公开(公告)号：CN103295904A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201210207901.9

申请日：2012-06-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 莫亦先 ,  陈筱筑 ,  江木吉

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 形成轻掺杂漏极(LDD)延伸的系统和方法。实施例包括在半导体鳍片上形成栅电极以及在栅电极上方形成介电层。然后蚀刻栅电极以暴露出半导体鳍片的一部分。鳍片的暴露部分包括LDD延伸。本发明提供具有LDD延伸的FinFET设计。

公开(公告)号：CN103219380B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201210545885.4

申请日：2012-12-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 莫亦先 ,  陈筱筑 ,  江木吉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66628 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明公开一种器件，所述器件包括半导体鳍状件，在半导体鳍状件的侧壁上的栅极介电层，在栅极介电层上的栅电极以及隔离区。隔离区包括在半导体鳍状件的一侧的第一部分，其中第一部分在部分栅电极下面并且与该部分栅电极对准。半导体鳍状件在隔离区的第一部分的第一顶面上方，隔离区进一步包括所述部分栅电极的相对侧的第二部分。隔离区的第二部分的第二顶面高于隔离区的第一顶面。本发明还公开了一种鳍式场效应晶体管及其形成方法。

公开(公告)号：CN103295904B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201210207901.9

申请日：2012-06-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 莫亦先 ,  陈筱筑 ,  江木吉

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 形成轻掺杂漏极(LDD)延伸的系统和方法。实施例包括在半导体鳍片上形成栅电极以及在栅电极上方形成介电层。然后蚀刻栅电极以暴露出半导体鳍片的一部分。鳍片的暴露部分包括LDD延伸。本发明提供具有LDD延伸的FinFET设计。

公开(公告)号：CN103219380A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201210545885.4

申请日：2012-12-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 莫亦先 ,  陈筱筑 ,  江木吉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66628 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明公开一种器件，所述器件包括半导体鳍状件，在半导体鳍状件的侧壁上的栅极介电层，在栅极介电层上的栅电极以及隔离区。隔离区包括在半导体鳍状件的一侧的第一部分，其中第一部分在部分栅电极下面并且与该部分栅电极对准。半导体鳍状件在隔离区的第一部分的第一顶面上方，隔离区进一步包括所述部分栅电极的相对侧的第二部分。隔离区的第二部分的第二顶面高于隔离区的第一顶面。本发明还公开了一种鳍式场效应晶体管及其形成方法。

公开(公告)号：CN118645492A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410640616.9

申请日：2024-05-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈筱筑 ,  李春霆 ,  陈伟轩 ,  张哲嘉 ,  林侃儒 ,  陈仪宪

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本文公开了中段制程(MOL)互连件和用于形成MOL互连件的对应技术。示例性MOL互连结构包括设置在绝缘层中的无阻挡源极/漏极接触件、无阻挡源极/漏极通孔和无阻挡栅极通孔。无阻挡源极/漏极设置在外延源极/漏极上，并且无阻挡源极/漏极接触件包括钨、钼或它们的组合。无阻挡源极/漏极通孔设置在无阻挡源极/漏极接触件上，并且无阻挡源极/漏极通孔包括钼。无阻挡栅极通孔设置在与外延源极/漏极相邻设置的栅极堆叠件上，并且无阻挡栅极通孔包括钨、钼或它们的组合。无阻挡源极/漏极通孔和/或无阻挡栅极通孔的宽度可以小于约16nm。无阻挡源极/漏极通孔和/或无阻挡栅极通孔可以同时形成(例如，通过相同的自底向上沉积)。本申请的实施例还涉及互连结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN103208517B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210546428.7

申请日：2012-12-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 莫亦先 ,  陈筱筑 ,  江木吉

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/845 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明公开了一种器件，该器件包括衬底、在所述衬底的顶面的隔离区，以及在所述隔离区上方的半导体鳍状件。半导体鳍状件具有小于大约的鳍状件高度，其中鳍状件高度从半导体鳍状件的顶面到隔离区的顶面测量得到。本发明还公开了控制FinFET结构中的鳍状件高度。

公开(公告)号：CN103208517A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201210546428.7

申请日：2012-12-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 莫亦先 ,  陈筱筑 ,  江木吉

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/845 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明公开了一种器件，该器件包括衬底、在所述衬底的顶面的隔离区，以及在所述隔离区上方的半导体鳍状件。半导体鳍状件具有小于大约的鳍状件高度，其中鳍状件高度从半导体鳍状件的顶面到隔离区的顶面测量得到。本发明还公开了控制FinFET结构中的鳍状件高度。