公开(公告)号：CN116978952A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202310830256.4

申请日：2023-07-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林大钧 ,  陈仪宪 ,  罗文呈 ,  李春霆 ,  莫亦先 ,  张志豪

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本公开提供了半导体结构及其形成方法。根据本公开的半导体结构包括具有沟道区和源极/漏极区的有源区、沟道区上方的栅极结构、设置在沟道区上并沿着栅极结构的侧壁延伸的栅极间隔件层、位于源极/漏极区上方的外延源极/漏极部件、其设置在外延源极/漏极部件上并沿着栅极间隔件层的侧壁延伸的接触蚀刻停止层(CESL)、设置在外延漏极/源极部件上的源极/漏极接触件、以及设置在栅极结构、栅极间隔件层和CESL的至少部分上的介电帽层。源极/漏极接触件的侧壁与CESL的侧壁直接接触。

公开(公告)号：CN118645492A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410640616.9

申请日：2024-05-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈筱筑 ,  李春霆 ,  陈伟轩 ,  张哲嘉 ,  林侃儒 ,  陈仪宪

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本文公开了中段制程(MOL)互连件和用于形成MOL互连件的对应技术。示例性MOL互连结构包括设置在绝缘层中的无阻挡源极/漏极接触件、无阻挡源极/漏极通孔和无阻挡栅极通孔。无阻挡源极/漏极设置在外延源极/漏极上，并且无阻挡源极/漏极接触件包括钨、钼或它们的组合。无阻挡源极/漏极通孔设置在无阻挡源极/漏极接触件上，并且无阻挡源极/漏极通孔包括钼。无阻挡栅极通孔设置在与外延源极/漏极相邻设置的栅极堆叠件上，并且无阻挡栅极通孔包括钨、钼或它们的组合。无阻挡源极/漏极通孔和/或无阻挡栅极通孔的宽度可以小于约16nm。无阻挡源极/漏极通孔和/或无阻挡栅极通孔可以同时形成(例如，通过相同的自底向上沉积)。本申请的实施例还涉及互连结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN114975251A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210064591.3

申请日：2022-01-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏富祥 ,  陈仪宪

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 根据本发明的方法包括：接收工件，包括：第一栅极结构，在第一栅极结构上包括第一覆盖层；第一源极/漏极触点，邻接第一栅极结构；第二栅极结构，在第二栅极结构上包括第二覆盖层；第二源极/漏极触点；ESL，位于第一源极/漏极触点和第二源极/漏极触点上方；以及第一介电层，位于ESL上方。该方法还包括：形成对接触点开口，以暴露第一覆盖层和第一源极/漏极触点；在对接触点开口中形成对接触点；在形成对接触点之后，沉积第二介电层；形成穿过第二介电层、ESL层、和第一介电层的源极/漏极触点通孔开口，以暴露第二源极/漏极触点；以及在源极/漏极触点通孔开口中形成源极/漏极触点通孔。本申请的实施例提供了半导体结构及形成触点结构的方法。