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公开(公告)号：CN111118584B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201910594986.2
申请日：2019-07-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种镀覆装置及镀覆方法。一种镀覆装置包括镀覆槽、衬底保持器、阳极电极以及流体搅拌构件。镀覆槽被配置成容纳镀覆溶液。衬底保持器被配置成将待镀覆的衬底握持在镀覆槽中。阳极电极安置在镀覆槽中。流体搅拌构件安置在阳极电极与待镀覆的衬底之间，且包括多个第一搅拌条带及多个第二搅拌条带。第一搅拌条带沿与待镀覆的衬底的镀覆表面平行的第一方向延伸。第二搅拌条带沿与所述多个第一搅拌条带相交且与所述镀覆表面平行的第二方向延伸，其中流体搅拌构件被配置成沿第一方向及第二方向往复运动。
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公开(公告)号：CN111118584A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201910594986.2
申请日：2019-07-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种镀覆装置包括镀覆槽、衬底保持器、阳极电极以及流体搅拌构件。镀覆槽被配置成容纳镀覆溶液。衬底保持器被配置成将待镀覆的衬底握持在镀覆槽中。阳极电极安置在镀覆槽中。流体搅拌构件安置在阳极电极与待镀覆的衬底之间，且包括多个第一搅拌条带及多个第二搅拌条带。第一搅拌条带沿与待镀覆的衬底的镀覆表面平行的第一方向延伸。第二搅拌条带沿与所述多个第一搅拌条带相交且与所述镀覆表面平行的第二方向延伸，其中流体搅拌构件被配置成沿第一方向及第二方向往复运动。
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公开(公告)号：CN110957305A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910922374.1
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供一种电子装置及其制造方法。所述电子装置包括芯片封装、天线图案及绝缘层。芯片封装包括半导体管芯及包围半导体管芯的绝缘包封体。天线图案电耦合到芯片封装，其中天线图案的材料包括具有熔融金属颗粒的导电粉末。绝缘层设置在芯片封装与天线图案之间，其中天线图案包括接触绝缘层的第一表面及与第一表面相对的第二表面且第二表面的表面粗糙度大于第一表面的表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN110911374A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201811423485.X
申请日：2018-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/492 , H01L23/498
Abstract: 提供一种封装结构及其形成方法。封装结构包括位于管芯上的介电层、重布线结构和导电端子。重布线结构包括位于介电层之中和之上的重布线层。重布线层包括通孔和导电板。通孔位于介电层中，并穿过介电层以连接到管芯。导电板位于通孔和介电层上，并通过通孔连接到管芯。导电端子通过重布线结构与管芯电连接。通孔是环形的。
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公开(公告)号：CN218996710U
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202223285032.X
申请日：2022-12-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/31
Abstract: 本实用新型提供一种半导体封装，包括背侧重布线结构、前侧重布线结构、包封体以及穿孔。背侧重布线结构包括第一介电层、第二介电层、第一金属化图案以及第二金属化图案。第二介电层位于所述第一介电层上。第一金属化图案，位于所述第一介电层与所述第二介电层之间，其中所述第二介电层延伸穿过所述第一金属化图案以形成介电槽。第二金属化图案，其中所述第二介电层位于所述第一金属化图案与所述第二金属化图案之间。包封体位于所述背侧重布线结构与所述前侧重布线结构之间。穿孔延伸穿过所述包封体，所述穿孔与所述第二金属化图案实体耦合，其中所述介电槽在俯视图中与所述穿孔重叠。
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