-
公开(公告)号：CN114952594A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210445941.0
申请日：2022-04-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的各种实施例是针对一种化学机械抛光(CMP)系统，所述化学机械抛光(CMP)系统包括第一CMP头及第二CMP头。第一CMP头被配置成保持工件，且包括跨及第一压力控制板设置的多个第一压力元件。第二CMP头被配置成保持工件。第二CMP头包括跨及第二压力控制板设置的多个第二压力元件。跨及第一压力控制板的所述多个第一压力元件的分布不同于跨及第二压力控制板的所述多个第二压力元件的分布。
-
公开(公告)号：CN109524388A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201711085852.5
申请日：2017-11-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/64 , H01L23/522
Abstract: 本发明实施例涉及具有集成电感器的半导体结构。本发明实施例揭示一种半导体结构，其包含：衬底；所述衬底上方的第一钝化层；所述第一钝化层上方的第二钝化层；及所述第二钝化层中的磁芯；其中所述磁芯包含第一磁性材料层及在所述第一磁性材料层上方的第二磁性材料层，所述第一磁性材料层及所述第二磁性材料层被高电阻隔离层分离，且所述高电阻隔离层具有大于约1.3欧姆-厘米的电阻率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109801931B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201810749873.0
申请日：2018-07-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明一些实施例公开一种半导体结构和半导体结构制造方法。其中，半导体结构包含：半导体衬底，其具有前表面及背向所述前表面的后表面；填充材料，其从所述前表面延伸到所述半导体衬底中且不穿透所述半导体衬底，所述填充材料包含上部分及下部分，所述上部分与所述半导体衬底接触；及外延层，其加衬于所述填充材料的所述下部分与所述半导体衬底之间。本发明一些实施例还公开一种相关联制造方法。
-
公开(公告)号：CN109801931A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201810749873.0
申请日：2018-07-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明一些实施例公开一种半导体结构和半导体结构制造方法。其中，半导体结构包含：半导体衬底，其具有前表面及背向所述前表面的后表面；填充材料，其从所述前表面延伸到所述半导体衬底中且不穿透所述半导体衬底，所述填充材料包含上部分及下部分，所述上部分与所述半导体衬底接触；及外延层，其加衬于所述填充材料的所述下部分与所述半导体衬底之间。本发明一些实施例还公开一种相关联制造方法。
-
公开(公告)号：CN115101517A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210712903.7
申请日：2019-06-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/48 , H01L21/768 , H01L23/482 , H01L21/60
Abstract: 本发明实施例涉及用于堆叠集成电路的混合接合技术。本发明一些实施例提供一种三维3D集成电路IC以及制造三维3D集成电路IC的方法。在一些实施例中，第二IC裸片通过第一接合结构接合到第一IC裸片。所述第一接合结构接触所述第一IC裸片的第一互连结构和所述第二IC裸片的第二互连结构，且具有混合接合在一起的第一部分和第二部分。第三IC裸片通过第三接合结构接合到所述第二IC裸片。所述第三接合结构包括贯穿所述第二IC裸片的所述第二衬底放置的第二TSV(贯穿衬底通路)且包含根据本发明的各种实施例的各种接合结构。
-
公开(公告)号：CN109524388B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201711085852.5
申请日：2017-11-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/64 , H01L23/522
Abstract: 本发明实施例涉及具有集成电感器的半导体结构。本发明实施例揭示一种半导体结构，其包含：衬底；所述衬底上方的第一钝化层；所述第一钝化层上方的第二钝化层；及所述第二钝化层中的磁芯；其中所述磁芯包含第一磁性材料层及在所述第一磁性材料层上方的第二磁性材料层，所述第一磁性材料层及所述第二磁性材料层被高电阻隔离层分离，且所述高电阻隔离层具有大于约1.3欧姆‑厘米的电阻率。
-
公开(公告)号：CN110838481A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201910519438.3
申请日：2019-06-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/48 , H01L21/768 , H01L23/482 , H01L21/60
Abstract: 本发明实施例涉及用于堆叠集成电路的混合接合技术。本发明一些实施例提供一种三维3D集成电路IC以及制造三维3D集成电路IC的方法。在一些实施例中，第二IC裸片通过第一接合结构接合到第一IC裸片。所述第一接合结构接触所述第一IC裸片的第一互连结构和所述第二IC裸片的第二互连结构，且具有混合接合在一起的第一部分和第二部分。第三IC裸片通过第三接合结构接合到所述第二IC裸片。所述第三接合结构包括贯穿所述第二IC裸片的所述第二衬底放置的第二TSV(贯穿衬底通路)且包含根据本发明的各种实施例的各种接合结构。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.03 seconds)
