公开(公告)号：CN112750693A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202010699374.2

申请日：2020-07-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马丁·克里斯多福·霍兰德

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16

Abstract: 提供一种形成半导体结构的方法。方法包括在基板之上的模板层中蚀刻沟槽，在沟槽的底表面之上形成种晶结构，在种晶结构之上形成介电帽，以及使用蒸汽液体固态磊晶生长制程在沟槽内生长单晶半导体结构。单晶半导体结构是自种晶结构与沟槽的底表面之间的液体‑固体界面生长。

公开(公告)号：CN115084009A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210515168.0

申请日：2022-05-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马丁·克里斯多福·霍兰德

IPC: H01L21/768

Abstract: 本公开涉及半导体装置的形成方法。金属氮化物扩散阻障层可被包含在钴基结构及钌基结构之间，以减少、最小化及/或防止钴与钌的混合。金属氮化物扩散阻障层可包括氮化钴(CoNx)、氮化钌(RuNx)、或具有键离解能大于钴对钴的键离解能(Co‑Co)的另一种金属氮化物，且可因此作为钴迁移及扩散到钌中的强阻障。此外，相较于例如氮化钛(TiN)、氮化钨(WN)及氮化钽(TaN)的其他材料，氮化钴及氮化钌具有较低的电阻率。因此，金属氮化物扩散阻障层能够最小化钴扩散及混入钌基的内连线结构，且保持内连线结构的低接触电阻。这可提高半导体装置性能、可提高半导体装置产率、并且可进一步减小内连线结构尺寸。

公开(公告)号：CN112582271A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202011061568.6

申请日：2020-09-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 布莱戴恩·杜瑞兹 ,  马库斯·琼斯·亨利库斯·范达尔 ,  马丁·克里斯多福·霍兰德 ,  荷尔本·朵尔伯斯 ,  乔治·凡利亚尼提斯

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

Abstract: 一种形成半导体元件的方法，包含形成延伸穿过至少一个介电层的源极/漏极接触开口，以暴露出源极/漏极结构的源极/漏极接触区域。此方法还包含在源极/漏极接触开口中形成导电插塞。此方法还包含在导电插塞和至少一个介电层上方沉积光阻挡层。此方法还包含蚀刻光阻挡层以暴露导电插塞。此方法还包含将激光辐射引导至导电插塞和光阻挡层。激光辐射用以活化源极/漏极接触区域中的掺杂剂。

公开(公告)号：CN112582269A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202010229235.3

申请日：2020-03-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 布莱戴恩·杜瑞兹 ,  马库斯·琼斯·亨利库斯·范达尔 ,  马丁·克里斯多福·霍兰德 ,  荷尔本·朵尔伯斯 ,  乔治·凡利亚尼提斯

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08

Abstract: 一种制造半导体元件的方法，包含形成源/漏极接触开口延伸穿越至少一介电层，以曝露源/漏极结构的源/漏极接触区域。沿着源/漏极接触开口的侧壁和底表面和介电层上方沉积光阻挡层。执行激光退火制程以活化源/漏极接触区域内的掺杂物。在源/漏极接触开口内形成源/漏极接触结构。

公开(公告)号：CN112447827A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010809097.6

申请日：2020-08-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马丁·克里斯多福·霍兰德 ,  布莱戴恩·杜瑞兹 ,  马库斯·琼斯·亨利库斯·范达尔 ,  奥野泰利

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体元件及其制造方法，在一个实施例中，一种器件包括：具有通道区的半导体基板；通道区上方的栅堆叠；以及与栅堆叠相邻的磊晶源极/漏极区，该磊晶源极/漏极区包括：半导体基板中的主要部分，主要部分包括掺有镓的半导体材料，主要部分中的镓的第一浓度小于半导体材料中镓的固体溶解度；在主体部分上的终端部分，终端部分掺有镓，终端部分中镓的第二浓度大于半导体材料中镓的固体溶解度。