公开(公告)号：CN119542142A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411568781.4

申请日：2024-11-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 山姆·瓦泽里 ,  鲍新宇 ,  伊莎·达泰

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 本公开的一个方面涉及半导体器件制造的方法。该方法包括：在半导体衬底上形成晶体管；在晶体管上方形成第一金属层和上覆的第二金属层；在上覆的第二金属层上方沉积散热层；以及将散热层退火至阈值温度以上的温度。在阈值温度以下实施散热层的沉积。在退火期间，第一金属层和上覆的第二金属层保持在阈值温度以下。本申请的实施例的一个方面还涉及集成电路结构。

公开(公告)号：CN119517901A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411512684.3

申请日：2024-10-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 山姆·瓦泽里 ,  鲍新宇 ,  伊莎·达泰

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/768 ,  H01L21/48

Abstract: 本公开的实施例涉及集成电路(IC)结构及半导体器件的制造方法。IC结构包括形成在衬底上的晶体管器件，其中晶体管器件具有源极/漏极(S/D)区域和栅极结构。在衬底上形成包括嵌入在金属间介电(IMD)层中的金属线和金属通孔的多层互连(MLI)结构。并且形成散热层，该散热层具有设置在MLI结构的至少部分上方的具有多个峰和谷的表面。接合层设置在散热层上方，并且覆盖多个峰和谷。

公开(公告)号：CN119521681A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411532086.2

申请日：2024-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 伊莎·达泰 ,  山姆·瓦泽里 ,  鲍新宇

IPC: H10B80/00 ,  H01L23/522 ,  H01L23/367 ,  H01L23/31

Abstract: 本公开实施例的一个方面涉及集成电路(IC)结构及其形成方法。IC结构可以包括以第一间距设置的第一多个热通孔和以第二间距设置的第三多个热通孔，第二间距大于第一间距。

公开(公告)号：CN119517874A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411542013.1

申请日：2024-10-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 伊莎·达泰 ,  山姆·瓦泽里 ,  鲍新宇

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L23/538 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L23/367

Abstract: IC结构包括：前侧互连结构，位于器件层的前侧上，前侧互连结构包括通过IMD层彼此隔离并且嵌入在IMD层中的第一金属部件和第二金属部件，第一金属部件电连接至晶体管器件，并且第二金属部件与晶体管器件电隔离；背侧互连结构，位于器件层的背侧上，背侧互连结构包括通过背侧IMD层彼此隔离并且嵌入在背侧IMD层中的第三金属部件和第四金属部件，第三金属部件电连接至晶体管器件，并且第四金属部件与晶体管器件电隔离。IC结构还包括位于背侧互连结构的背侧上的具有导热且电绝缘的材料的散热器层。本申请的实施例还涉及集成电路(IC)结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN119601548A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411647157.3

申请日：2024-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 山姆·瓦泽里 ,  伊莎·达泰 ,  鲍新宇

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/427 ,  H01L21/50

Abstract: 一些实施例涉及一种集成器件，包括：衬底，包含至少一种有源组件；互连结构，设置在衬底上；接合层，设置在互连结构上方；载体衬底，设置在互连结构上方；散热模块，设置在载体衬底上方；以及第一热控制层，设置在载体衬底和散热模块、接合层和互连结构、或者载体衬底和接合层之间，第一热控制层包括相变材料(PCM)。本申请的实施例还涉及一种形成集成电路的方法。

公开(公告)号：CN119517867A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411532094.7

申请日：2024-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政明 ,  石哲齐 ,  温伟源 ,  廖思雅 ,  伊莎·达泰 ,  山姆·瓦泽里 ,  陈柏羽 ,  吴政鸿 ,  张简维平 ,  鲍新宇

IPC: H01L23/38 ,  H10D89/60 ,  H01L21/71

Abstract: 热电冷却器(TEC)定位为将热量从半导体芯片上的热点移动出去并且朝着介电衬底移动。这种热管理方法当与掩埋轨和背侧电源输送结合使用时特别有效。TEC可以位于IC封装件的两个器件层之间的包含焊料连接的层中。可选地，TEC可以位于半导体衬底上方的金属互连结构中，诸如位于金属互连结构的顶部处的钝化堆叠件中。这些位置中的任一个处的TEC可以通过晶圆层级处理来形成。本申请的实施例还涉及半导体装置、集成电路器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN114121836A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111262110.1

申请日：2021-10-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张丰愿 ,  鲁立忠 ,  李志纯 ,  黄博祥 ,  鲍新宇 ,  山姆·瓦泽里

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065 ,  H01L21/50

Abstract: 封装结构包括：焊料部件；第一再分布层结构，位于焊料部件上；以及管芯，安装在第一再分布层结构上并且电耦接至第一再分布层结构。第一再分布层结构包括填充有导热介电材料的一个或多个介电层。本申请的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。