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公开(公告)号：CN111341874A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010156792.7
申请日：2020-03-09
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了基于Si微米孔/CuO垂直结构异质结的自驱动宽带光电探测器及其制备方法，是在带有绝缘层的Si基底上刻蚀形成Si微米孔阵列，再通过磁控溅射在Si孔阵列的上方沉积CuO薄膜，构建Si微米孔/CuO垂直结构异质结，然后再转移石墨烯到CuO薄膜上方作为透明顶电极、在Si基底背面刷涂底电极，即完成光电探测器的制作。本发明以高纯铜靶为靶材，利用磁控直流反应溅射，一步实现薄膜的沉积和异质结器件的制备，探测器性能优越、制备过程简单易行，与现行Si基半导体工艺具有良好的兼容性。
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公开(公告)号：CN111354804B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202010156794.6
申请日：2020-03-09
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0352 , H01L31/028 , H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了基于Si锥/CuO异质结的自驱动光电探测器及其制备方法，是在带有绝缘层的Si基底上刻蚀形成Si锥阵列，再通过磁控溅射在Si锥阵列的上方沉积CuO薄膜，构建Si锥/CuO垂直结构异质结，然后再转移石墨烯到CuO薄膜上方作为透明顶电极、在Si基底背面刷涂底电极，即完成光电探测器的制作。本发明以高纯铜靶为靶材，利用磁控直流反应溅射，一步实现薄膜的沉积和异质结器件的制备，探测器性能优越、制备过程简单易行，与现行Si基半导体工艺具有良好的兼容性。
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公开(公告)号：CN111354804A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010156794.6
申请日：2020-03-09
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0352 , H01L31/028 , H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了基于Si锥/CuO异质结的自驱动光电探测器及其制备方法，是在带有绝缘层的Si基底上刻蚀形成Si锥阵列，再通过磁控溅射在Si锥阵列的上方沉积CuO薄膜，构建Si锥/CuO垂直结构异质结，然后再转移石墨烯到CuO薄膜上方作为透明顶电极、在Si基底背面刷涂底电极，即完成光电探测器的制作。本发明以高纯铜靶为靶材，利用磁控直流反应溅射，一步实现薄膜的沉积和异质结器件的制备，探测器性能优越、制备过程简单易行，与现行Si基半导体工艺具有良好的兼容性。
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公开(公告)号：CN111341874B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010156792.7
申请日：2020-03-09
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了基于Si微米孔/CuO垂直结构异质结的自驱动宽带光电探测器及其制备方法，是在带有绝缘层的Si基底上刻蚀形成Si微米孔阵列，再通过磁控溅射在Si孔阵列的上方沉积CuO薄膜，构建Si微米孔/CuO垂直结构异质结，然后再转移石墨烯到CuO薄膜上方作为透明顶电极、在Si基底背面刷涂底电极，即完成光电探测器的制作。本发明以高纯铜靶为靶材，利用磁控直流反应溅射，一步实现薄膜的沉积和异质结器件的制备，探测器性能优越、制备过程简单易行，与现行Si基半导体工艺具有良好的兼容性。
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