公开(公告)号：CN109306472A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201810745140.X

申请日：2018-07-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈治棻 ,  刘宗颖 ,  房业勳 ,  黄邦育 ,  彭垂亚

IPC: C23C16/52 ,  H01L21/02

Abstract: 在化学气相沉积中校准温度的方法中，提供半导体基板。在半导体基板中定义至少一第一沟槽。此至少一第一沟槽具有第一深度(d1)。在设定一处理温度(T)下，使用至少一前驱物将涂布层沉积于半导体基板上。此涂布层定义出具有第二深度(d2)的至少一第二沟槽，且此至少一第二沟槽位于上述至少一第一沟槽上。决定第二深度(d2)相对于第一深度(d1)的深度参数(t)。然后，根据一预定标准参考曲线决定一处理温度(T)，其中此预定标准参考曲线包含在第一范围内的多个参考深度参数与在第二范围内的多个参考处理温度的函数关系。

公开(公告)号：CN105931982B

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201510785674.1

申请日：2015-11-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 颜君旭 ,  黄邦育 ,  彭垂亚 ,  陈静雯

IPC: H01L21/762

Abstract: 一种用于制造浅沟槽隔离的方法包括：在衬底中形成沟槽；形成填充沟槽的间隙的底部浅沟槽隔离电介质；以及在底部浅沟槽隔离电介质上形成顶部浅沟槽隔离电介质。底部浅沟槽隔离电介质具有凹形中心部分，并且通过使用低沉积与溅射比率的高密度等离子体化学汽相沉积工艺在底部浅沟槽隔离电介质上沉积顶部浅沟槽隔离电介质。也公开了具有浅沟槽隔离的半导体结构。本发明实施例涉及制造浅沟槽隔离的方法以及使用浅沟槽隔离的半导体结构。

公开(公告)号：CN105931982A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201510785674.1

申请日：2015-11-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 颜君旭 ,  黄邦育 ,  彭垂亚 ,  陈静雯

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76224 ,  C23C16/045 ,  C23C16/505 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/76229 ,  H01L29/0649

Abstract: 一种用于制造浅沟槽隔离的方法包括：在衬底中形成沟槽；形成填充沟槽的间隙的底部浅沟槽隔离电介质；以及在底部浅沟槽隔离电介质上形成顶部浅沟槽隔离电介质。底部浅沟槽隔离电介质具有凹形中心部分，并且通过使用低沉积与溅射比率的高密度等离子体化学汽相沉积工艺在底部浅沟槽隔离电介质上沉积顶部浅沟槽隔离电介质。也公开了具有浅沟槽隔离的半导体结构。本发明实施例涉及制造浅沟槽隔离的方法以及使用浅沟槽隔离的半导体结构。