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发明公开
一种测量G欧级半导体式气敏传感器内阻的方法审中-实审

公开(公告)号：CN118624986A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410964077.4

申请日：2024-07-18

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 陈存广 , 王铀 , 周振泽 , 毛俊鹏 , 郝娟媛

IPC: G01R27/08

Abstract: 本发明公开了一种测量G欧级半导体式气敏传感器内阻的方法，包括以下步骤：充电过程：控制直流电源Ur通过待测半导体传感器R向电容C充电，同时检测电容C两端的电压值U0并记录，当电容C两端的电压U0充电到一定值时，充电结束，记录充电时间t；计算获得待测半导体传感器R电阻值；放电过程：对电容C进行快速放电；重复执行充电过程和放电过程，直至获得一个稳定的待测半导体传感器R电阻值，该稳定的待测半导体传感器R电阻值即为待测半导体传感器R内阻值。本发明利用简单低成本的电容充放电路，能够准确快速的测量出半导体传感器电阻的大小。

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