-
公开(公告)号：CN106350869A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610835377.8
申请日：2016-09-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种超高压电性能的正交相Mn掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶及其制备方法，它属于功能性单晶材料及其制备技术研究领域，具体涉及一种钙钛矿结构铌钽酸钾钠基无铅压电单晶及其制备方法。本发明的目的是针对目前组分复杂的单晶生长困难，质量不高，压电性能不够高的问题。一种超高压电性能的正交相Mn掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶的化学式为[(NayK1-y)1-xLix](Nb1-zTazSbt)O3:Mn。方法：一、准备原料；二、混合原料；三、预烧；四、第二次预烧；五、反复熔化预烧钙钛矿结构的多晶材料；六、晶体生长。本发明可获得一种超高压电性能的正交相Mn掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶。
-
公开(公告)号：CN102623628B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210092842.5
申请日：2012-03-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L41/187 , H01L41/43 , C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 一种铌镱酸铅-钛酸铅压电陶瓷的制备方法，它涉及一种压电陶瓷的制备方法。本发明的目的是要解决现有压电陶瓷不能同时具备高居里温度和高压电性能及现有压电陶瓷的制备方法存在烧结温度高的问题。方法：一、合成YbNbO4前驱体：二、以YbNbO4前驱体、Pb3O4和TiO2为原料制备(1-x)Pb(Yb1/2Nb1/2)O3-xPbTiO3陶瓷片；三、(1-x)Pb(Yb1/2Nb1/2)O3-xPbTiO3陶瓷片经过被银极化处理，即得到铌镱酸铅-钛酸铅压电陶瓷。本发明主要用于制备铌镱酸铅-钛酸铅压电陶瓷。
-
公开(公告)号：CN103469307A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310459769.5
申请日：2013-09-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 四方相锂锑钽共掺杂铌酸钾钠基压电晶体及其制备方法，它涉及一种铌酸钾钠基压电晶体及其制备方法。本发明要解决现有技术制备过程中铌酸钾钠基压电晶体生长困难、尺寸小的问题。四方相锂锑钽共掺杂铌酸钾钠基压电晶体的化学式为[(K1-xNax)1-yLiy](Nb1-z-tTazSbt)O3，其中0.3
-
公开(公告)号：CN108281544B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201810077849.7
申请日：2018-01-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于铁电共存畴的多阻态铁电量子隧道结及制备方法，属于电子技术领域。解决了现有磁性隧道结高能耗、读写速度慢、存储密度低的问题。本发明为由下至上依次排列的4层结构构成的隧道结，由下至上依次排列的4层结构分别为单晶衬底、底电极、铁电超薄绝缘层和顶电极；当铁电超薄绝缘层的厚度为2nm至5nm，铁电超薄绝缘层和单晶衬底之间的错配应变在共存相的相界处时，通过底电极和顶电极对铁电超薄绝缘层厚度方向上施加驱动电压，通过改变驱动电压大小，来改变铁电超薄绝缘层的极化状态，进而使铁电超薄绝缘层在不同驱动电压的驱动下分别获得3种不同隧穿电阻的畴结构状态。本发明主要应用在存储器上。
-
公开(公告)号：CN106350869B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201610835377.8
申请日：2016-09-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种超高压电性能的正交相Mn掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶及其制备方法，它属于功能性单晶材料及其制备技术研究领域，具体涉及一种钙钛矿结构铌钽酸钾钠基无铅压电单晶及其制备方法。本发明的目的是针对目前组分复杂的单晶生长困难，质量不高，压电性能不够高的问题。一种超高压电性能的正交相Mn掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶的化学式为[(NayK1‑y)1‑xLix](Nb1‑zTazSbt)O3:Mn。方法：一、准备原料；二、混合原料；三、预烧；四、第二次预烧；五、反复熔化预烧钙钛矿结构的多晶材料；六、晶体生长。本发明可获得一种超高压电性能的正交相Mn掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109553415A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201910068506.9
申请日：2019-01-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/491 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 具有高电热效应的硅掺杂锆钛酸铅非取向薄膜的制备方法，涉及微电子器件制冷领域。本发明是为了解决现有缺少采用非取向薄膜形式对集成电路进行制冷的方法的问题。将乙酸铅溶于冰乙酸溶液中并加热去除水分得溶液A，将正丙醇锆和钛酸四丁酯溶于乙二醇单甲醚中得到溶液B；将A和B混合形成絮状不溶物，溶解不溶物，再加热得到PbZrxTi1-xO3溶胶溶液，作为溶液C；将纳米二氧化硅颗粒的乙醇溶液和溶液C混合得到溶液D；将C或D涂覆在FTO基片上形成湿膜，经过烘烤形成干膜，干膜退火处理形成一层薄膜；重复镀膜，获得具有厚度的薄膜；用磁控溅射方法在薄膜上表面生长铂金电极，制备锆钛酸铅非取向薄膜。它用于制备高电热效应的薄膜。
-
公开(公告)号：CN108281544A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810077849.7
申请日：2018-01-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于铁电共存畴的多阻态铁电量子隧道结及制备方法，属于电子技术领域。解决了现有磁性隧道结高能耗、读写速度慢、存储密度低的问题。本发明为由下至上依次排列的4层结构构成的隧道结，由下至上依次排列的4层结构分别为单晶衬底、底电极、铁电超薄绝缘层和顶电极；当铁电超薄绝缘层的厚度为2nm至5nm，铁电超薄绝缘层和单晶衬底之间的错配应变在共存相的相界处时，通过底电极和顶电极对铁电超薄绝缘层厚度方向上施加驱动电压，通过改变驱动电压大小，来改变铁电超薄绝缘层的极化状态，进而使铁电超薄绝缘层在不同驱动电压的驱动下分别获得3种不同隧穿电阻的畴结构状态。本发明主要应用在存储器上。
-
公开(公告)号：CN103469307B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310459769.5
申请日：2013-09-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 四方相锂锑钽共掺杂铌酸钾钠基压电晶体，它涉及一种铌酸钾钠基压电晶体及其制备方法。本发明要解决现有技术制备过程中铌酸钾钠基压电晶体生长困难、尺寸小的问题。四方相锂锑钽共掺杂铌酸钾钠基压电晶体的化学式为[(K1-xNax)1-yLiy](Nb1-z-tTazSbt)O3，其中0.3
-
公开(公告)号：CN103911663B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410154971.1
申请日：2014-04-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶的制备方法，它涉及一种钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶及其制备方法。本发明的目的是要解决现有发明制备的铌酸钾钠晶体及锂、钽或锰掺杂铌酸钾钠晶体存在漏电，组份不均匀，机电耦合系数和压电系数低的问题。本发明制备的单晶化学式为[(NayK1-y)1-xLix](Nb1-zTaz)O3:Mn，其中，0.01
-
公开(公告)号：CN102628186B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201210131057.6
申请日：2012-04-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基无铅压电单晶的制备方法，它涉及一种功能性单晶材料的制备方法。本发明解决了铌酸钾钠基压电单晶生长困难、尺寸小、压电性能低的技术问题。本方法如下：一、制备料浆；二、合成多晶；三、化料；四、缩颈；五、放肩；六、等径；七、降温。本发明方法工艺简单，生长周期短，成本低廉。本生长工艺生长出的铌酸钾钠基压电单晶径向大小约8mm，长约20mm，尺寸较大，质量均匀，电学性能良好。本发明的正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶为纯钙钛矿结构，无其它杂相。室温下锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶为正交相结构。正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶具有非常良好的压电性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.018 seconds)
