公开(公告)号：CN105378901A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201480038367.0

申请日：2014-07-03

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 横沟贵宏 ,  鹤本浩之 ,  柿泽政彦

IPC: H01L21/308 ,  C23F1/38 ,  H01L21/306

CPC classification number: C23F1/38 ,  H01L21/32134

Abstract: 本发明的课题在于提供一种半导体基板上的钛系金属用蚀刻剂和蚀刻方法、以及用于与过氧化氢混合使用的蚀刻剂制备液，所述钛系金属用蚀刻剂即使在用于具有钛系金属和金属铜或铜合金的半导体基板的情况下，也可抑制过氧化氢的分解，溶液寿命长，控制蚀刻剂中的过氧化氢的浓度的必要性小。本发明涉及半导体基板上的钛系金属用蚀刻剂、以使用该蚀刻剂为特征的蚀刻方法、以及用于与过氧化氢混合使用的蚀刻剂制备液，该半导体基板具有钛系金属和位于该钛系金属的上部的金属铜或铜合金，该钛系金属用蚀刻剂为至少包含(A)过氧化氢、(B)结构中具有氮原子的膦酸系螯合剂、(C)碱金属氢氧化物、以及(D)具有至少1个羟基和至少3个羧基的有机酸的水溶液。