具有高电热效应的硅掺杂锆钛酸铅非取向薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN109553415B

    公开(公告)日:2021-04-20

    申请号:CN201910068506.9

    申请日:2019-01-24

    Abstract: 具有高电热效应的硅掺杂锆钛酸铅非取向薄膜的制备方法,涉及微电子器件制冷领域。本发明是为了解决现有缺少采用非取向薄膜形式对集成电路进行制冷的方法的问题。将乙酸铅溶于冰乙酸溶液中并加热去除水分得溶液A,将正丙醇锆和钛酸四丁酯溶于乙二醇单甲醚中得到溶液B;将A和B混合形成絮状不溶物,溶解不溶物,再加热得到PbZr1‑xTixO3溶胶溶液,作为溶液C;将纳米二氧化硅颗粒的乙醇溶液和溶液C混合得到溶液D;将C或D涂覆在FTO基片上形成湿膜,经过烘烤形成干膜,干膜退火处理形成一层薄膜;重复镀膜,获得具有厚度的薄膜;用磁控溅射方法在薄膜上表面生长铂金电极,制备锆钛酸铅非取向薄膜。它用于制备高电热效应的薄膜。

    荧光光谱法测定压电材料结构相变的方法

    公开(公告)号:CN108444965A

    公开(公告)日:2018-08-24

    申请号:CN201810230348.8

    申请日:2018-03-20

    Abstract: 荧光光谱法测定压电材料结构相变的方法,涉及材料物性分析领域。本发明是为了解决现有的用于检测压电材料相变过程的接触式相变检测方式工艺复杂并且工作效率低的问题。将稀土离子均匀掺入压电材料中,高温烧结得到陶瓷片;将陶瓷片置于暗室环境,对陶瓷片施加不同强度的外加场并用光源激发陶瓷片,通过收集陶瓷片中的稀土离子在可见波段的发射谱信息能够得到陶瓷片中的压电材料在外加场下的结构相变;根据发射谱信息得到发射谱区间强度积分,从中提取陶瓷片中稀土离子的电偶极跃迁强度和磁偶极跃迁强度;绘制电偶极跃迁强度与磁偶极跃迁强度的比值随外加场变化曲线,曲线的峰值区间为压电材料结构发生相变的区间。它用于测定压电材料的结构相变。

    硫化镉包覆的氧化锌纳米阵列复合材料的制备方法以及用于多种肿瘤细胞检测的方法

    公开(公告)号:CN103454266A

    公开(公告)日:2013-12-18

    申请号:CN201310429620.2

    申请日:2013-09-22

    Abstract: 硫化镉包覆的氧化锌纳米阵列复合材料的制备方法以及用于多种肿瘤细胞检测的方法,涉及一种制备硫化镉包覆的氧化锌纳米阵列复合材料及其方法。本发明利用化学沉积法实现了纳米阵列材料的制备,利用静电作用实现了纳米材料的修饰和组装,最后将合成的纳米阵列材料应用于癌细胞的生物传感器的制备,实现了对肝癌细胞的灵敏检测,具有操作简单、反应速度快、效果好、选择性强、成本低等优点。该方法还可以通过改变修饰的抗体种类实现对多种肿瘤细胞的检测,可用于科研方面和临床医学方面,尤其是在生物分析领域,肿瘤细胞检测等方面有很强的应用前景。

    利用指状微电极制备巨型磷脂泡囊的方法

    公开(公告)号:CN102784607B

    公开(公告)日:2013-12-11

    申请号:CN201210286756.8

    申请日:2012-08-14

    Abstract: 利用指状微电极制备巨型磷脂泡囊的方法,涉及一种巨型泡囊的制备方法。本发明的利用指状微电极制备巨型磷脂泡囊的方法是通过如下技术方案实现的:1)指状微电极经无水乙醇和蒸馏水依次超声清洗后氮气吹干,经等离子清洗机处理待用;2)将磷脂溶于氯仿配制成磷脂溶液,取该磷脂溶液平铺于指状微电极上,然后将其真空干燥;3)干燥后的涂有磷脂的指状微电极与聚四氟乙烯矩形框及盖玻片组成装置,中间注入蔗糖或葡萄糖溶液,放于加热板上;4)将电极分别连接信号发生器,设定电压及频率,形成巨型磷脂泡囊。本发明具有电极面积小、反应条件温和、生成巨型磷脂泡囊尺寸均匀、可控性好等优点。

    一种量子点修饰ZnO纳米棒阵列电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN103400699A

    公开(公告)日:2013-11-20

    申请号:CN201310337248.2

    申请日:2013-08-05

    Abstract: 一种量子点修饰ZnO纳米棒阵列电极及其制备方法,它涉及一种阵列电极及其制备方法。本发明是要解决ZnO纳米材料在可见光下光催化效率低,对太阳光的利用率低的技术问题。本发明的制备方法按以下步骤进行:一、以导电玻璃为基底,采用水热法制得高度有序的ZnO纳米棒阵列;二、在上述ZnO纳米棒阵列表面交替沉积聚电解质和量子点颗粒,获得均匀包覆的量子点修饰ZnO纳米棒阵列电极。本发明制备光电极的方法对ZnO纳米棒阵列的长度和包覆的量子点的厚度可控;本发明制得的电极在可见光照射下,表现出良好的光电催化活性和可见光响应特性。本发明用于光电催化降解环境污染物、光电催化合成和光解水产氢领域。

