公开(公告)号：CN110957225B

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN201910917224.1

申请日：2019-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马汀·克里斯多福·荷兰 ,  马库斯·琼斯·亨利库斯·范达尔

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体元件及其制造方法。半导体元件制造方法包含：形成一栅极结构于一鳍状结构上。凹陷化一源极/漏极区于该鳍状结构。形成一第一半导体层于该凹陷化源极/漏极区。形成一第二半导体层于该第一半导体层上。该鳍状结构是由SixGe1‑x制成，其中0≤x≤0.3，该第一半导体层是由SiyGe1‑y制成，其中0.45≤y≤1.0，以及该第二半导体层是由SizGe1‑z形成，其中0≤z≤0.3。

公开(公告)号：CN113555314A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202110363844.2

申请日：2021-04-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马库斯·琼斯·亨利库斯·范达尔 ,  荷尔本·朵尔伯斯

IPC: H01L21/768 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092

Abstract: 本揭示内容是关于一种包括半导体装置、集成晶片与其形成方法。半导体装置包括上伏于第一基板的正面的栅极结构。第一基板具有与正面相对的背面。第一源极/漏极结构上伏于第一基板并且在横向上与栅极结构相邻。电力轨嵌入在第一基板中，并直接位于第一源极/漏极结构下方。第一源极/漏极触点自第一源极/漏极结构连续地延伸至电力轨。第一源极/漏极触点将第一源极/漏极结构电耦合至电力轨。

公开(公告)号：CN111129019A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911029260.0

申请日：2019-10-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 麦特西亚斯·帕斯拉克 ,  布莱戴恩·杜瑞兹 ,  乔治·凡利亚尼提斯 ,  荷尔本·朵尔伯斯 ,  马库斯·琼斯·亨利库斯·范达尔 ,  马汀·克里斯多福·荷兰 ,  马礼修

IPC: H01L27/11517 ,  H01L27/11568

Abstract: 一种半导体装置，包括介电层、在介电层上方的晶体氧化镁层、在晶体氧化镁层上方的晶体半导体通道层、至少部分重叠晶体半导体层的栅极结构以及与晶体半导体通道层相邻的源极/漏极区域。

公开(公告)号：CN110957225A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910917224.1

申请日：2019-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马汀·克里斯多福·荷兰 ,  马库斯·琼斯·亨利库斯·范达尔

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体元件及其制造方法。半导体元件制造方法包含：形成一栅极结构于一鳍状结构上。凹陷化一源极/漏极区于该鳍状结构。形成一第一半导体层于该凹陷化源极/漏极区。形成一第二半导体层于该第一半导体层上。该鳍状结构是由SixGe1-x制成，其中0≤x≤0.3，该第一半导体层是由SiyGe1-y制成，其中0.45≤y≤1.0，以及该第二半导体层是由SizGe1-z形成，其中0≤z≤0.3。

公开(公告)号：CN112582271A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202011061568.6

申请日：2020-09-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 布莱戴恩·杜瑞兹 ,  马库斯·琼斯·亨利库斯·范达尔 ,  马丁·克里斯多福·霍兰德 ,  荷尔本·朵尔伯斯 ,  乔治·凡利亚尼提斯

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

Abstract: 一种形成半导体元件的方法，包含形成延伸穿过至少一个介电层的源极/漏极接触开口，以暴露出源极/漏极结构的源极/漏极接触区域。此方法还包含在源极/漏极接触开口中形成导电插塞。此方法还包含在导电插塞和至少一个介电层上方沉积光阻挡层。此方法还包含蚀刻光阻挡层以暴露导电插塞。此方法还包含将激光辐射引导至导电插塞和光阻挡层。激光辐射用以活化源极/漏极接触区域中的掺杂剂。

公开(公告)号：CN112582269A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202010229235.3

申请日：2020-03-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 布莱戴恩·杜瑞兹 ,  马库斯·琼斯·亨利库斯·范达尔 ,  马丁·克里斯多福·霍兰德 ,  荷尔本·朵尔伯斯 ,  乔治·凡利亚尼提斯

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08

Abstract: 一种制造半导体元件的方法，包含形成源/漏极接触开口延伸穿越至少一介电层，以曝露源/漏极结构的源/漏极接触区域。沿着源/漏极接触开口的侧壁和底表面和介电层上方沉积光阻挡层。执行激光退火制程以活化源/漏极接触区域内的掺杂物。在源/漏极接触开口内形成源/漏极接触结构。

公开(公告)号：CN112447827A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010809097.6

申请日：2020-08-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马丁·克里斯多福·霍兰德 ,  布莱戴恩·杜瑞兹 ,  马库斯·琼斯·亨利库斯·范达尔 ,  奥野泰利

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体元件及其制造方法，在一个实施例中，一种器件包括：具有通道区的半导体基板；通道区上方的栅堆叠；以及与栅堆叠相邻的磊晶源极/漏极区，该磊晶源极/漏极区包括：半导体基板中的主要部分，主要部分包括掺有镓的半导体材料，主要部分中的镓的第一浓度小于半导体材料中镓的固体溶解度；在主体部分上的终端部分，终端部分掺有镓，终端部分中镓的第二浓度大于半导体材料中镓的固体溶解度。