公开(公告)号：CN103337589B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201310262103.0

申请日：2013-06-27

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 吴春艳 ,  吴义良 ,  周国方 ,  王文坚 ,  毛盾 ,  于永强 ,  罗林保 ,  王莉

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于硫属亚铜化合物的准一维纳米阻变存储器与制备方法。首先将硫属亚铜化合物准一维纳米结构均匀分散在绝缘衬底上，通过一次紫外曝光光刻和电子束蒸发，在硫属亚铜化合物准一维纳米结构的一端蒸镀上金属Cu电极，然后通过二次定位紫外曝光光刻和电子束蒸发，在硫属亚铜化合物准一维纳米结构的另一端蒸镀上一种惰性金属电极。本发明首次将硫属亚铜化合物准一维纳米结构应用于纳米存储器，性能稳定可靠，功耗低，且制备方法简单易行，有望作为高密度存储单元应用于新型纳米电子器件。

公开(公告)号：CN103337589A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201310262103.0

申请日：2013-06-27

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 吴春艳 ,  吴义良 ,  周国方 ,  王文坚 ,  毛盾 ,  于永强 ,  罗林保 ,  王莉

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于硫属亚铜化合物的准一维纳米阻变存储器与制备方法。首先将硫属亚铜化合物准一维纳米结构均匀分散在绝缘衬底上，通过一次紫外曝光光刻和电子束蒸发，在硫属亚铜化合物准一维纳米结构的一端蒸镀上金属Cu电极，然后通过二次定位紫外曝光光刻和电子束蒸发，在硫属亚铜化合物准一维纳米结构的另一端蒸镀上一种惰性金属电极。本发明首次将硫属亚铜化合物准一维纳米结构应用于纳米存储器，性能稳定可靠，功耗低，且制备方法简单易行，有望作为高密度存储单元应用于新型纳米电子器件。

公开(公告)号：CN102244002B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201110197871.3

申请日：2011-07-14

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 吴春艳 ,  揭建胜 ,  王莉 ,  于永强 ,  胡治中 ,  张梓晗 ,  周国方

IPC: H01L21/329

Abstract: 本发明公开了金属/半导体纳米线交叉结构异质结的制备方法，是通过一次紫外光刻的方法在半导体纳米线上制备两对金属薄膜电极，其中一对金属薄膜电极通过所述半导体纳米线连通，与半导体纳米线呈欧姆接触；对另一对金属薄膜电极施加交流电场，金属纳米线被吸附到施加交流电场的金属薄膜电极对上，所述金属纳米线与所述半导体纳米线相交呈肖特基接触，形成金属/半导体纳米线交叉结构异质结。本发明制备方法简单易行，稳定可靠，可以应用到各种纳米尺寸的包括肖特基二极管或以金属纳米线作为栅极的金属-半导体场效应管在内的电子元件、光学元件中如纳米光电探测器、气体传感器、太阳能电池等。

公开(公告)号：CN102244002A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110197871.3

申请日：2011-07-14

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 吴春艳 ,  揭建胜 ,  王莉 ,  于永强 ,  胡治中 ,  张梓晗 ,  周国方

IPC: H01L21/329

Abstract: 本发明公开了金属/半导体纳米线交叉结构异质结的制备方法，是通过一次紫外光刻的方法在半导体纳米线上制备两对金属薄膜电极，其中一对金属薄膜电极通过所述半导体纳米线连通，与半导体纳米线呈欧姆接触；对另一对金属薄膜电极施加交流电场，金属纳米线被吸附到施加交流电场的金属薄膜电极对上，所述金属纳米线与所述半导体纳米线相交呈肖特基接触，形成金属/半导体纳米线交叉结构异质结。本发明制备方法简单易行，稳定可靠，可以应用到各种纳米尺寸的包括肖特基二极管或以金属纳米线作为栅极的金属-半导体场效应管在内的电子元件、光学元件中如纳米光电探测器、气体传感器、太阳能电池等。