    高灵敏检测癌细胞的电致化学发光传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN103134793B

    公开(公告)日:2015-04-01

    申请号:CN201310025112.8

    申请日:2013-01-24

    Abstract: 本发明涉及一种高灵敏检测癌细胞的电致化学发光传感器及其制备方法,制备步骤如下:(1)纳米二氧化钛材料的合成:硫酸钛与乙二胺四乙酸在磁力搅拌下反应制得纳米二氧化钛;(2)复合纳米材料的合成:二氧化钛纳米颗粒依次与硫化钠溶液和氯化镉溶液反应后溶于离子液体;(3)金纳米粒子的合成:柠檬酸钠溶液与氯金酸溶反应制得金纳米粒子;(4)传感器的组装:金纳米粒子滴加到ITO电极表面,置于氮气氛围内;将肿瘤细胞抗体修饰到电极的表面,置于孵育箱中备用。根据抗体上结合的癌细胞的数量与电致化学发光强度的线性变化来实现对癌细胞的检测。本发明具有操作简单、反应速度快、效果好、可再生强、选择性强、成本低的优点。

    高灵敏检测癌细胞的电致化学发光传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN103134793A

    公开(公告)日:2013-06-05

    申请号:CN201310025112.8

    申请日:2013-01-24

    Abstract: 本发明涉及一种高灵敏检测癌细胞的电致化学发光传感器及其制备方法,制备步骤如下:(1)纳米二氧化钛材料的合成:硫酸钛与乙二胺四乙酸在磁力搅拌下反应制得纳米二氧化钛;(2)复合纳米材料的合成:二氧化钛纳米颗粒依次与硫化钠溶液和氯化镉溶液反应后溶于离子液体;(3)金纳米粒子的合成:柠檬酸钠溶液与氯金酸溶反应制得金纳米粒子;(4)传感器的组装:金纳米粒子滴加到ITO电极表面,置于氮气氛围内;将肿瘤细胞抗体修饰到电极的表面,置于孵育箱中备用。根据抗体上结合的癌细胞的数量与电致化学发光强度的线性变化来实现对癌细胞的检测。本发明具有操作简单、反应速度快、效果好、可再生强、选择性强、成本低的优点。

    具有高电热效应的硅掺杂锆钛酸铅非取向薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN109553415A

    公开(公告)日:2019-04-02

    申请号:CN201910068506.9

    申请日:2019-01-24

    Abstract: 具有高电热效应的硅掺杂锆钛酸铅非取向薄膜的制备方法,涉及微电子器件制冷领域。本发明是为了解决现有缺少采用非取向薄膜形式对集成电路进行制冷的方法的问题。将乙酸铅溶于冰乙酸溶液中并加热去除水分得溶液A,将正丙醇锆和钛酸四丁酯溶于乙二醇单甲醚中得到溶液B;将A和B混合形成絮状不溶物,溶解不溶物,再加热得到PbZrxTi1-xO3溶胶溶液,作为溶液C;将纳米二氧化硅颗粒的乙醇溶液和溶液C混合得到溶液D;将C或D涂覆在FTO基片上形成湿膜,经过烘烤形成干膜,干膜退火处理形成一层薄膜;重复镀膜,获得具有厚度的薄膜;用磁控溅射方法在薄膜上表面生长铂金电极,制备锆钛酸铅非取向薄膜。它用于制备高电热效应的薄膜。

    一种量子点修饰ZnO纳米棒阵列电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN103400699B

    公开(公告)日:2016-03-09

    申请号:CN201310337248.2

    申请日:2013-08-05

    Abstract: 一种量子点修饰ZnO纳米棒阵列电极及其制备方法,它涉及一种阵列电极及其制备方法。本发明是要解决ZnO纳米材料在可见光下光催化效率低,对太阳光的利用率低的技术问题。本发明的制备方法按以下步骤进行:一、以导电玻璃为基底,采用水热法制得高度有序的ZnO纳米棒阵列;二、在上述ZnO纳米棒阵列表面交替沉积聚电解质和量子点颗粒,获得均匀包覆的量子点修饰ZnO纳米棒阵列电极。本发明制备光电极的方法对ZnO纳米棒阵列的长度和包覆的量子点的厚度可控;本发明制得的电极在可见光照射下,表现出良好的光电催化活性和可见光响应特性。本发明用于光电催化降解环境污染物、光电催化合成和光解水产氢领域。

    利用电化学技术实现氧化铟锡表面快速腐蚀和图案化的方法

    公开(公告)号:CN102691093A

    公开(公告)日:2012-09-26

    申请号:CN201210204173.6

    申请日:2012-06-20

    Abstract: 利用电化学技术实现氧化铟锡表面快速腐蚀和图案化的方法,属于电化学领域和微纳米技术领域。针对现有腐蚀ITO方法存在的问题,本发明利用电化学技术实现氧化铟锡表面快速腐蚀和图案化的方法如下:1)ITO表面清洗;2)通过塑封机将所用光刻胶在ITO基底上压成保护膜,直接放置所用图案的掩膜,经过紫外曝光显影,定型洗涤后形成所需图案;3)利用电化学技术,以稀盐酸为腐蚀液,采用循环伏安法或计时电流法对ITO表面进行光刻胶外裸露ITO部分的腐蚀;4)经电化学腐蚀后的ITO玻璃片经碱溶液洗涤,除去保护的光刻胶膜,N2吹干,得到图案化的ITO表面。本发明具有操作简单、快速、腐蚀效果好、边界清晰、成本低等优点。

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