-
公开(公告)号:CN1678574A
公开(公告)日:2005-10-05
申请号:CN03820917.9
申请日:2003-08-27
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: C07C309/14
CPC classification number: C07C303/22 , C07C303/32 , C07C309/14
Abstract: 一种以通式[2]表示的氨基烷基磺酸的制造方法,使以通式[1]表示的化合物溶于选自醇、羧酸及二甲基甲酰胺的水溶性有机溶剂中的溶液与有机酸反应而制得;以及,以通式[1’]表示的氨基烷基磺酸盐进行盐交换的方法,使以通式[2]表示的化合物在醇或水中与以通式[6]表示的氢氧化物反应而制得。(式中,R1及R2表示氢原子、芳基等,R3及R4表示氢原子或烷基,M表示碱金属原子等)。 [6]式中,M’表示碱金属原子。
-
公开(公告)号:CN102484057B
公开(公告)日:2015-10-14
申请号:CN201080038221.8
申请日:2010-09-01
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: H01L21/304 , G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/306
CPC classification number: G03F7/425 , C11D11/0047 , G03F7/423 , G03F7/426 , H01L21/31133
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体表面用处理剂组合物以及以使用该组合物为特征的半导体表面的处理方法,所述半导体表面用处理剂组合物能够简便且在短时间内将半导体元件等的制造工艺中的防反射膜层、抗蚀剂层和抗蚀剂固化层剥离。本发明是关于半导体表面用处理剂组合物的发明,其特征在于,该组合物含有〔I〕在水中产生氟离子的化合物、〔II〕碳自由基产生剂、〔III〕水、〔IV〕有机溶剂、以及〔V〕选自由羟胺和通式[1]表示的羟胺衍生物组成的组中的至少1种化合物;并且本发明是关于半导体表面的处理方法的发明,其特征在于,该方法使用该组合物。(式中,R1表示碳原子数为1~6的直链状、支链状或环状的烷基或者具有1~3个羟基的碳原子数为1~4的直链状或支链状的取代烷基,R2表示氢原子、碳原子数为1~6的直链状、支链状或环状的烷基或者具有1~3个羟基的碳原子数为1~4的直链状或支链状的取代烷基)。
-
公开(公告)号:CN102484057A
公开(公告)日:2012-05-30
申请号:CN201080038221.8
申请日:2010-09-01
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: H01L21/304 , G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/306
CPC classification number: G03F7/425 , C11D11/0047 , G03F7/423 , G03F7/426 , H01L21/31133
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体表面用处理剂组合物以及以使用该组合物为特征的半导体表面的处理方法,所述半导体表面用处理剂组合物能够简便且在短时间内将半导体元件等的制造工艺中的防反射膜层、抗蚀剂层和抗蚀剂固化层剥离。本发明是关于半导体表面用处理剂组合物的发明,其特征在于,该组合物含有〔I〕在水中产生氟离子的化合物、〔II〕碳自由基产生剂、〔III〕水、〔IV〕有机溶剂、以及〔V〕选自由羟胺和通式[1]表示的羟胺衍生物组成的组中的至少1种化合物;并且本发明是关于半导体表面的处理方法的发明,其特征在于,该方法使用该组合物。式中,R1表示碳原子数为1~6的直链状、支链状或环状的烷基或者具有1~3个羟基的碳原子数为1~4的直链状或支链状的取代烷基,R2表示氢原子、碳原子数为1~6的直链状、支链状或环状的烷基或者具有1~3个羟基的碳原子数为1~4的直链状或支链状的取代烷基。
-
公开(公告)号:CN1295211C
公开(公告)日:2007-01-17
申请号:CN03820917.9
申请日:2003-08-27
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: C07C309/14
CPC classification number: C07C303/22 , C07C303/32 , C07C309/14
Abstract: 一种以通式[2]表示的氨基烷基磺酸的制造方法,使以通式[1]表示的化合物溶于选自醇、羧酸及二甲基甲酰胺的水溶性有机溶剂中的溶液与有机酸反应而制得;以及,以通式[1’]表示的氨基烷基磺酸盐进行盐交换的方法,使以通式[2]表示的化合物在醇或水中与以通式[6]表示的氢氧化物反应而制得。(式中,R1及R2表示氢原子、芳基等,R3及R4表示氢原子或烷基,M表示碱金属原子等)。
-
-
-