公开(公告)号：CN107170826A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201611245999.1

申请日：2016-12-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王士玮 ,  张家豪 ,  罗文呈

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/785 ,  H01L21/306 ,  H01L29/42356

Abstract: 一种半导体装置结构的形成方法被提供。此方法包括形成目标层于基板上，并且形成籽晶层于目标层上。此方法包括形成硬掩模层于籽晶层上，其中硬掩模层包括开口，以暴露出籽晶层的一部分。此方法包括形成导电层于开口中，其中导电层选择性地沉积于籽晶层上。此方法包括利用导电层作为掩模，以蚀刻目标层的一部分。

公开(公告)号：CN116978952A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202310830256.4

申请日：2023-07-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林大钧 ,  陈仪宪 ,  罗文呈 ,  李春霆 ,  莫亦先 ,  张志豪

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本公开提供了半导体结构及其形成方法。根据本公开的半导体结构包括具有沟道区和源极/漏极区的有源区、沟道区上方的栅极结构、设置在沟道区上并沿着栅极结构的侧壁延伸的栅极间隔件层、位于源极/漏极区上方的外延源极/漏极部件、其设置在外延源极/漏极部件上并沿着栅极间隔件层的侧壁延伸的接触蚀刻停止层(CESL)、设置在外延漏极/源极部件上的源极/漏极接触件、以及设置在栅极结构、栅极间隔件层和CESL的至少部分上的介电帽层。源极/漏极接触件的侧壁与CESL的侧壁直接接触。