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公开(公告)号：CN107017164B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201611018351.0
申请日：2016-11-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括鳍结构、第一栅极结构、第二栅极结构、源极/漏极区、源极/漏极接触、分隔物和接触源极/漏极接触的介层孔插塞和接触介层孔插塞的导线。鳍结构突出于隔绝绝缘层且以第一方向延伸。第一栅极结构和第二栅极结构，形成于鳍结构上方且以交叉于第一方向的第二方向延伸。源/漏极区设置于第一栅极结构和第二栅极结构之间。层间绝缘层设置于鳍结构、第一栅极结构、第二栅极结构和源/漏极区上方。源极/漏极接触层，设置于源/漏极区上。分隔物设置相邻于源极/漏极接触。第一栅极结构的末端、第二栅极结构的末端和源极/漏极接触的末端接触分隔物的相同面。
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公开(公告)号：CN108962735A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710905773.8
申请日：2017-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本发明描述在栅极堆叠件中形成间隔件层以缓解时间依赖性介电击穿(TDDB)故障的示例性置换栅极工艺。例如，方法可以包括形成具有第一凹槽的部分制造的栅极结构。将间隔件层沉积至第一凹槽内并且用各向异性回蚀刻(EB)工艺蚀刻间隔件层以形成具有比第一凹槽更小孔径的第二凹槽。将金属填充层沉积至第二凹槽内。本发明的实施例还涉及时间依赖性介电击穿的缓解。
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公开(公告)号：CN107039348B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201611042602.9
申请日：2016-11-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：鳍结构、第一和第二栅极结构、源极/漏极区、源极/漏极接触层和分离层。鳍结构从在衬底上方设置的隔离绝缘层突出且在第一方向上延伸。第一和第二栅极结构形成在鳍结构上方且在与第一方向相交的第二方向上延伸。源极/漏极区设置在第一栅极结构和第二栅极结构之间。在鳍结构、第一和第二栅极结构和第一源极/漏极区上方设置层间绝缘层。在第一源极/漏极区上设置第一源极/漏极接触层。邻近第一源极/漏极接触层设置分离层。第一栅极结构和第二栅极结构的端部以及第一源极/漏极接触层的端部与分离层的同一面接触。本发明的实施例还提供了一种制造半导体器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107017164A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201611018351.0
申请日：2016-11-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括鳍结构、第一栅极结构、第二栅极结构、源极/漏极区、源极/漏极接触、分隔物和接触源极/漏极接触的介层孔插塞和接触介层孔插塞的导线。鳍结构突出于隔绝绝缘层且以第一方向延伸。第一栅极结构和第二栅极结构，形成于鳍结构上方且以交叉于第一方向的第二方向延伸。源/漏极区设置于第一栅极结构和第二栅极结构之间。层间绝缘层设置于鳍结构、第一栅极结构、第二栅极结构和源/漏极区上方。源极/漏极接触层，设置于源/漏极区上。分隔物设置相邻于源极/漏极接触。第一栅极结构的末端、第二栅极结构的末端和源极/漏极接触的末端接触分隔物的相同面。
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公开(公告)号：CN109427669A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201711257771.9
申请日：2017-12-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/336
Abstract: 一种方法包括提供具有隔离结构、邻近隔离结构且高于隔离结构的鳍以及位于鳍和隔离结构上方的栅极结构的器件结构。隔离结构、鳍和栅极结构限定位于鳍上方的第一沟槽和位于隔离结构上方的第二沟槽。该方法进一步包括在栅极结构、鳍和隔离结构上方形成第一接触蚀刻停止层(CESL)；在第一CESL上方沉积第一层间介电(ILD)层并填充第一沟槽和第二沟槽；以及凹进第一ILD层，从而使得去除第一沟槽中的第一ILD层，并且将第二沟槽中的第一ILD层凹进至与鳍的顶面大致齐平的水平处。本发明实施例涉及减少半导体制造中接触件深度变化的方法。
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公开(公告)号：CN107039348A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611042602.9
申请日：2016-11-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：鳍结构、第一和第二栅极结构、源极/漏极区、源极/漏极接触层和分离层。鳍结构从在衬底上方设置的隔离绝缘层突出且在第一方向上延伸。第一和第二栅极结构形成在鳍结构上方且在与第一方向相交的第二方向上延伸。源极/漏极区设置在第一栅极结构和第二栅极结构之间。在鳍结构、第一和第二栅极结构和第一源极/漏极区上方设置层间绝缘层。在第一源极/漏极区上设置第一源极/漏极接触层。邻近第一源极/漏极接触层设置分离层。第一栅极结构和第二栅极结构的端部以及第一源极/漏极接触层的端部与分离层的同一面接触。本发明的实施例还提供了一种制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN108962735B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201710905773.8
申请日：2017-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本发明描述在栅极堆叠件中形成间隔件层以缓解时间依赖性介电击穿(TDDB)故障的示例性置换栅极工艺。例如，方法可以包括形成具有第一凹槽的部分制造的栅极结构。将间隔件层沉积至第一凹槽内并且用各向异性回蚀刻(EB)工艺蚀刻间隔件层以形成具有比第一凹槽更小孔径的第二凹槽。将金属填充层沉积至第二凹槽内。本发明的实施例还涉及时间依赖性介电击穿的缓解。
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公开(公告)号：CN109427669B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201711257771.9
申请日：2017-12-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/336
Abstract: 一种方法包括提供具有隔离结构、邻近隔离结构且高于隔离结构的鳍以及位于鳍和隔离结构上方的栅极结构的器件结构。隔离结构、鳍和栅极结构限定位于鳍上方的第一沟槽和位于隔离结构上方的第二沟槽。该方法进一步包括在栅极结构、鳍和隔离结构上方形成第一接触蚀刻停止层(CESL)；在第一CESL上方沉积第一层间介电(ILD)层并填充第一沟槽和第二沟槽；以及凹进第一ILD层，从而使得去除第一沟槽中的第一ILD层，并且将第二沟槽中的第一ILD层凹进至与鳍的顶面大致齐平的水平处。本发明实施例涉及减少半导体制造中接触件深度变化的方法。
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