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公开(公告)号：CN102751260B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201110324367.5
申请日：2011-10-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01F37/00
CPC classification number: H01F27/2804 , H01F17/0013 , H01F2017/002 , H01F2017/004 , H01F2027/2809 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种器件，该器件包括衬底以及衬底上的立式电感器。立式电感器包括金属形成的多个部件，其中每个部件沿垂直于衬底的主表面的多个平面之一延伸。金属线使立式电感器的多个部件中相邻部件互连。本发明还提供了一种沿垂直平面延伸的紧凑立式电感器。
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公开(公告)号：CN102457246A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110081022.1
申请日：2011-03-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03H7/12
CPC classification number: H03H11/1291 , H03H2011/0494 , H03H2210/025 , H03H2210/04 , H03J2200/08
Abstract: 本发明提供一种校准滤波器的方法，包括：将输入信号提供到滤波器中以生成输出信号；测量输入信号和输出信号之间的相位差；确定相位差的超前/滞后状态；使用超前/滞后状态计算电容器代码(CAP_CODE)；以及使用CAP_CODE校准电容器。本发明还提供了一种用于有源RC滤波器的原位RC校准方法。
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公开(公告)号：CN102457246B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201110081022.1
申请日：2011-03-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03H7/12
CPC classification number: H03H11/1291 , H03H2011/0494 , H03H2210/025 , H03H2210/04 , H03J2200/08
Abstract: 本发明提供一种校准滤波器的方法，包括：将输入信号提供到滤波器中以生成输出信号；测量输入信号和输出信号之间的相位差；确定相位差的超前/滞后状态；使用超前/滞后状态计算电容器代码(CAP_CODE)；以及使用CAP_CODE校准电容器。本发明还提供了一种用于有源RC滤波器的原位RC校准方法。
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公开(公告)号：CN102543965A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110218310.7
申请日：2011-08-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/66
CPC classification number: H01L23/645 , H01F19/04 , H01L23/48 , H01L23/642 , H01L24/16 , H01L25/0655 , H01L2224/16225 , H01L2924/09701 , H01L2924/14211 , H01L2924/14215 , H01L2924/1422 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/15786 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19107
Abstract: 一种器件，包括：中介层和射频(RF)器件，射频(RF)器件接合到中介层的第一侧。中介层包括第一侧和第二侧，第二侧相对于第一侧。中介层中没有形成中介层通孔。第一无源器件形成在中介层的第一侧上，并且电连接到RF器件。第二无源器件形成在中介层的第二侧上。第一无源器件和第二无源器件配置为在第一无源器件和第二无源器件之间无线传输信号。本发明还提供了一种具有减小的RF损耗的射频封装。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116741742A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310544491.5
申请日：2023-05-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/48 , H01L23/528 , H01L23/64 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件包括衬底，该衬底包括沿着第一横向方向延伸的第一沟槽和沿着第二横向方向延伸的第二沟槽；第一金属层，填充第一沟槽和第二沟槽中的每个；第二金属层，填充第一沟槽和第二沟槽中的每个，并且第二金属层设置在第一金属层之上并且与第一金属层电隔离；第一通孔结构，与第一金属层电接触；以及第二通孔结构，与第二金属层电接触。当俯视时，第一通孔结构和第二通孔结构沿着第一横向方向介于第一沟槽和第二沟槽之间。第一通孔结构和第二通孔结构沿着第二横向方向相互紧邻设置。本发明的实施例还提供了制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN102543965B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201110218310.7
申请日：2011-08-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/66
CPC classification number: H01L23/645 , H01F19/04 , H01L23/48 , H01L23/642 , H01L24/16 , H01L25/0655 , H01L2224/16225 , H01L2924/09701 , H01L2924/14211 , H01L2924/14215 , H01L2924/1422 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/15786 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19107
Abstract: 一种器件，包括：中介层和射频(RF)器件，射频(RF)器件接合到中介层的第一侧。中介层包括第一侧和第二侧，第二侧相对于第一侧。中介层中没有形成中介层通孔。第一无源器件形成在中介层的第一侧上，并且电连接到RF器件。第二无源器件形成在中介层的第二侧上。第一无源器件和第二无源器件配置为在第一无源器件和第二无源器件之间无线传输信号。本发明还提供了一种具有减小的RF损耗的射频封装。
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公开(公告)号：CN102751260A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201110324367.5
申请日：2011-10-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01F37/00
CPC classification number: H01F27/2804 , H01F17/0013 , H01F2017/002 , H01F2017/004 , H01F2027/2809 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种器件，该器件包括衬底以及衬底上的立式电感器。立式电感器包括金属形成的多个部件，其中每个部件沿垂直于衬底的主表面的多个平面之一延伸。金属线使立式电感器的多个部件中相邻部件互连。本发明还提供了一种沿垂直平面延伸的紧凑立式电感器。
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公开(公告)号：CN221201172U
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202322353486.4
申请日：2023-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供半导体结构。根据本实用新型的示范半导体结构包括基板、沟渠、材料层、第一电容器及第二电容器。沟渠延伸于基板中，其中在上视图中，沟渠沿着第一方向纵向延伸。材料层设置于基板的上方并与沟渠的第一部分相交。第一电容器设置于基板的上方并与沟渠的第二部分相交，第一电容器包括多个第一导体板。第二电容器设置于基板的上方并与沟渠的第三部分相交，第二电容器包括多个第二导体板。其中多个第一导体板和多个第二导体板直接接触材料层。材料层配置隔离或耦合第一电容器与第二电容器以减少泄漏或提供更大的电容。
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公开(公告)号：CN220914227U
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202322362078.5
申请日：2023-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/64 , H10N97/00 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本揭露关于一种半导体装置及半导体结构。半导体装置包含基材，设置于基材内并通过基材的基材区域彼此分隔开的第一沟槽和第二沟槽，设置于第一沟槽与第二沟槽中且设置于基材区域上的设置为堆叠配置的第一导电层、第二导电层和第三导电层，设置于第一沟槽与第二沟槽上和于基材区域上的包含第一氮化部分和第二氮化部分的氮化层，及电性连接至第一导电层和第二导电层的第一接触结构和第二接触结构。第一氮化部分设置于第一导电层上及第二导电层和第三导电层的侧壁上。第二氮化部分设置于第二导电层上及第三导电层的侧壁上。
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