公开(公告)号：CN109553415B

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN201910068506.9

申请日：2019-01-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 姜桂铖 ,  王金鑫 ,  杨彬 ,  郑立梅 ,  刘丹青 ,  黄伟城 ,  曹文武

IPC: C04B35/491 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 具有高电热效应的硅掺杂锆钛酸铅非取向薄膜的制备方法，涉及微电子器件制冷领域。本发明是为了解决现有缺少采用非取向薄膜形式对集成电路进行制冷的方法的问题。将乙酸铅溶于冰乙酸溶液中并加热去除水分得溶液A，将正丙醇锆和钛酸四丁酯溶于乙二醇单甲醚中得到溶液B；将A和B混合形成絮状不溶物，溶解不溶物，再加热得到PbZr1‑xTixO3溶胶溶液，作为溶液C；将纳米二氧化硅颗粒的乙醇溶液和溶液C混合得到溶液D；将C或D涂覆在FTO基片上形成湿膜，经过烘烤形成干膜，干膜退火处理形成一层薄膜；重复镀膜，获得具有厚度的薄膜；用磁控溅射方法在薄膜上表面生长铂金电极，制备锆钛酸铅非取向薄膜。它用于制备高电热效应的薄膜。

公开(公告)号：CN110768513B

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201911076725.8

申请日：2019-11-06

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张千帆 ,  曲建真 ,  崔淑梅 ,  王金鑫 ,  袁雪

IPC: H02M1/00

Abstract: 一种基于布线优化的碳化硅功率开关器件并联设计方法，属于电力电子技术领域。本发明针对现有SiC器件并联方案中，由于不相等的开关损耗和瞬态电流的限制，无法在多个SiC器件并联时发挥SiC器件的最佳性能的问题。包括在PCB电路板上，依次并行设置至少三个布线分隔槽，在每个布线分隔槽内设置由两个SiC器件组成的功率半桥，从而增加相邻功率半桥之间的寄生电感。本发明可改善多个SiC器件并联应用中存在的开关瞬态电流均流性能，可将SiC器件稳定可靠的应用于大功率和大电流电力电子变换器。

公开(公告)号：CN110768513A

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201911076725.8

申请日：2019-11-06

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张千帆 ,  曲建真 ,  崔淑梅 ,  王金鑫 ,  袁雪

IPC: H02M1/00

Abstract: 一种基于布线优化的碳化硅功率开关器件并联设计方法，属于电力电子技术领域。本发明针对现有SiC器件并联方案中，由于不相等的开关损耗和瞬态电流的限制，无法在多个SiC器件并联时发挥SiC器件的最佳性能的问题。包括在PCB电路板上，依次并行设置至少三个布线分隔槽，在每个布线分隔槽内设置由两个SiC器件组成的功率半桥，从而增加相邻功率半桥之间的寄生电感。本发明可改善多个SiC器件并联应用中存在的开关瞬态电流均流性能，可将SiC器件稳定可靠的应用于大功率和大电流电力电子变换器。

公开(公告)号：CN109842309A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201910168732.4

申请日：2019-03-06

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张千帆 ,  那拓扑 ,  董帅 ,  曲建真 ,  王金鑫 ,  袁雪

IPC: H02M7/219

Abstract: 无辅助电路单相准Z源整流器软开关控制方法。它涉及准Z源整流器软开关的控制方法。它解决了现有技术需要额外的谐振电路，同时还需要耐压等级更高的功率器件的问题。本方法基于单相准Z源可控整流器实现，S7为准Z源的功率开关，S1-S4为可控整流H桥的四个功率开关。S7关断系统工作在直通状态，S7开通系统工作在非直通状态。直通状态准Z源电感通过H桥的反并联二极管对准Z源电容放电，反并联二极管开通，H桥功率开关两端电压被钳制为0，实现零电压开通和关断。准Z源电感电流工作在临界或断续状态，实现每个开关管的零电压或零电流开通关断。本方法不需要辅助电路，只需要设计合适的准Z源电感值，就可以实现软开关功能。

公开(公告)号：CN109553415A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201910068506.9

申请日：2019-01-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 姜桂铖 ,  王金鑫 ,  杨彬 ,  郑立梅 ,  刘丹青 ,  黄伟城 ,  曹文武

IPC: C04B35/491 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 具有高电热效应的硅掺杂锆钛酸铅非取向薄膜的制备方法，涉及微电子器件制冷领域。本发明是为了解决现有缺少采用非取向薄膜形式对集成电路进行制冷的方法的问题。将乙酸铅溶于冰乙酸溶液中并加热去除水分得溶液A，将正丙醇锆和钛酸四丁酯溶于乙二醇单甲醚中得到溶液B；将A和B混合形成絮状不溶物，溶解不溶物，再加热得到PbZrxTi1-xO3溶胶溶液，作为溶液C；将纳米二氧化硅颗粒的乙醇溶液和溶液C混合得到溶液D；将C或D涂覆在FTO基片上形成湿膜，经过烘烤形成干膜，干膜退火处理形成一层薄膜；重复镀膜，获得具有厚度的薄膜；用磁控溅射方法在薄膜上表面生长铂金电极，制备锆钛酸铅非取向薄膜。它用于制备高电热效应的薄膜。