公开(公告)号：CN107686125A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710758015.8

申请日：2017-08-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 郝娟媛 ,  张一健 ,  孙权 ,  郑晟良 ,  王铀

IPC: C01G19/00 ,  G01N27/12

Abstract: 一种Al掺杂分等级结构二硫化锡气敏材料的制备方法。本发明属于气敏材料领域，具体涉及一种Al掺杂花状分等级结构SnS2气敏材料的制备方法。本发明目的是为了解决现有基于无机二维层状SnS2纳米材料的NO2传感器不能室温工作的问题。方法：以五水四氯化锡为锡源，硫脲为硫源，九水合硝酸铝为铝源，以乙二醇为溶剂，通过一步微波加热的方法合成Al掺杂的花状分等级结构SnS2。将本发明制得的Al掺杂花状分等级结构SnS2制成气敏传感器，该气敏传感器可在室温下检测ppb浓度级别的NO2，灵敏度高，安全便携，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN107686125B

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201710758015.8

申请日：2017-08-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 郝娟媛 ,  张一健 ,  孙权 ,  郑晟良 ,  王铀

IPC: C01G19/00 ,  G01N27/12

Abstract: 一种Al掺杂分等级结构二硫化锡气敏材料的制备方法。本发明属于气敏材料领域，具体涉及一种Al掺杂花状分等级结构SnS2气敏材料的制备方法。本发明目的是为了解决现有基于无机二维层状SnS2纳米材料的NO2传感器不能室温工作的问题。方法：以五水四氯化锡为锡源，硫脲为硫源，九水合硝酸铝为铝源，以乙二醇为溶剂，通过一步微波加热的方法合成Al掺杂的花状分等级结构SnS2。将本发明制得的Al掺杂花状分等级结构SnS2制成气敏传感器，该气敏传感器可在室温下检测ppb浓度级别的NO2，灵敏度高，安全便携，具有广阔的应用前景。