公开(公告)号：CN110783330A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910142458.3

申请日：2019-02-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 乔治·凡利亚尼提斯

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 半导体装置包括基板、多个纳米线和栅极堆叠。纳米线位于基板上方。每个纳米线包括通道区域，通道区域具有顶表面和底表面以及在顶表面和底表面之间的第一侧壁，其中通道区域的第一侧壁具有(111)晶体方向。栅极堆叠位于纳米线的通道区域上方。

公开(公告)号：CN111129019A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911029260.0

申请日：2019-10-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 麦特西亚斯·帕斯拉克 ,  布莱戴恩·杜瑞兹 ,  乔治·凡利亚尼提斯 ,  荷尔本·朵尔伯斯 ,  马库斯·琼斯·亨利库斯·范达尔 ,  马汀·克里斯多福·荷兰 ,  马礼修

IPC: H01L27/11517 ,  H01L27/11568

Abstract: 一种半导体装置，包括介电层、在介电层上方的晶体氧化镁层、在晶体氧化镁层上方的晶体半导体通道层、至少部分重叠晶体半导体层的栅极结构以及与晶体半导体通道层相邻的源极/漏极区域。

公开(公告)号：CN109860051A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201810924716.9

申请日：2018-08-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 乔治·凡利亚尼提斯

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78

Abstract: 一种制造半导体装置的方法，其包括在半导体基板上形成隔离区域。在隔离区域内，形成在 晶向的沟槽。在沟槽内成长磊晶层。将磊晶层图案化以形成半导体鳍片，其方向沿着 晶向，而 不等于 。

公开(公告)号：CN110957273B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN201910904928.5

申请日：2019-09-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 乔治·凡利亚尼提斯

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 一种制造半导体装置的方法及全绕栅极场效晶体管。制造半导体装置的方法包含：形成单晶氧化层于基材上。在形成单晶氧化层后，形成隔离结构，以定义出主动区域。形成栅极结构于主动区域内的单晶氧化层上。形成源极/漏极结构。

公开(公告)号：CN110957273A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910904928.5

申请日：2019-09-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 乔治·凡利亚尼提斯

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 一种制造半导体装置的方法及全绕栅极场效晶体管。制造半导体装置的方法包含：形成单晶氧化层于基材上。在形成单晶氧化层后，形成隔离结构，以定义出主动区域。形成栅极结构于主动区域内的单晶氧化层上。形成源极/漏极结构。

公开(公告)号：CN110838523A

公开(公告)日：2020-02-25

申请号：CN201910243960.3

申请日：2019-03-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马汀·克里斯多福·荷兰 ,  乔治·凡利亚尼提斯

IPC: H01L29/775 ,  B82Y10/00

Abstract: 本揭露是提供半导体结构及其形成方法，此半导体结构包含锗，且具有位于表面上的氮化锗层。所述结构包含纳米线和鳍片。本揭露的方法包含使用锗前驱物的有机金属化学气相沉积法。所述方法亦包含使用联氨蒸气。

公开(公告)号：CN112582271A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202011061568.6

申请日：2020-09-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 布莱戴恩·杜瑞兹 ,  马库斯·琼斯·亨利库斯·范达尔 ,  马丁·克里斯多福·霍兰德 ,  荷尔本·朵尔伯斯 ,  乔治·凡利亚尼提斯

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

Abstract: 一种形成半导体元件的方法，包含形成延伸穿过至少一个介电层的源极/漏极接触开口，以暴露出源极/漏极结构的源极/漏极接触区域。此方法还包含在源极/漏极接触开口中形成导电插塞。此方法还包含在导电插塞和至少一个介电层上方沉积光阻挡层。此方法还包含蚀刻光阻挡层以暴露导电插塞。此方法还包含将激光辐射引导至导电插塞和光阻挡层。激光辐射用以活化源极/漏极接触区域中的掺杂剂。

公开(公告)号：CN112582269A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202010229235.3

申请日：2020-03-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 布莱戴恩·杜瑞兹 ,  马库斯·琼斯·亨利库斯·范达尔 ,  马丁·克里斯多福·霍兰德 ,  荷尔本·朵尔伯斯 ,  乔治·凡利亚尼提斯

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08

Abstract: 一种制造半导体元件的方法，包含形成源/漏极接触开口延伸穿越至少一介电层，以曝露源/漏极结构的源/漏极接触区域。沿着源/漏极接触开口的侧壁和底表面和介电层上方沉积光阻挡层。执行激光退火制程以活化源/漏极接触区域内的掺杂物。在源/漏极接触开口内形成源/漏极接触结构。