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公开(公告)号：CN103779243A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310035403.5
申请日：2013-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: H01L24/13 , H01L23/3128 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L2224/0346 , H01L2224/03462 , H01L2224/0361 , H01L2224/03622 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05011 , H01L2224/05017 , H01L2224/05568 , H01L2224/05572 , H01L2224/05582 , H01L2224/05583 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/1147 , H01L2224/11622 , H01L2224/13007 , H01L2224/13023 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13562 , H01L2224/13611 , H01L2224/13647 , H01L2224/13655 , H01L2224/13687 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81805 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/01007 , H01L2924/01074 , H01L2924/01023 , H01L2924/01014 , H01L2224/05552
Abstract: 本文公开了半导体器件、其制造方法以及封装后的半导体器件。在一个实施例中，一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上方形成多个接触焊盘，以及在多个接触焊盘和衬底的上方形成绝缘材料。图案化绝缘材料以在多个接触焊盘中的每一个接触焊盘的上方形成开口，并且清洁多个接触焊盘。该方法包括在多个接触焊盘上方以及在部分绝缘材料上方形成球下金属化(UBM)结构。清洁多个接触焊盘使多个接触焊盘中的每一个接触焊盘的顶面凹陷。
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公开(公告)号：CN111223830B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN201910923175.2
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/66 , H01Q1/22
Abstract: 一种封装结构包括半导体管芯、绝缘封装体、第一重布线层、第二重布线层、天线元件及第一绝缘膜。绝缘封装体包封所述至少一个半导体管芯，绝缘封装体具有第一表面及与第一表面相对的第二表面。第一重布线层设置在绝缘封装体的第一表面上。第二重布线层设置在绝缘封装体的第二表面上。天线元件位于第二重布线层之上。第一绝缘膜设置在第二重布线层与天线元件之间，其中第一绝缘膜包括富含树脂区及富含填料区，富含树脂区位于富含填料区与第二重布线层之间且将富含填料区与第二重布线层隔开。
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公开(公告)号：CN102403243B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201110070913.7
申请日：2011-03-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/67028 , H01L23/3114 , H01L23/3157 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0345 , H01L2224/0361 , H01L2224/03831 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05027 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/1146 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11622 , H01L2224/1308 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明公开一种减少金属凸块结构下金属层底切现象的方法，于附有基板的晶片上形成下金属层，该下金属层包括一叠于基板之上的阻挡层与一叠于阻挡层之上的籽晶层。接着将金属凸块直接生长于下金属层的第一部分之上；其中，下金属层的第二部分未被金属凸块覆盖，且该下金属层的第二部分包含籽晶层部分及阻挡层部分；随之进行第一次蚀刻以移除籽晶层部分，再对晶片进行第一次清洗。进行第二次蚀刻以移除阻挡层部分，再对晶片进行第二次清洗。从第一次蚀刻到第一次清洗的第一转换时间与从第二次蚀刻到第二次清洗的第二转换时间，至少一个转换时间约在一秒之内。因底切造成结构剥落的情形得以减少，金属凸块与再配置线工艺的可靠度也大幅提升。
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公开(公告)号：CN114823464A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210115968.3
申请日：2022-02-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明实施例是有关于一种叠层吸盘、叠层工艺及半导体封装体的制造方法。一种用于膜材料的叠层的叠层吸盘包括支撑层和顶层。顶层设置在支撑层上。顶层包括聚合物材料，聚合物材料的肖氏硬度A低于支撑层的材料的肖氏硬度A。顶层和支撑层具有贯穿其中的至少一个真空沟道，至少一个真空沟道从顶层的顶表面垂直延伸到支撑层的底表面。
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公开(公告)号：CN109801849A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811131295.0
