公开(公告)号：CN119517867A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411532094.7

申请日：2024-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政明 ,  石哲齐 ,  温伟源 ,  廖思雅 ,  伊莎·达泰 ,  山姆·瓦泽里 ,  陈柏羽 ,  吴政鸿 ,  张简维平 ,  鲍新宇

IPC: H01L23/38 ,  H10D89/60 ,  H01L21/71

Abstract: 热电冷却器(TEC)定位为将热量从半导体芯片上的热点移动出去并且朝着介电衬底移动。这种热管理方法当与掩埋轨和背侧电源输送结合使用时特别有效。TEC可以位于IC封装件的两个器件层之间的包含焊料连接的层中。可选地，TEC可以位于半导体衬底上方的金属互连结构中，诸如位于金属互连结构的顶部处的钝化堆叠件中。这些位置中的任一个处的TEC可以通过晶圆层级处理来形成。本申请的实施例还涉及半导体装置、集成电路器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN104051498B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201310261068.0

申请日：2013-06-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈柏羽 ,  黄婉华 ,  吴国铭

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种具有阶梯氧化物的金属氧化物半导体场效应晶体管以及形成超高压UHV器件的方法，其将组合阶梯氧化物用作栅极氧化物以实现栅极和源极侧间隔件与漏极区的隔离。阶梯氧化物的厚度提高了器件击穿电压，并且使漏极自对准于栅极，从而减小器件漂移区并提高器件导通电阻。组合隔离层包括通过包括热氧化和化学汽相沉积的一系列沉积和蚀刻步骤形成的两个或两个以上的介电层。然后，可以蚀刻组合隔离层以形成自对准结构，其将间隔件用作硬掩模以相对于一些现有方法实现器件间距的减小。位于一个或两个间隔件下方的较厚栅极氧化物可以提高UHV器件的产量和高温工作寿命(HTOL)。

公开(公告)号：CN103311272B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201210202711.8

申请日：2012-06-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈柏羽

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/762 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7809 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/76283 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66704 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7812 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/78642

Abstract: 本发明公开的一种横向沟槽MOSFET包括在绝缘体上硅衬底上方形成的介电隔离沟槽。横向沟槽MOSFET还包括在漏极/源极区和绝缘体之间形成的第一漂移区，以及在介电隔离沟槽与绝缘体之间形成的第二漂移区。介电沟槽和绝缘体有助于完全耗尽漂移区。被耗尽的区域可提高横向沟槽MOSFET的击穿电压和导通电阻。本发明还公开了具有介电隔离沟槽的横向MOSFET。

公开(公告)号：CN103258846B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201210198959.1

申请日：2012-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈柏羽

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0653 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66704 ,  H01L29/7825

Abstract: 双栅极横向MOSFET包括：衬底上方的漂移区、在漂移区中形成的隔离区和在漂移区中形成的沟道区。双栅极横向MOSFET包括：在漂移区中形成的漏极区和在沟道区中形成的源极区，其中，源极区和漏极区形成在隔离区的相对两侧。双栅极横向MOSFET进一步包括邻近源极区形成的第一栅极和第二栅极，其中，第一栅极和第二栅极堆叠在一起并且通过介电层隔离。

公开(公告)号：CN103996680A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201310201434.3

申请日：2013-05-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈柏羽 ,  黄婉华 ,  陈晶盈 ,  吴国铭

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681

Abstract: 本发明提供了一种高电压晶体管结构及其方法。其中，一种高电压晶体管结构包括形成在衬底的第一阱中的第一双扩散区和第二双扩散区，其中第一双扩散区和第二双扩散区具有与衬底相同的导电性，形成在第一双扩散区中的第一漏极/源极区，形成在第一阱上方的第一栅电极，和形成在第二双扩散区中的第二漏极/源极区。高电压晶体管结构进一步包括形成在第一栅电极的第一侧上的第一间隔件，其中第一间隔件位于第一漏极/源极区和第一栅电极之间，形成在第一栅电极的第二侧上的第二间隔件，以及形成在第二漏极/源极区和第二间隔件之间的第一氧化物保护层。

公开(公告)号：CN103258846A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201210198959.1

申请日：2012-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈柏羽

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0653 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66704 ,  H01L29/7825

Abstract: 双栅极横向MOSFET包括：衬底上方的漂移区、在漂移区中形成的隔离区和在漂移区中形成的沟道区。双栅极横向MOSFET包括：在漂移区中形成的漏极区和在沟道区中形成的源极区，其中，源极区和漏极区形成在隔离区的相对两侧。双栅极横向MOSFET进一步包括邻近源极区形成的第一栅极和第二栅极，其中，第一栅极和第二栅极堆叠在一起并且通过介电层隔离。

公开(公告)号：CN117219595A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202310585950.4

申请日：2023-05-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈柏羽 ,  陈郁翔 ,  吴政鸿 ,  张简维平 ,  陈明发

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50

Abstract: 本揭露揭示一种半导体封装及其制造方法。半导体封装包括封装基板。半导体封装包括半导体晶粒，半导体晶粒具有附接至封装基板的第一表面及第二表面。半导体封装包括附接至半导体晶粒的第二表面的散热器。半导体封装包括介于散热器与半导体晶粒之间的散热层。散热层包括一或多个高k介电材料，因而具有相对高的导热性，允许产生的大量热量经侧向扩散。

公开(公告)号：CN103996680B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310201434.3

申请日：2013-05-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈柏羽 ,  黄婉华 ,  陈晶盈 ,  吴国铭

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681

Abstract: 本发明提供了一种高电压晶体管结构及其方法。其中，一种高电压晶体管结构包括形成在衬底的第一阱中的第一双扩散区和第二双扩散区，其中第一双扩散区和第二双扩散区具有与衬底相同的导电性，形成在第一双扩散区中的第一漏极/源极区，形成在第一阱上方的第一栅电极，和形成在第二双扩散区中的第二漏极/源极区。高电压晶体管结构进一步包括形成在第一栅电极的第一侧上的第一间隔件，其中第一间隔件位于第一漏极/源极区和第一栅电极之间，形成在第一栅电极的第二侧上的第二间隔件，以及形成在第二漏极/源极区和第二间隔件之间的第一氧化物保护层。

公开(公告)号：CN103390648B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201210298136.6

申请日：2012-08-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈柏羽 ,  黄婉华 ,  陈晶盈 ,  吴国铭

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823425 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823475 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明公开了一种半导体结构，包括设置在衬底上的栅极结构。至少一个轻掺杂区与位于衬底中的栅极结构邻接。至少一个轻掺杂区具有第一导电类型。源极部件和漏极部件位于在衬底中的栅极结构的相对侧上。源极部件和漏极部件具有第一导电类型。源极部件位于至少一个轻掺杂区中。降压拾取区与至少一个轻掺杂区中的源极部件邻接。降压拾取区具有第二导电类型。本发明还公开了半导体结构的形成方法。

公开(公告)号：CN103390648A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201210298136.6

申请日：2012-08-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈柏羽 ,  黄婉华 ,  陈晶盈 ,  吴国铭

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823425 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823475 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明公开了一种半导体结构，包括设置在衬底上的栅极结构。至少一个轻掺杂区与位于衬底中的栅极结构邻接。至少一个轻掺杂区具有第一导电类型。源极部件和漏极部件位于在衬底中的栅极结构的相对侧上。源极部件和漏极部件具有第一导电类型。源极部件位于至少一个轻掺杂区中。降压拾取区与至少一个轻掺杂区中的源极部件邻接。降压拾取区具有第二导电类型。本发明还公开了半导体结构的形成方法。