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公开(公告)号：CN116589278B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202310420473.6
申请日：2023-04-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/493 , C04B35/622 , C04B41/88 , A61B8/00
Abstract: 一种兼具高机电性能及温度稳定性的钽镍酸铅‑锆钛酸铅陶瓷及其制备方法和应用。本发明属于压电陶瓷领域。本发明为解决现有彩超探头应用中陶瓷高机电性能与温度稳定性难以兼得的问题。本发明陶瓷化学式为：0.24Pb(Ni1/3Ta2/3)O3‑0.33PbZrO3‑0.43PbTiO3。本发明陶瓷以 取向的钛酸钡模板通过流延法制备获得。所得陶瓷综合性能最好，此时陶瓷压电系数d33高达724pC/N，居里温度TC为188℃，在25‑75℃温度范围内性能变化低于5％，同时机电耦合系数kt,可达0.57，与压电单晶相近。钽镍酸铅的引入，解决了当前高锆酸铅含量(>30％)陶瓷中模板固溶现象严重的问题。
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公开(公告)号：CN113292340B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202110615534.5
申请日：2021-06-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/499 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 一种高压电性低损耗施主受主共掺杂压电陶瓷、制备方法及其应用，本发明属于功能陶瓷材料领域，具体涉及一种高压电性、低损耗施主受主共掺杂压电陶瓷、制备方法及其应用。本发明要解决传统固相烧结工艺使施主和受主掺杂离子进入同一个晶格，从而导致施主掺杂离子和受主掺杂离子产生的“软性效应”和“硬性效应”减弱，施主受主共掺杂的压电陶瓷不能得到理想的各项性能的问题。制备方法为首先合成MgNb2O6前驱体，然后分别独立制备单独掺杂钐的铌镁酸铅‑钛酸铅预烧粉体和单独掺杂锰的铌镁酸铅‑钛酸铅预烧粉体，最后将两种预烧粉体和CuO混合后进行烧结，并对陶瓷片进行烧银极化处理，得到压电陶瓷。本发明用于功率型超声换能器。
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公开(公告)号：CN113185289B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110347455.0
申请日：2021-03-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/499 , C04B35/622 , C04B41/88 , C04B41/91
Abstract: 一种超低介电损耗的铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷及其制备方法。本发明属于压铁电材料领域。本发明是为了解决现有软性陶瓷高介电损耗的技术问题。本发明的一种超低介电损耗的铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷的化学通式为x Pb(Mn1/3Nb2/3)O3‑(0.55‑x)Pb(Ni1/3Nb2/3)O3‑0.135PbZrO3‑0.315PbTiO3，其中x＝0.01‑0.03。制备方法：按陶瓷成分配比配料，然后依次经过预烧、压片、排胶、烧结，再经烧银和极化后得到超低介电损耗的铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷。本发明的方法预烧温度低，通过配方与工艺的优化烧结出铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅弛豫铁电陶瓷，准静态d33测试仪测量压电常数达760pC/N的同时，介电损耗低于0.5％，性能优异。
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公开(公告)号：CN113394334A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110583370.2
申请日：2021-05-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L41/047 , H01L41/083 , H01L41/09 , H01L41/257 , H01L41/277 , H01L41/297 , H01L41/43
Abstract: 本发明公开了一种基于正交极化与周期结构设计的压电叠堆致动器及其制备方法，属于集成电路装备制造领域。本发明解决了现有压电叠堆致动器极化方向与电场方向不能正交相容的问题。本发明通过设计图案电极及压电单元层的排列，构建正交极化与周期结构设计的压电叠堆致动器，该压电叠堆致动器因非180°电畴翻转产生的应变，是线性压电效应的～5倍，在20kV/cm驱动电场下，输出应变高于0.6％，远优于现有压电叠堆致动器。
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公开(公告)号：CN113185289A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110347455.0
申请日：2021-03-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/499 , C04B35/622 , C04B41/88 , C04B41/91
