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公开(公告)号：CN116344543A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310079301.7
申请日：2023-02-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L23/482 , H01L21/8234 , H03B5/12 , H03F3/16
Abstract: 集成电路的单元布局设计。在一个实施例中，集成电路包括双栅极单元，其形成经由公共源极/漏极端子相互连接的两个晶体管。双栅极单元包括有源区、延伸跨越有源区的两个栅极线、设置在两个栅极线中的一个或两个上且与有源区重叠的至少一个第一栅极通孔、以及设置在两个栅极线中的一个或两个上且位于有源区之外的第二栅极通孔。本申请的实施例还公开了集成电路、用于连接电路的晶体管的单元及其形成方法。
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公开(公告)号：CN110660791A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910578253.X
申请日：2019-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种相移器，包含主动区、第一栅极组、第二栅极组和接触物组。主动区在第一方向上延伸且定位在第一层级。第一栅极组在第二方向上延伸，其与主动区重叠且定位在第二层级。接触物组在第二方向上延伸，其在主动区的上方并定位在第三层级，且设置在至少第二栅极组之间。
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公开(公告)号：CN103166573A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210343283.0
申请日：2012-09-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03B5/18
CPC classification number: H03B5/1228 , H03B5/1212 , H03B5/124 , H03B5/1852
Abstract: 一种压控振荡器电路，包括：第一晶体管、第二晶体管、第一谐振电路、第二谐振电路、第一电流路径和第二电流路径。第一晶体管的漏极连接至第二晶体管的栅极以及第一谐振电路的第一端。第一晶体管的源极连接至第一电流路径以及第二谐振电路的第一端。第二晶体管的漏极连接至第一晶体管的栅极以及第一谐振电路的第二端。第二晶体管的源极连接至第二电流路径和第二谐振电路的第二端。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107437559A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710333810.2
申请日：2017-05-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L29/7835 , H01L21/28035 , H01L21/28132 , H01L21/32133 , H01L29/0847 , H01L29/42376 , H01L29/4916 , H01L29/6656 , H01L29/66659 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/7851 , H01L29/78
Abstract: 本发明实施例涉及一种半导体结构及用于形成半导体结构的方法。有源半导体区域安置于衬底中。栅极形成于所述衬底上方。晶体管的源极区域及漏极区域形成于所述有源半导体区域中在所述栅极的对置侧上。所述漏极区域具有第一宽度，且所述源极区域具有不等于所述第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：CN107070421A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611024479.8
申请日：2016-11-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03F3/21
CPC classification number: H03F1/565 , H03F1/347 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F2200/294 , H03F2200/451 , H03F2200/534 , H03F3/21
Abstract: 本发明揭示了一种放大器，其包含输入节点、输出节点、晶体管及变压器。所述输入节点经配置以接收第一信号。所述输出节点经配置以输出经放大第一信号。所述晶体管包含第一端子、第二端子及第三端子。所述第一端子耦合到所述输入节点及第一供应电压源。所述第二端子耦合到第二供应电压源及所述输出节点。所述第三端子耦合到参考节点。所述变压器耦合到所述第一端子及所述第三端子。所述晶体管经配置以在亚阈值区域及近三极管区域中操作。
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公开(公告)号：CN107968630A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201710661775.7
申请日：2017-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03B5/12
CPC classification number: H03B5/1212 , H03B5/04 , H03B5/1215 , H03B5/1228 , H03B5/124 , H03B5/1243 , H03B5/1296
Abstract: 本发明实施例涉及一种具超低功耗的电压控制振荡器。具体而言，本发明的一些实施例揭露一种电压控制振荡器“VCO”电路。所述VCO包含：开关模块，其包括第一晶体管及第二晶体管；第一LC槽模块，所述第一LC槽模块可操作地连接在所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的漏极之间；及第二LC槽模块，所述第二LC槽模块可操作地连接在所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的栅极之间，所述第一晶体管的源极及所述第二晶体管的源极经可操作地连接。
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公开(公告)号：CN103166573B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210343283.0
申请日：2012-09-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03B5/18
CPC classification number: H03B5/1228 , H03B5/1212 , H03B5/124 , H03B5/1852
Abstract: 一种压控振荡器电路，包括：第一晶体管、第二晶体管、第一谐振电路、第二谐振电路、第一电流路径和第二电流路径。第一晶体管的漏极连接至第二晶体管的栅极以及第一谐振电路的第一端。第一晶体管的源极连接至第一电流路径以及第二谐振电路的第一端。第二晶体管的漏极连接至第一晶体管的栅极以及第一谐振电路的第二端。第二晶体管的源极连接至第二电流路径和第二谐振电路的第二端。
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