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公开(公告)号：CN107192743A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710452310.0
申请日：2017-06-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: G01N27/127 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01G19/00 , C01G19/02
Abstract: 一种花状分等级结构二硫化锡/二氧化锡纳米复合气敏材料的制备方法。本发明属于气敏材料领域，具体涉及一种花状分等级结构二硫化锡/二氧化锡纳米复合气敏材料的制备方法。本发明目的是为了解决现有基于无机二维层状SnS2纳米材料的NO2传感器灵敏度不够高的问题。方法：通过微波加热的方法合成花状分等级结构的SnS2，再进一步煅烧，使得SnS2表面部分氧化生成SnO2，得到复合纳米材料。将本发明制得的花状分等级结构二硫化锡/二氧化锡复合材料制成气敏传感器进行测试，与纯SnS2传感器相比，二硫化锡/二氧化锡复合气敏材料制备的气敏元件对二氧化氮表现出更高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN115201278A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210519090.X
申请日：2022-05-13
Applicant: 哈尔滨锅炉厂有限责任公司 , 哈尔滨工业大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 一种二硫化锡/氧化铟异质结的制备方法及其应用，涉及气敏传感器材料制备技术领域。本发明的目的是为了解决传统的二氧化氮传感器多数无法用于室温下工作，或用于室温检测的二氧化氮气敏传感器存在体积大、灵敏度低的问题。方法：将SnS2加入到无水乙醇中，搅拌均匀后，然后加入硝酸铟水合物，继续搅拌1～2h，搅拌结束后再超声0.1～10min，得到溶液a，将溶液a加热至150～180℃，并水热反应5～10h，反应结束后冷却，收集反应后的沉淀物并进行清洗，清洗后干燥，得到二硫化锡/氧化铟异质结。本发明可获得一种二硫化锡/氧化铟异质结的制备方法及其应用。
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公开(公告)号：CN107686125B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201710758015.8
申请日：2017-08-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种Al掺杂分等级结构二硫化锡气敏材料的制备方法。本发明属于气敏材料领域，具体涉及一种Al掺杂花状分等级结构SnS2气敏材料的制备方法。本发明目的是为了解决现有基于无机二维层状SnS2纳米材料的NO2传感器不能室温工作的问题。方法：以五水四氯化锡为锡源，硫脲为硫源，九水合硝酸铝为铝源，以乙二醇为溶剂，通过一步微波加热的方法合成Al掺杂的花状分等级结构SnS2。将本发明制得的Al掺杂花状分等级结构SnS2制成气敏传感器，该气敏传感器可在室温下检测ppb浓度级别的NO2，灵敏度高，安全便携，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN115389573B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202211072893.1
申请日：2022-09-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明一种刺猬状结构硫化铋‑石墨烯复合纳米材料制备方法与应用，涉及一种硫化铋‑石墨烯复合纳米材料制备方法与应用。本发明的目的是为了解决纯硫化铋纳米材料由于室温电阻大、响应值低，使其作为气体传感器敏感材料信号采集困难，限制了其在气体传感器领域应用的问题，本发明以氧化石墨烯、硝酸铋和硫脲为主要原料，采用一步水热合成法合成硫化铋‑石墨烯复合纳米材料，刺猬状微球结构可避免纳米材料堆积，增加反应活性比表面积，石墨烯可有效增加复合材料的室温导电性。基于该复合纳米材料制备的NO2气体传感器具有响应值高、室温工作等特点，本发明应用于气体传感器领域。
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公开(公告)号：CN115201278B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202210519090.X
申请日：2022-05-13
Applicant: 哈尔滨锅炉厂有限责任公司 , 哈尔滨工业大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 一种二硫化锡/氧化铟异质结的制备方法及其应用，涉及气敏传感器材料制备技术领域。本发明的目的是为了解决传统的二氧化氮传感器多数无法用于室温下工作，或用于室温检测的二氧化氮气敏传感器存在体积大、灵敏度低的问题。方法：将SnS2加入到无水乙醇中，搅拌均匀后，然后加入硝酸铟水合物，继续搅拌1～2h，搅拌结束后再超声0.1～10min，得到溶液a，将溶液a加热至150～180℃，并水热反应5～10h，反应结束后冷却，收集反应后的沉淀物并进行清洗，清洗后干燥，得到二硫化锡/氧化铟异质结。本发明可获得一种二硫化锡/氧化铟异质结的制备方法及其应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119469564A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411664382.8
