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公开(公告)号：CN114646669A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210259192.2
申请日：2022-03-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种二硫化锡/二硒化锡横向异质结构气敏材料的制备方法及其应用。本发明属于气敏材料领域，具体涉及一种二硫化锡/二硒化锡横向异质结构气敏材料的制备方法及其应用。本发明目的是为了解决现有液相法制备的异质结构各组元间晶格不匹配且异质界面不连续，导致缺陷多、内建电场弱，使得电荷传输效率低，进而造成气体传感器在室温工作灵敏度低、响应/恢复慢的问题。方法：通过溶剂热合成法制备了SnS2模板，然后以二氧化硒为硒源，以1‑十八烯、油胺为溶剂，通过液相离子置换的方法合成SnS2/SnSe2横向异质结构气敏材料。将该气敏材料用于气敏传感器，在室温下检测ppb至ppm浓度级别的NO2，室温灵敏度高，响应和恢复速度快。
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公开(公告)号：CN114646669B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202210259192.2
申请日：2022-03-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种二硫化锡/二硒化锡横向异质结构气敏材料的制备方法及其应用。本发明属于气敏材料领域，具体涉及一种二硫化锡/二硒化锡横向异质结构气敏材料的制备方法及其应用。本发明目的是为了解决现有液相法制备的异质结构各组元间晶格不匹配且异质界面不连续，导致缺陷多、内建电场弱，使得电荷传输效率低，进而造成气体传感器在室温工作灵敏度低、响应/恢复慢的问题。方法：通过溶剂热合成法制备了SnS2模板，然后以二氧化硒为硒源，以1‑十八烯、油胺为溶剂，通过液相离子置换的方法合成SnS2/SnSe2横向异质结构气敏材料。将该气敏材料用于气敏传感器，在室温下检测ppb至ppm浓度级别的NO2，室温灵敏度高，响应和恢复速度快。
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