公开(公告)号：CN111341874B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202010156792.7

申请日：2020-03-09

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 王斌 ,  张悦 ,  曾斌 ,  赵妍 ,  李心贺 ,  吴春艳

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了基于Si微米孔/CuO垂直结构异质结的自驱动宽带光电探测器及其制备方法，是在带有绝缘层的Si基底上刻蚀形成Si微米孔阵列，再通过磁控溅射在Si孔阵列的上方沉积CuO薄膜，构建Si微米孔/CuO垂直结构异质结，然后再转移石墨烯到CuO薄膜上方作为透明顶电极、在Si基底背面刷涂底电极，即完成光电探测器的制作。本发明以高纯铜靶为靶材，利用磁控直流反应溅射，一步实现薄膜的沉积和异质结器件的制备，探测器性能优越、制备过程简单易行，与现行Si基半导体工艺具有良好的兼容性。

公开(公告)号：CN111341874A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN202010156792.7

申请日：2020-03-09

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 王斌 ,  张悦 ,  曾斌 ,  赵妍 ,  李心贺 ,  吴春艳

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了基于Si微米孔/CuO垂直结构异质结的自驱动宽带光电探测器及其制备方法，是在带有绝缘层的Si基底上刻蚀形成Si微米孔阵列，再通过磁控溅射在Si孔阵列的上方沉积CuO薄膜，构建Si微米孔/CuO垂直结构异质结，然后再转移石墨烯到CuO薄膜上方作为透明顶电极、在Si基底背面刷涂底电极，即完成光电探测器的制作。本发明以高纯铜靶为靶材，利用磁控直流反应溅射，一步实现薄膜的沉积和异质结器件的制备，探测器性能优越、制备过程简单易行，与现行Si基半导体工艺具有良好的兼容性。

公开(公告)号：CN113629080A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202110902426.6

申请日：2021-08-06

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 罗林保 ,  王俊杰 ,  曾斌 ,  王悦

IPC: H01L27/144 ,  H01L31/108 ,  H01L31/113 ,  H01L31/18 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于泄漏模式共振的小直径硅纳米线阵列的紫外光电探测器及其制备方法，是在(100)晶向的轻掺杂硅晶圆上利用金属辅助化学湿法刻蚀方法形成有小直径硅纳米线阵列，在硅纳米线阵列上铺设有石墨烯薄膜，硅纳米线阵列与石墨烯薄膜形成肖特基势垒，从而构成紫外光电探测器。与基于无机宽禁带半导体的器件相比，本发明的器件具有响应速度快、响应度高、制备简单的优势。