Abstract: 一种超低介电损耗的铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷及其制备方法。本发明属于压铁电材料领域。本发明是为了解决现有软性陶瓷高介电损耗的技术问题。本发明的一种超低介电损耗的铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷的化学通式为x Pb(Mn1/3Nb2/3)O3‑(0.55‑x)Pb(Ni1/3Nb2/3)O3‑0.135PbZrO3‑0.315PbTiO3，其中x＝0.01‑0.03。制备方法：按陶瓷成分配比配料，然后依次经过预烧、压片、排胶、烧结，再经烧银和极化后得到超低介电损耗的铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷。本发明的方法预烧温度低，通过配方与工艺的优化烧结出铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅弛豫铁电陶瓷，准静态d33测试仪测量压电常数达760pC/N的同时，介电损耗低于0.5％，性能优异。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109553415B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910068506.9
申请日：2019-01-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/491 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 具有高电热效应的硅掺杂锆钛酸铅非取向薄膜的制备方法，涉及微电子器件制冷领域。本发明是为了解决现有缺少采用非取向薄膜形式对集成电路进行制冷的方法的问题。将乙酸铅溶于冰乙酸溶液中并加热去除水分得溶液A，将正丙醇锆和钛酸四丁酯溶于乙二醇单甲醚中得到溶液B；将A和B混合形成絮状不溶物，溶解不溶物，再加热得到PbZr1‑xTixO3溶胶溶液，作为溶液C；将纳米二氧化硅颗粒的乙醇溶液和溶液C混合得到溶液D；将C或D涂覆在FTO基片上形成湿膜，经过烘烤形成干膜，干膜退火处理形成一层薄膜；重复镀膜，获得具有厚度的薄膜；用磁控溅射方法在薄膜上表面生长铂金电极，制备锆钛酸铅非取向薄膜。它用于制备高电热效应的薄膜。
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公开(公告)号：CN108444965A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810230348.8
申请日：2018-03-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 荧光光谱法测定压电材料结构相变的方法，涉及材料物性分析领域。本发明是为了解决现有的用于检测压电材料相变过程的接触式相变检测方式工艺复杂并且工作效率低的问题。将稀土离子均匀掺入压电材料中，高温烧结得到陶瓷片；将陶瓷片置于暗室环境，对陶瓷片施加不同强度的外加场并用光源激发陶瓷片，通过收集陶瓷片中的稀土离子在可见波段的发射谱信息能够得到陶瓷片中的压电材料在外加场下的结构相变；根据发射谱信息得到发射谱区间强度积分，从中提取陶瓷片中稀土离子的电偶极跃迁强度和磁偶极跃迁强度；绘制电偶极跃迁强度与磁偶极跃迁强度的比值随外加场变化曲线，曲线的峰值区间为压电材料结构发生相变的区间。它用于测定压电材料的结构相变。
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公开(公告)号：CN105568219B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201511029173.7
申请日：2015-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种镨掺杂铌酸钾钠薄膜的制备方法及其应用，涉及一种铌酸钾钠薄膜的制备方法及其应用。本发明是要解决现有光学式应力传感技术基于监测样品形状的改变而灵敏度有待提高的问题，提出利用镨离子的发光特性监测应力的新方法。方法：一、镨掺杂铌酸钾钠靶材的制备；二、镨掺杂铌酸钾钠薄膜的气相法制备。本发明是要通过监测应力引起的材料发光特性的改变实现应力的高灵敏度传感，解决现有光学式应力传感技术灵敏度低的问题。本发明提出的薄膜沉积方法操作简单，可在不同种类衬底上实现镨掺杂铌酸钾钠薄膜的制备，利于规模化生产。本发明用于制备镨掺杂铌酸钾钠薄膜。
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公开(公告)号：CN105084898B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510482816.7
申请日：2015-08-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L41/187 , C04B35/499 , C04B35/622
Abstract: 一种低温烧结三元系弛豫铁电陶瓷材料，本发明涉及一种低温烧结三元系弛豫铁电陶瓷材料、制备方法及其应用。本发明要解决现有PIN‑PMN‑PT陶瓷烧结温度高，铅挥发严重引发环境污染、材料性能下降、生产成本高的问题。陶瓷材料的化学通式为xPb(In1/2Nb1/2)O3‑(1‑x‑y)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑yPbTiO3‑awt.％CuO。方法：一、固相反应合成MgNb2O6前驱体；二、固相反应合成InNbO4前驱体；三、固相反应合成PIN‑PMN‑PT基体粉体；四、固相合成技术结合流延叠层工艺制备低温烧结三元系弛豫铁电陶瓷。本发明用于制备大功率压电蜂鸣器和多层压电器件。
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公开(公告)号：CN106442434A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610872362.9
申请日：2016-09-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/63
CPC classification number: G01N21/63
Abstract: 基于镨掺杂铌酸钾钠发光特性的氧气传感测量方法，本发明涉及光学气敏传感技术领域，它为了解决现有基于氧化物发光特性的氧气传感方法响应度较低的问题。测量方法：一、将摩尔掺杂浓度为0.1％～1％的镨掺杂铌酸钾钠在氩气中退火处理；二、采用波长为280～380nm激发光测试退火后的镨掺杂铌酸钾钠在不同氧气浓度气氛下的光致发光谱；三、依据镨离子的3P0-3H4发光峰的强度依赖于气氛中氧气浓度的关系，建立标准曲线，从而通过标准曲线测定待测气氛中的氧气浓度。本发明中依据退火处理后镨掺杂铌酸钾钠发光特性对氧气浓度的传感特性，实现了100％氧气浓度条件下响应度达到了300％。
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