极、以及将第一和第二U形电极互连的接触衬垫的结构。每个第一U形电极包括通过位于衬底的一端的弯折部而连接的基本平行的直部。每个第二U形电极包括通过位于衬底的相反另一端的弯折部而连接的基本平行的直部。邻近的第一和第二U形电极的每个相邻的直部构成具有亚光刻间距的电极对。每个接触衬垫与第一和第二U形电极中的一个的弯折部重叠并且接触。