公开(公告)号：CN111129044B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN201910821775.8

申请日：2019-09-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曹淳凯 ,  卢玠甫 ,  周世培 ,  吴尉壮

IPC: H01L27/146

Abstract: 根据本申请的实施例，提供了一种在BSI图像传感器中制造自对准栅格的方法。该方法包括在衬底的背面上沉积第一介电层，该衬底具有形成在其中的多个光电二极管，形成沟槽栅格，以及用介电材料填充沟槽以形成沟槽隔离栅格。在此，沟槽穿过第一介电层并延伸到衬底中。该方法还包括将沟槽中的介电材料回蚀刻到低于第一介电层的上表面的水平，以形成覆盖沟槽隔离栅格的凹槽，并用金属材料填充凹槽以形成与沟槽隔离栅格对准的金属栅格。根据本申请的实施例，还提供了形成半导体器件的方法及相关的半导体器件。

公开(公告)号：CN112542475A

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201911337191.X

申请日：2019-12-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曹淳凯 ,  卢玠甫 ,  周世培

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开的各种实施例是针对一种像素传感器，包含在光检测器之下的虚设垂直晶体管结构。像素传感器包含衬底，具有与背侧表面相对的前侧表面。光检测器安置于衬底内。深沟槽隔离(DTI)结构从衬底的背侧表面延伸到背侧表面下方的第一点。深沟槽隔离结构环绕光检测器的外周。虚设垂直晶体管结构在深沟槽隔离结构的内侧壁之间横向间隔开。虚设垂直晶体管结构包含虚设垂直栅极电极，具有虚设导电体和虚设包埋导电结构。虚设包埋导电结构从衬底的前侧表面延伸到第一点垂直上方的第二点且虚设导电体沿衬底的前侧表面延伸。

公开(公告)号：CN101901823A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010194525.5

申请日：2010-05-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王明璁 ,  邱建智 ,  曹淳凯 ,  罗际兴

IPC: H01L27/24 ,  H01L23/528 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/145

Abstract: 一种集成电路结构与形成集成电路结构的方法，其中集成电路结构包括一介电层其具有一上部与一下部。该介电层为一层间介电层或一金属层间介电层之一。一相变随机存取存储器单元包括一相变条，其中该相变条为于该介电层的该下部上，且具有一上表面低于该介电层的上表面，与一下表面高于该介电层的下表面。一第一导电柱为电性连接至该相变条。该第一导电柱自该介电层的上表面向下延伸进入该介电层。一第二导电柱为于一周边区域中。该第二导电柱自该介电层的上表面向下延伸进入该介电层。该第一导电柱与该第二导电柱具有不同的高度。相变随机存取存储器单元的形成工艺以只需要三个或更少的额外的光罩与周边电路的形成相容。因此减少制造成本。

公开(公告)号：CN107623005B

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201710566906.3

申请日：2017-07-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曹淳凯 ,  施宏霖 ,  刘珀玮 ,  杨舜升 ,  黄文铎 ,  才永轩 ,  杨世匡

IPC: H01L27/11526

Abstract: 一种半导体器件包括非易失性存储器和逻辑电路。所述非易失性存储器包括堆叠结构，该堆叠结构包括自衬底顺序堆叠的第一绝缘层、浮置栅极、第二绝缘层、控制栅极和第三绝缘层；擦除栅极线；以及字线。所述逻辑电路包括场效应晶体管，该场效应晶体管包括栅电极。所述字线包括突起，并且所述突起自所述衬底的高度高于所述擦除栅极线自所述衬底的高度。所述字线和所述栅电极由多晶硅形成。本发明还提供了半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN105118917B

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201510471097.9

申请日：2011-04-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈明辉 ,  曹淳凯 ,  刘世昌 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/027 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

Abstract: 公开了一种相变化存储器单元的形成方法，包括：在具有第一介电层、第二介电层及第三介电层的第一结构上形成冠状结构；沉积第四介电层在第一结构上，第四介电层在其所覆盖的不同区域皆具有相同的厚度；移除第四介电层的一部分以形成具有第四介电层的剩余部分的第一间隙物；移除第四介电层的该部分时也移除第三介电层的一部分而形成具有第三介电层的剩余部分的第二间隙物，因而形成第二结构；在第二结构上沉积相变化层；在相变化层上沉积电极层；以及形成具有该相变化层的剩余部分的一相变化区，以及形成具有该电极层的剩余部分的一电极区。本申请的方法可以降低制造成本。

