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公开(公告)号：CN117840916A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410174142.3
申请日：2018-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B53/017 , B24B37/10 , B24B37/005 , B24B53/12 , H01L21/304
Abstract: 本发明实施例涉及一种化学机械抛光设备及其操作方法。一种用于化学机械抛光的设备包含垫调节器。所述垫调节器包含具有第一表面的第一盘及具有第二表面的第二盘。所述第一表面含有具有第一平均粒径的多个第一磨粒且所述第二表面含有具有大于所述第一平均粒径的第二平均粒径的多个第二磨粒。
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公开(公告)号：CN114975165A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110917923.3
申请日：2021-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种晶片边缘修整装置，包含由腔室壳体定义的处理腔室。处理腔室内具有配置成固持晶片结构的晶片夹盘。此外，刀片配置在晶片夹盘的边缘附近，且配置成移除晶片结构的边缘部分并定义晶片结构的新侧壁。激光传感器装置配置成将受引导的激光束朝向晶片夹盘的顶部表面引导。激光传感器装置配置成测量晶片结构的分析区域的参数。控制电路系统耦合到激光传感器装置及刀片。控制电路系统配置成当参数与预定阈值偏离至少预定偏移值时启动损害预防工艺。
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公开(公告)号：CN112349617A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201911028834.2
申请日：2019-10-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开实施例涉及一种晶片修整和清洗设备，其包含配置成修整晶片的受损边缘部分的刀片，由此定义晶片的新侧壁。晶片修整和清洗设备进一步包含水喷嘴和空气喷嘴。水喷嘴配置成将去离子水施加到晶片的新侧壁以去除由刀片产生的污染物颗粒。空气喷嘴配置成将加压气体施加到晶片的第一顶部表面区域以去除由刀片产生的污染物颗粒。第一顶部表面区域上覆于晶片的新侧壁。
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公开(公告)号：CN107039394B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201611189878.X
申请日：2016-12-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/52 , H01L23/528
Abstract: 本揭露实施例提供一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括半导体衬底；以及互连件结构，其在所述半导体衬底上方。所述半导体结构也包括接垫，所述接垫在所述半导体衬底中且耦合到所述互连件结构。所述接垫包括两个导电层。
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公开(公告)号：CN110660902A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201811190214.4
申请日：2018-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及一种存储器装置、集成电路及制造存储器装置的方法。所述存储器装置包括磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元、侧壁间隙壁以及上部内连线。磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元设置在衬底上。MRAM单元包括设置在下部电极与上部电极之间的磁性隧道结(MTJ)。侧壁间隙壁沿MRAM单元的相对侧壁排列。上部内连线沿从侧壁间隙壁的第一外边缘连续延伸到侧壁间隙壁的第二外边缘的界面与上部电极的上表面直接接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109807749A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201810992219.2
申请日：2018-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B53/017 , B24B37/10
Abstract: 本发明实施例涉及一种化学机械抛光设备及其操作方法。一种用于化学机械抛光的设备包含垫调节器。所述垫调节器包含具有第一表面的第一盘及具有第二表面的第二盘。所述第一表面含有具有第一平均粒径的多个第一磨粒且所述第二表面含有具有大于所述第一平均粒径的第二平均粒径的多个第二磨粒。
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公开(公告)号：CN104051419B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201310463691.4
申请日：2013-10-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种堆叠式集成电路（IC）器件及方法。该堆叠式IC器件包括第一半导体元件。第一半导体元件包括第一衬底、第一衬底中的介电块以及形成在第一衬底上方的第一金属间介电层中的多个第一导电部件。该堆叠式IC器件还包括接合至第一半导体元件上的第二半导体元件。第二半导体元件包括第二衬底以及形成在第二衬底上方的第二金属间介电层中的多个第二导电部件。该堆叠式IC器件还包括连接在第一导电部件和第二导电部件之间的导电深互连插塞。导电深互连插塞通过介电块、第一金属间介电层和第二金属间介电层隔离。本发明还公开了用于堆叠式器件的互连结构。
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公开(公告)号：CN114952594A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210445941.0
申请日：2022-04-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的各种实施例是针对一种化学机械抛光(CMP)系统，所述化学机械抛光(CMP)系统包括第一CMP头及第二CMP头。第一CMP头被配置成保持工件，且包括跨及第一压力控制板设置的多个第一压力元件。第二CMP头被配置成保持工件。第二CMP头包括跨及第二压力控制板设置的多个第二压力元件。跨及第一压力控制板的所述多个第一压力元件的分布不同于跨及第二压力控制板的所述多个第二压力元件的分布。
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公开(公告)号：CN113809041A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202011433089.2
申请日：2020-12-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768 , H01L27/108 , H01L27/146
Abstract: 本公开提供一种金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器、一种具有金属‑绝缘体‑金属电容器的集成半导体装置以及其制造方法。所述金属‑绝缘体‑金属电容器包含第一金属层、第二金属层以及位于第二金属层与第一金属层之间的介电层。第一金属层、第二金属层以及介电层可形成梳状结构，其中所述梳状结构包含第一齿结构和至少一个第二齿结构。
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公开(公告)号：CN113078181A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010513463.3
申请日：2020-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种集成电路装置与其制造方法。使用填充电阻切换随机存取存储器单元之间的区域且改变高度以与较高电阻切换随机存取存储器单元及较矮电阻切换随机存取存储器单元二者的顶部对准的介电复合物，来解决在包括不同高度的电阻切换随机存取存储器单元的装置中形成提供一致结果的顶部电极通孔的问题。可在介电复合物之上形成刻蚀停止层，以在较高电阻切换随机存取存储器单元及较矮电阻切换随机存取存储器单元二者之上提供相等厚度的耐刻蚀介电质。介电复合物使刻蚀停止层横向延伸远离电阻切换随机存取存储器单元，以在即使通孔开口未对准时仍保持通孔开口与电阻切换随机存取存储器单元侧之间的分开。
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