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公开(公告)号:CN1989598A
公开(公告)日:2007-06-27
申请号:CN200580024677.8
申请日:2005-08-18
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/285
CPC classification number: H01L21/28518 , H01L29/665
Abstract: 本发明提供了一种用于通过使用含金属的硅合金(56)并结合其中进行两次不同的热循环的第一次退火在硅化期间增强金属的单向扩散的方法。该第一次退火的第一次热循环在能够增强金属例如Co和/或Ni向含Si层(52)中的单向扩散的温度下进行。第一次热循环导致无定形的含金属的硅化物(60)形成。第二次热循环在将无定形的含金属的硅化物转化成结晶的富金属硅化物(64)的温度下进行,该结晶的富金属硅化物与含金属的硅合金层或纯的含金属层相比基本上不能被蚀刻。在第一次退火之后,进行选择性的蚀刻以便从该结构去除任何未反应的含金属合金。进行第二次退火以便将通过第一次退火的两次热循环形成的富金属硅化物相转化成处于其最低电阻相的金属硅化物(68)相。提供其厚度自限制的金属硅化物。
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公开(公告)号:CN100505168C
公开(公告)日:2009-06-24
申请号:CN200580024677.8
申请日:2005-08-18
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/285
CPC classification number: H01L21/28518 , H01L29/665
Abstract: 本发明提供了一种用于通过使用含金属的硅合金(56)并结合其中进行两次不同的热循环的第一次退火在硅化期间增强金属的单向扩散的方法。该第一次退火的第一次热循环在能够增强金属例如Co和/或Ni向含Si层(52)中的单向扩散的温度下进行。第一次热循环导致无定形的含金属的硅化物(60)形成。第二次热循环在将无定形的含金属的硅化物转化成结晶的富金属硅化物(64)的温度下进行,该结晶的富金属硅化物与含金属的硅合金层或纯的含金属层相比基本上不能被蚀刻。在第一次退火之后,进行选择性的蚀刻以便从该结构去除任何未反应的含金属合金。进行第二次退火以便将通过第一次退火的两次热循环形成的富金属硅化物相转化成处于其最低电阻相的金属硅化物(68)相。提供其厚度自限制的金属硅化物。
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