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公开(公告)号：CN116137297B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310412298.6
申请日：2023-04-18
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/032 , H01L31/18 , H01L31/103
Abstract: 本发明公开了集成非对称F‑P腔的GaSe基日盲紫外光电探测器，是将GaSe二维薄片转移至共振波长位于日盲紫外波段的金属/介质层非对称F‑P腔上方，利用腔共振增强GaSe在日盲紫外波段的吸收，从而提高GaSe基光电探测器的响应度、日盲紫外/可见抑制比，实现高性能的日盲紫外光电探测。本发明利用窄禁带半导体材料实现日盲紫外光电探测，制备工艺简单，为日盲紫外光电探测提供了一个新的思路。
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公开(公告)号：CN111341874B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010156792.7
申请日：2020-03-09
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了基于Si微米孔/CuO垂直结构异质结的自驱动宽带光电探测器及其制备方法，是在带有绝缘层的Si基底上刻蚀形成Si微米孔阵列，再通过磁控溅射在Si孔阵列的上方沉积CuO薄膜，构建Si微米孔/CuO垂直结构异质结，然后再转移石墨烯到CuO薄膜上方作为透明顶电极、在Si基底背面刷涂底电极，即完成光电探测器的制作。本发明以高纯铜靶为靶材，利用磁控直流反应溅射，一步实现薄膜的沉积和异质结器件的制备，探测器性能优越、制备过程简单易行，与现行Si基半导体工艺具有良好的兼容性。
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公开(公告)号：CN109087849A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810884191.0
申请日：2018-08-06
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L21/02 , H01L31/0264 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯辅助的定位生长钙钛矿薄膜的方法，其是在目标基底上转移一层单层石墨烯，然后通过紫外曝光光刻技术，在石墨烯上定位需要生长钙钛矿薄膜的目标区域；再去除目标区域内的石墨烯并使目标区域亲水化，旋涂钙钛矿前驱体溶液并退火，使目标区域内生长钙钛矿薄膜；最后去除剩余石墨烯，即实现了钙钛矿薄膜的定位生长。本发明利用表面疏水的单层石墨烯，结合紫外曝光光刻技术，定位生长窗口，可以实现任意衬底上钙钛矿薄膜的定位生长，降低了对衬底的疏水性需求。
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公开(公告)号：CN107123699B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201710427948.9
申请日：2017-06-08
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于铜硫酸钾准一维纳米结构的自驱动近红外光电探测器及其制备方法，其特征在于：将由KCu7S4准一维纳米结构通过LB技术组装而成的KCu7S4单层膜转移到构建有绝缘区域的n型硅基底上，KCu7S4单层膜与硅基底接触形成Si/KCu7S4异质结，在绝缘区域上方沉积与KCu7S4单层膜形成欧姆接触的第一金属薄膜电极，在硅基底背面制备与硅形成欧姆接触的第二金属薄膜电极，即获得自驱动近红外光电探测器。本发明的自驱动近红外光电探测器制备过程简单易行，器件性能优越，且与现行半导体工艺具有良好的兼容性。
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公开(公告)号：CN108878575A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810699182.4
申请日：2018-06-29
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于硅/氟化石墨烯的双工作模式宽波段光电探测器及其制备方法，其是通过合理设计器件结构，使氟化石墨烯与平面硅形成异质结，并使器件可工作于光电导和光电二极管双模式。本发明利用宽光谱吸收材料氟化石墨烯，弥补了硅基器件对于红外和紫外响应的不足，使探测器具有更宽的光谱响应范围；且器件制备过程简单，与现有的半导体工艺有很好的兼容性，器件性能优越，两种工作模式可以实现优势互补。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108630782A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810456504.2
申请日：2018-05-14
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种宽探测波段双重等离子工作光电探测器及其制备方法，其是采用电子束及退火技术在n-型硅片的上表面制备双层金纳米颗粒，两层金纳米颗粒之间利用单层石墨烯进行分隔。本发明的双重等离子光电探测器，采用双层金纳米颗粒产生强的双重等离子体共振效应，同时在平面硅肖特基光电探测器中引入金纳米颗粒/石墨烯/金纳米颗粒混合电极，混合电极的特殊结构保证了热电子的有效传输，通过双重等离子体共振电极，拓宽探测器的光电探测波长范围，最终的有效探测波长范围为360-1330nm，其可在紫外-可见-近红外工作。
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公开(公告)号：CN106328750B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201610939990.4
申请日：2016-10-25
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L31/072 , H01L31/032 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于硫属亚铜化合物的核壳结构异质结太阳能电池及其制备方法，其特征在于：是以上表面覆有绝缘层的硅基衬底为基底，在绝缘层上分散硫属亚铜化合物准一维纳米结构，在纳米结构的一端沉积第一金属薄膜电极，形成欧姆接触；在第一金属薄膜电极上覆盖一层光刻胶阻挡层；通过液相阳离子置换，将未被光刻胶阻挡层覆盖的准一维纳米结构表面置换成铟的硫属化合物，形成核壳结构异质结；去除光刻胶，再在铟的硫属化合物上方沉积第二金属薄膜电极，形成欧姆接触，即构成太阳能电池。本发明通过液相阳离子置换实现核壳结构异质结的形成，并将异质结的形成过程与太阳能电池的制备工艺相结合，工艺兼容性好，过程简单易行。
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公开(公告)号：CN107123699A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710427948.9
申请日：2017-06-08
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于铜硫酸钾准一维纳米结构的自驱动近红外光电探测器及其制备方法，其特征在于：将由KCu7S4准一维纳米结构通过LB技术组装而成的KCu7S4单层膜转移到构建有绝缘区域的n型硅基底上，KCu7S4单层膜与硅基底接触形成Si/KCu7S4异质结，在绝缘区域上方沉积与KCu7S4单层膜形成欧姆接触的第一金属薄膜电极，在硅基底背面制备与硅形成欧姆接触的第二金属薄膜电极，即获得自驱动近红外光电探测器。本发明的自驱动近红外光电探测器制备过程简单易行，器件性能优越，且与现行半导体工艺具有良好的兼容性。
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公开(公告)号：CN103337589B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201310262103.0
申请日：2013-06-27
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于硫属亚铜化合物的准一维纳米阻变存储器与制备方法。首先将硫属亚铜化合物准一维纳米结构均匀分散在绝缘衬底上，通过一次紫外曝光光刻和电子束蒸发，在硫属亚铜化合物准一维纳米结构的一端蒸镀上金属Cu电极，然后通过二次定位紫外曝光光刻和电子束蒸发，在硫属亚铜化合物准一维纳米结构的另一端蒸镀上一种惰性金属电极。本发明首次将硫属亚铜化合物准一维纳米结构应用于纳米存储器，性能稳定可靠，功耗低，且制备方法简单易行，有望作为高密度存储单元应用于新型纳米电子器件。
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公开(公告)号：CN102593198B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201210053644.8
申请日：2012-03-02
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0256 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种II-VI族层叠集成纳米光伏器件及其制备方法，其中光伏器件的底层为重掺杂硅片(4)，所述重掺杂硅片(4)的上层为PMMA绝缘层(2)，所述PMMA绝缘层内阵列排布有至少一根的II-VI族纳米材料(3)，所述II-VI族纳米材料(3)在垂直PMMA绝缘层(2)平面的方向上穿透PMMA绝缘层(2)，所述电极(1)与至少一根所述II-VI族纳米材料(3)呈欧姆接触。本发明光伏器件制备工艺简单易行，且成本较低，器件性能优越稳定，可用于多种纳米结构硅基异质结光伏器件的制备且可用于大规模集成光伏器件的制备。
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