申请日：2018-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种方法包括将器件密封在密封材料中，平坦化密封材料和器件，以及在密封材料和器件上方形成导电部件。导电部件的形成包括沉积第一导电材料以形成第一晶种层，在第一晶种层上方沉积与第一导电材料不同的第二导电材料以形成第二晶种层，在第二晶种层上方镀金属区，对第二晶种层实施第一蚀刻，并且对第一晶种层实施第二蚀刻，并且在蚀刻第一晶种层之后，对第二晶种层和金属区实施第三蚀刻。本发明的实施例还涉及封装件及其形成方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106252279A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610010220.1
申请日：2016-01-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 亚历山大·卡尔尼茨基 , 雷弋昜 , 王玺清 , 郭震宇 , 黄宗隆 , 谢静华 , 刘重希 , 余振华 , 古进誉 , 廖德堆 , 刘国洲 , 吴凯第 , 张国彬 , 杨胜斌 , 黄以撒
IPC: H01L21/78
Abstract: 本发明的实施例提供了一种制造半导体结构的方法，包括：接收第一衬底，第一衬底包括第一表面、与第一表面相对的第二表面以及设置在第一表面上方的多个导电凸块；接收第二衬底；在第一衬底或第二衬底上方设置粘合剂；在第一环境中加热粘合剂；通过在第一衬底或第二衬底上施加小于约10,000N的力以及在第二环境中加热粘合剂来将第一衬底与第二衬底接合；以及从第二表面减薄第一衬底的厚度。
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公开(公告)号：CN102403243A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110070913.7
申请日：2011-03-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/67028 , H01L23/3114 , H01L23/3157 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0345 , H01L2224/0361 , H01L2224/03831 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05027 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/1146 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11622 , H01L2224/1308 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明公开一种减少金属凸块结构下金属层底切现象的方法，于附有基板的晶片上形成下金属层，该下金属层包括一叠于基板之上的阻挡层与一叠于阻挡层之上的籽晶层。接着将金属凸块直接生长于下金属层的第一部分之上；其中，下金属层的第二部分未被金属凸块覆盖，且该下金属层的第二部分包含籽晶层部分及阻挡层部分；随之进行第一次蚀刻以移除籽晶层部分，再对晶片进行第一次清洗。进行第二次蚀刻以移除阻挡层部分，再对晶片进行第二次清洗。从第一次蚀刻到第一次清洗的第一转换时间与从第二次蚀刻到第二次清洗的第二转换时间，至少一个转换时间约在一秒之内。因底切造成结构剥落的情形得以减少，金属凸块与再配置线工艺的可靠度也大幅提升。
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公开(公告)号：CN109801849B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201811131295.0
申请日：2018-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种方法包括将器件密封在密封材料中，平坦化密封材料和器件，以及在密封材料和器件上方形成导电部件。导电部件的形成包括沉积第一导电材料以形成第一晶种层，在第一晶种层上方沉积与第一导电材料不同的第二导电材料以形成第二晶种层，在第二晶种层上方镀金属区，对第二晶种层实施第一蚀刻，并且对第一晶种层实施第二蚀刻，并且在蚀刻第一晶种层之后，对第二晶种层和金属区实施第三蚀刻。本发明的实施例还涉及封装件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN106252279B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201610010220.1
申请日：2016-01-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 亚历山大·卡尔尼茨基 , 雷弋昜 , 王玺清 , 郭震宇 , 黄宗隆 , 谢静华 , 刘重希 , 余振华 , 古进誉 , 廖德堆 , 刘国洲 , 吴凯第 , 张国彬 , 杨胜斌 , 黄以撒
IPC: H01L21/78
Abstract: 本发明的实施例提供了一种制造半导体结构的方法，包括：接收第一衬底，第一衬底包括第一表面、与第一表面相对的第二表面以及设置在第一表面上方的多个导电凸块；接收第二衬底；在第一衬底或第二衬底上方设置粘合剂；在第一环境中加热粘合剂；通过在第一衬底或第二衬底上施加小于约10,000N的力以及在第二环境中加热粘合剂来将第一衬底与第二衬底接合；以及从第二表面减薄第一衬底的厚度。
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公开(公告)号：CN111223830A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201910923175.2
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/66 , H01Q1/22
Abstract: 一种封装结构包括半导体管芯、绝缘封装体、第一重布线层、第二重布线层、天线元件及第一绝缘膜。绝缘封装体包封所述至少一个半导体管芯，绝缘封装体具有第一表面及与第一表面相对的第二表面。第一重布线层设置在绝缘封装体的第一表面上。第二重布线层设置在绝缘封装体的第二表面上。天线元件位于第二重布线层之上。第一绝缘膜设置在第二重布线层与天线元件之间，其中第一绝缘膜包括富含树脂区及富含填料区，富含树脂区位于富含填料区与第二重布线层之间且将富含填料区与第二重布线层隔开。
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