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公开(公告)号：CN119517851A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411560964.1
申请日：2024-11-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供了半导体封装件及其制造方法。半导体封装件可以包括衬底、具有接合至衬底的半导体管芯的半导体封装组件、附接至衬底的盖子以及位于半导体封装组件和盖子之间的第一复合金属部件。第一复合金属部件可以包括具有第一材料的第一金属部件和具有第二材料的第二金属部件。第一材料可以是金属间化合物。第二材料可以不同于第一材料。
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公开(公告)号：CN119069444A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411100872.5
申请日：2024-08-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 提供了包括第一衬底和第二衬底的封装结构。第一衬底包括具有第一横向尺寸的第一凸块和具有第二横向尺寸的第二凸块。第一凸块分布在第一衬底的第一区域中，并且第二凸块分布在第一衬底的第二区域中，其中，第一横向尺寸大于第二横向尺寸，并且第一凸块的第一凸块高度小于第二凸块的第二凸块高度。第二衬底包括电连接至第一凸块和第二凸块的导电端子。本申请的实施例还涉及封装结构及其制造方法。
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公开(公告)号：CN117276097A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311112889.8
申请日：2023-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/48 , H01L23/488
Abstract: 一种形成集成电路器件的方法包括在第一封装组件的第一接触焊盘上方沉积焊膏。将第二封装组件的弹簧连接件与焊膏对准。回流焊膏，以将第二封装组件的弹簧连接件电耦接且物理耦接至第一封装组件的第一接触焊盘。本发明的实施例还提供了集成电路器件。
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公开(公告)号：CN119495571A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411111624.0
申请日：2024-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/373
Abstract: 方法包括：在封装组件上沉积第一金属层，其中，封装组件包括第一器件管芯；在封装组件上形成介电层；以及在第一金属层上镀金属热界面材料。介电层包括位于金属热界面材料的相对侧上的部分。散热器接合在金属热界面材料上。散热器包括物理结合至金属热界面材料的第二金属层。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN118412291A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410400247.6
申请日：2024-04-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/603 , H01L23/488
Abstract: 实施例提供了器件结构和形成器件结构的方法，该器件结构包括填充结构，以在填充结构的开口范围内捕获焊料材料。一个器件的金属柱可以穿透非导电膜并且接触另一器件的焊料区域。不需要单独的底部填充物。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN119517842A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411560967.5
申请日：2024-11-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 在实施例中，方法包括沿着第一衬底形成器件区域；在器件区域和第一衬底上方形成互连结构；在互连结构上方形成金属柱，形成金属柱包括：在互连结构上方形成基底层；在基底层上方形成中间层；和在中间层上方形成覆盖层；在覆盖层上方形成焊料区域；以及执行蚀刻工艺以使基底层和覆盖层的侧壁从中间层和焊料区域的侧壁凹进。本公开的实施例提供了半导体器件和形成半导体封装件的方法。
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公开(公告)号：CN113056097A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011117507.7
申请日：2020-10-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种器件可以包括第一封装件和第二封装件，其中第一封装件具有翘曲形状。附接至第一封装件的再分布结构的第一连接件包括嵌入在其中的间隔件。附接至再分布结构的第二连接件没有间隔件。第一连接件的间隔件在将第一封装件附接至第二封装件期间在第一封装件和第二封装件之间保持最小距离。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113056097B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202011117507.7
申请日：2020-10-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种器件可以包括第一封装件和第二封装件，其中第一封装件具有翘曲形状。附接至第一封装件的再分布结构的第一连接件包括嵌入在其中的间隔件。附接至再分布结构的第二连接件没有间隔件。第一连接件的间隔件在将第一封装件附接至第二封装件期间在第一封装件和第二封装件之间保持最小距离。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN118629999A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410611196.1
申请日：2024-05-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 实施例包括器件。器件包括：中介层；封装衬底；以及将封装衬底接合至中介层的导电连接件。导电连接件的每个具有凸侧壁。导电连接件的第一子集在顶视图中设置在封装衬底的中心中。导电连接件的第二子集在顶视图中设置在封装衬底的边缘/拐角中。导电连接件的第二子集的每个具有比导电连接件的第一子集的每个大的高度。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN118280852A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410183894.6
申请日：2024-02-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/48 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供一种电子装置，包括封装衬底以及设置于封装衬底上且通过导电凸块电性连接至封装衬底的结构。导电凸块的材料包括含铋(Bi)合金或含铟(In)合金。在一些实施例中，含铋(Bi)合金包括Sn‑Ag‑Cu‑Bi合金。在一些实施例中，包含在Sn‑Ag‑Cu‑Bi合金中的铋(Bi)的浓度范围为约1wt％至约10wt％。本发明还提供了用于形成Sn‑Ag‑Cu‑Bi合金的方法。
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