公开(公告)号：CN118624986A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410964077.4

申请日：2024-07-18

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 陈存广 ,  王铀 ,  周振泽 ,  毛俊鹏 ,  郝娟媛

IPC: G01R27/08

Abstract: 本发明公开了一种测量G欧级半导体式气敏传感器内阻的方法，包括以下步骤：充电过程：控制直流电源Ur通过待测半导体传感器R向电容C充电，同时检测电容C两端的电压值U0并记录，当电容C两端的电压U0充电到一定值时，充电结束，记录充电时间t；计算获得待测半导体传感器R电阻值；放电过程：对电容C进行快速放电；重复执行充电过程和放电过程，直至获得一个稳定的待测半导体传感器R电阻值，该稳定的待测半导体传感器R电阻值即为待测半导体传感器R内阻值。本发明利用简单低成本的电容充放电路，能够准确快速的测量出半导体传感器电阻的大小。

公开(公告)号：CN117105264A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202311080696.9

申请日：2023-08-25

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 郝娟媛 ,  韩明洋 ,  李浛 ,  杨子桢 ,  陈存广 ,  王铀

IPC: C01G29/00 ,  G01N27/26 ,  G01N27/30 ,  G01N27/327 ,  C01G9/02 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 一种硫化铋/氧化锌异质结材料的制备方法及其应用，它解决了由Bi2S3基异质结构制备的气体传感器仅在黑暗条件下可检测H2S气体，而可见光条件下仍存在响应值低和选择性差的问题。方法：合成了Bi2S3纳米线，与ZnO纳米粒子机械混合形成Bi2S3/ZnO异质结构。调控氧化锌的数量，改变硫化铋的电子结构，提高表面吸附活性位点，进而提高室温可见光下检测H2S的响应值及选择性，并缩短响应时间。本发明中Bi2S3纳米线表面修饰ZnO后，室温可见光下对500ppb的H2S具有16.0倍的响应值，响应时间仅为51.6s，而且选择性好、成本低、工艺简单，适合工业化生产。它用于室温、可见光条件下的H2S快速检测。