申请日：2024-11-20
Applicant: 苏州驰鸣纳米技术有限公司 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种基于气体传感器检测泄漏的方法以及设备，用于液体或者气体泄漏检测装置，泄漏检测装置包括：抽真空装置、密封的低压腔体以及气体传感器；抽真空装置设置于低压腔体外，并与低压腔体连通，用于调控低压腔体的真空度；气体传感器设置于低压腔体内；所述方法包括：控制低压腔体中的待测元件满足检测条件；通过气体传感器检测低压腔体中的元件泄漏气体浓度变化信号；基于气体浓度变化信号，确定待测元件的漏率是否达标。在本发明中，通过抽真空装置以及低压腔体产生低压环境，减少常压环境中气体分子与待测元件挥发的气体分子在传感器表面的竞争吸附，提升气体传感器的检测灵敏度、降低检测极限，提高泄漏检测的准确性。
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公开(公告)号：CN114646669B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202210259192.2
申请日：2022-03-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种二硫化锡/二硒化锡横向异质结构气敏材料的制备方法及其应用。本发明属于气敏材料领域，具体涉及一种二硫化锡/二硒化锡横向异质结构气敏材料的制备方法及其应用。本发明目的是为了解决现有液相法制备的异质结构各组元间晶格不匹配且异质界面不连续，导致缺陷多、内建电场弱，使得电荷传输效率低，进而造成气体传感器在室温工作灵敏度低、响应/恢复慢的问题。方法：通过溶剂热合成法制备了SnS2模板，然后以二氧化硒为硒源，以1‑十八烯、油胺为溶剂，通过液相离子置换的方法合成SnS2/SnSe2横向异质结构气敏材料。将该气敏材料用于气敏传感器，在室温下检测ppb至ppm浓度级别的NO2，室温灵敏度高，响应和恢复速度快。
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公开(公告)号：CN110773178B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201911066890.5
申请日：2019-11-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B01J23/847 , B01J35/02 , C02F1/30 , C02F1/72 , C02F101/30 , C02F101/38
Abstract: 一种硅酸银/(040)钒酸铋直接Z型光催化剂及其制备方法和应用，本发明涉及一种硅酸银/(040)钒酸铋直接Z型光催化剂及其制备方法和应用。本发明是为了解决现有光催化剂中单一光催化普遍存在光催化效率低的问题。本发明首先制备暴露(040)和(110)晶面的十面体钒酸铋，然后在其水溶液中加入九水合硅酸钠粉末，并通过蠕动泵混入硝酸银溶液，最终得到本发明的直接Z型光催化剂。本发明制得的光催化剂在模拟太阳光照射下具有光生电子‑空穴分离效率高，氧化还原能力强的优点，能够高效降解水中有机污染物。同时该催化剂成本低、材料稳定、制备工艺简单，适于大规模批量生产。
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公开(公告)号：CN107686125A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710758015.8
申请日：2017-08-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种Al掺杂分等级结构二硫化锡气敏材料的制备方法。本发明属于气敏材料领域，具体涉及一种Al掺杂花状分等级结构SnS2气敏材料的制备方法。本发明目的是为了解决现有基于无机二维层状SnS2纳米材料的NO2传感器不能室温工作的问题。方法：以五水四氯化锡为锡源，硫脲为硫源，九水合硝酸铝为铝源，以乙二醇为溶剂，通过一步微波加热的方法合成Al掺杂的花状分等级结构SnS2。将本发明制得的Al掺杂花状分等级结构SnS2制成气敏传感器，该气敏传感器可在室温下检测ppb浓度级别的NO2，灵敏度高，安全便携，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118624986A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410964077.4
申请日：2024-07-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R27/08
Abstract: 本发明公开了一种测量G欧级半导体式气敏传感器内阻的方法，包括以下步骤：充电过程：控制直流电源Ur通过待测半导体传感器R向电容C充电，同时检测电容C两端的电压值U0并记录，当电容C两端的电压U0充电到一定值时，充电结束，记录充电时间t；计算获得待测半导体传感器R电阻值；放电过程：对电容C进行快速放电；重复执行充电过程和放电过程，直至获得一个稳定的待测半导体传感器R电阻值，该稳定的待测半导体传感器R电阻值即为待测半导体传感器R内阻值。本发明利用简单低成本的电容充放电路，能够准确快速的测量出半导体传感器电阻的大小。
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