一种碳化硅陶瓷的放电等离子扩散连接方法

    公开(公告)号:CN110041090A

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201910432342.3

    申请日:2019-05-23

    Abstract: 本发明公开了一种碳化硅陶瓷的放电等离子扩散连接方法,其中连接层材料主要由ZrB2和SiC两相组成。复相陶瓷连接层的制备和SiC陶瓷接头的扩散连接同时完成,连接层由ZrH2、B4C及Si粉在高温下原位反应形成,原料配比按质量百分比构成为:B4C 20-25%,Si 10-15%,余量为ZrH2。连接层由ZrB2和SiC组成的复相陶瓷构成,具有与SiC陶瓷相近的热物理性能和力学性能,从而实现了良好的界面结合,避免了接头裂纹的形成,提高了接头强度。

    一种钛碳化硅基复合陶瓷材料及其制备工艺

    公开(公告)号:CN110655404A

    公开(公告)日:2020-01-07

    申请号:CN201911044709.0

    申请日:2019-10-30

    Abstract: 本发明公开了一种钛碳化硅基复合陶瓷材料及其制备工艺,是以Ti3SiC2、B4C和Si为原料,通过放电等离子烧结技术制备而成,在Ti3SiC2基体中原位反应生成晶粒细小且分布均匀的TiB2、SiC和TiC硬质增强相,在细化Ti3SiC2组织的同时,有效提高了复合陶瓷的硬度、强度及断裂韧性。本发明所得Ti3SiC2基复合陶瓷材料具有高致密度、高硬度、高抗弯强度和断裂韧性等特点,具有较高的实用价值。

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