公开(公告)号：CN111834225B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202010287475.9

申请日：2020-04-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 万幸仁 ,  蔡俊雄 ,  沙哈吉·B·摩尔 ,  许哲志 ,  苏劲宇 ,  曾柏翰 ,  洪文瀚 ,  林佑明 ,  柯志欣

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 在一种制造包括场效应晶体管(FET)的半导体器件的方法中，在衬底中形成牺牲区域，并且在衬底中形成沟槽。牺牲区域的部分暴露于沟槽中。通过至少部分地蚀刻牺牲区域来形成空间，在沟槽和空间中形成隔离绝缘层，并且形成栅极结构和源极/漏极区域。在源极/漏极区域下方的空间中形成空气间隔件。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN111834225A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010287475.9

申请日：2020-04-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 万幸仁 ,  蔡俊雄 ,  沙哈吉·B·摩尔 ,  许哲志 ,  苏劲宇 ,  曾柏翰 ,  洪文瀚 ,  林佑明 ,  柯志欣

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 在一种制造包括场效应晶体管(FET)的半导体器件的方法中，在衬底中形成牺牲区域，并且在衬底中形成沟槽。牺牲区域的部分暴露于沟槽中。通过至少部分地蚀刻牺牲区域来形成空间，在沟槽和空间中形成隔离绝缘层，并且形成栅极结构和源极/漏极区域。在源极/漏极区域下方的空间中形成空气间隔件。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。