公开(公告)号：CN105321951B

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201410770312.0

申请日：2014-12-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 施宏霖 ,  才永轩 ,  曹淳凯 ,  刘珀玮 ,  黄文铎 ,  许祐凌

IPC: H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L27/11521 ,  H01L21/762 ,  H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66825

Abstract: 本发明涉及非易失性存储单元结构和相关方法。非易失性存储单元包括具有通过浮栅桥连接在一起的浮置栅极的彼此间隔开的两个晶体管。在操作过程中，非易失性存储器单元从第一晶体管编程和擦除并且从另一个第二晶体管读出。由于两个晶体管的浮置栅极连接在一起并且与其他的周围的层绝缘，存储的电荷可以受到第一晶体管的控制并且影响第二晶体管的阈值。

公开(公告)号：CN105118917A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201510471097.9

申请日：2011-04-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈明辉 ,  曹淳凯 ,  刘世昌 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/027 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/1253 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1666

Abstract: 公开了一种相变化存储器单元的形成方法，包括：在具有第一介电层、第二介电层及第三介电层的第一结构上形成冠状结构；沉积第四介电层在第一结构上，第四介电层在其所覆盖的不同区域皆具有相同的厚度；移除第四介电层的一部分以形成具有第四介电层的剩余部分的第一间隙物；移除第四介电层的该部分时也移除第三介电层的一部分而形成具有第三介电层的剩余部分的第二间隙物，因而形成第二结构；在第二结构上沉积相变化层；在相变化层上沉积电极层；以及形成具有该相变化层的剩余部分的一相变化区，以及形成具有该电极层的剩余部分的一电极区。本申请的方法可以降低制造成本。

公开(公告)号：CN113053928B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202010802671.5

申请日：2020-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖耕颍 ,  董怀仁 ,  宋至伟 ,  陈柏仁 ,  辜瑜倩 ,  林玉珠 ,  任啟中 ,  吴彦柔 ,  曹淳凯 ,  杨永隆

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种制造影像感测装置的方法，包括在半导体层的第一表面上形成介电层，介电层包括金属化层。方法包括形成开口，以暴露一部分介电层。方法包括形成内衬开口的缓冲氧化物层。方法包括根据可图案化层，形成缓冲氧化物层中的凹槽，其中凹槽从缓冲氧化物层第二表面部分延伸。方法包括移除可图案化层。方法包括将凹槽延伸穿透缓冲氧化物层和部分的介电层，以暴露部分的金属化层。方法包括用导电材料填充凹槽，以形成配置为提供电性连接至金属化层的衬垫结构。

公开(公告)号：CN116454100A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202210964190.3

申请日：2022-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 孔书砚 ,  刘家弘 ,  庄圣颉 ,  陈俊璋 ,  张玮玲 ,  刘铭棋 ,  曹淳凯

IPC: H01L27/146

Abstract: 本申请的实施例提供了图像传感器器件及其形成方法。方法包括：在衬底的背侧上形成掩模层，该衬底包括具有光电探测器的像素区域，晶体管位于衬底的前侧之上或之中；通过将掩蔽层暴露于图案化的光而在掩蔽层中形成掩蔽开口，掩模开口包括：掩蔽像素区域的掩蔽像素区域；以及从掩模像素区域向掩模交叉区域延伸的掩模突起区域；通过掩模开口蚀刻衬底，在衬底中形成衬底开口；在衬底开口中形成隔离结构。

公开(公告)号：CN113809041A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202011433089.2

申请日：2020-12-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨哲维 ,  曹淳凯 ,  陈升照 ,  李升展 ,  蔡正原

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L27/108 ,  H01L27/146

Abstract: 本公开提供一种金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器、一种具有金属‑绝缘体‑金属电容器的集成半导体装置以及其制造方法。所述金属‑绝缘体‑金属电容器包含第一金属层、第二金属层以及位于第二金属层与第一金属层之间的介电层。第一金属层、第二金属层以及介电层可形成梳状结构，其中所述梳状结构包含第一齿结构和至少一个第二齿结构。