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公开(公告)号:CN102110660A
公开(公告)日:2011-06-29
申请号:CN201010192832.X
申请日:2010-05-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor: 袁从棣
CPC classification number: H01L23/16 , H01L23/3128 , H01L23/49833 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/01087 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体倒装芯片封装以及半导体倒装芯片封装的形成方法。在一实施例中,半导体倒装芯片封装包含第一基板,其具有第一表面与位于第一表面相反侧的第二表面;半导体芯片以焊料凸块安装于第一基板的第一表面上;导热固定物安装于第一基板的第一表面上并围绕芯片,以定义空洞区于两者之间;一个或多个模塑复合材料位于空洞区中;以及第二基板,以焊球安装于第一基板的第二表面上。本发明提供的倒装芯片封装具有较佳的热与机械性质,且此倒装芯片封装可应用于元件与系统等级并最佳化设计等级。
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公开(公告)号:CN102386155B
公开(公告)日:2014-09-17
申请号:CN201110038164.X
申请日:2011-02-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor: 袁从棣
IPC: H01L23/427 , H01L33/64 , H01L33/00
CPC classification number: H01L25/167 , H01L33/54 , H01L33/641 , H01L33/642 , H01L33/648 , H01L2924/0002 , H01L2933/0075 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供半导体装置及形成发光二极管元件的方法。上述半导体包含了一基板,其具有相反的第一侧边和第二侧边。一第一放热元件形成于此基板的第一侧边上,一第二放热元件形成于基板上与该第一放热元件共平面的第一侧边,但不接触第一放热元件。一散热器利用一热界面材料结合至此基板的第二侧边。此散热器包含一第一和第二蒸汽室。第一蒸汽室内嵌于散热器中且大体上相对于该第一放热元件。第二蒸汽室内嵌于散热器中且大体上相对于该第二放热元件。举例来说,第一放热元件可为一发光二极管,且第二放热元件可为一发光二极管的驱动电路。本发明改善了半导体装置的热性能。
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公开(公告)号:CN102386155A
公开(公告)日:2012-03-21
申请号:CN201110038164.X
申请日:2011-02-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor: 袁从棣
IPC: H01L23/427 , H01L33/64 , H01L33/00
CPC classification number: H01L25/167 , H01L33/54 , H01L33/641 , H01L33/642 , H01L33/648 , H01L2924/0002 , H01L2933/0075 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供半导体装置及形成发光二极管元件的方法。上述半导体包含了一基板,其具有相反的第一侧边和第二侧边。一第一放热元件形成于此基板的第一侧边上,一第二放热元件形成于基板上与该第一放热元件共平面的第一侧边,但不接触第一放热元件。一散热器利用一热界面材料结合至此基板的第二侧边。此散热器包含一第一和第二蒸汽室。第一蒸汽室内嵌于散热器中且大体上相对于该第一放热元件。第二蒸汽室内嵌于散热器中且大体上相对于该第二放热元件。举例来说,第一放热元件可为一发光二极管,且第二放热元件可为一发光二极管的驱动电路。本发明改善了半导体装置的热性能。
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公开(公告)号:CN100378971C
公开(公告)日:2008-04-02
申请号:CN200510077466.2
申请日:2005-06-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor: 袁从棣
CPC classification number: H01L23/16 , H01L23/36 , H01L23/49816 , H01L2224/73253 , H01L2924/01019 , H01L2924/15311 , H01L2924/16195 , H01L2924/3011
Abstract: 本发明提供一种覆晶球形矩阵封装组件及具散热功能的电子装置,所述覆晶球形矩阵封装组件,包括一基板、一晶片、多个覆晶球、一热扩散板、一散热座以及多个球形矩阵电极。该晶片是设置于该基板之上。该等覆晶球是连接于该晶片与该基板之间。该热扩散板是设置于该晶片之上,并且具有一第一表面以及一第二表面。该第一表面是相对于该第二表面,该第一表面是连接于该晶片,以及该第二表面具有至少一突出部。该散热座是连接于该热扩散板,并且具有至少一凹入部。该凹入部的形状是与该热扩散板的该突出部的形状互补,以及该突出部是位于该凹入部之中。该等球形矩阵电极是设置于该基板之下。本发明可提升热扩散板与散热座之间的热传导效率。
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公开(公告)号:CN1841714A
公开(公告)日:2006-10-04
申请号:CN200510125803.0
申请日:2005-11-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/36
CPC classification number: H01L23/433 , H01L24/31 , H01L2224/16225 , H01L2224/27013 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/83051 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/1579 , H01L2924/16152 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/13111 , H01L2924/0665 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明是有关于一种半导体元件封装结构,在一实施例中,封装元件包括一晶片,晶片具有主动表面及一位于相对侧的耦合表面,晶片具有一或多集成电路和凸块。元件包括热耦合于晶片耦合表面的热分散器以消散晶片的发热。一热介材料介于晶片耦合表面与热分散器之间以加速热的消散。另外,元件更包括一界限材料位于晶片耦合表面与热分散器之间并环绕热介材料以保持热介材料位于晶片耦合表面与热分散器之间。
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公开(公告)号:CN1783461A
公开(公告)日:2006-06-07
申请号:CN200510077466.2
申请日:2005-06-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor: 袁从棣
CPC classification number: H01L23/16 , H01L23/36 , H01L23/49816 , H01L2224/73253 , H01L2924/01019 , H01L2924/15311 , H01L2924/16195 , H01L2924/3011
Abstract: 本发明提供一种覆晶球形矩阵封装组件及具散热功能的电子装置,所述覆晶球形矩阵封装组件,包括一基板、一晶片、多个覆晶球、一热扩散板、一散热座以及多个球形矩阵电极。该晶片是设置于该基板之上。该等覆晶球是连接于该晶片与该基板之间。该热扩散板是设置于该晶片之上,并且具有一第一表面以及一第二表面。该第一表面是相对于该第二表面,该第一表面是连接于该晶片,以及该第二表面具有至少一突出部。该散热座是连接于该热扩散板,并且具有至少一凹入部。该凹入部的形状是与该热扩散板的该突出部的形状互补,以及该突出部是位于该凹入部之中。该等球形矩阵电极是设置于该基板之下。本发明可提升热扩散板与散热座之间的热传导效率。
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公开(公告)号:CN101162717B
公开(公告)日:2010-05-26
申请号:CN200710085523.0
申请日:2007-03-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2224/0554 , H01L2224/05573 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2225/06589 , H01L2225/06596 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 一种堆叠结构,包括:第一芯片,耦接于第一基板,该第一芯片包括穿透该第一芯片的第一导电结构;第二芯片,安装于该第一芯片上,该第二芯片经由该第一导电结构而耦接该第一基板;至少一个第一支撑结构,由形成于该第一基板上的第二基板所制成,该第一支撑结构至少邻近该第一芯片与该第二芯片其中之一,该第一支撑结构的顶面大体与其邻近的该第一芯片与第二芯片其中之一共平面;以及散热片,安装于该第二芯片上。本发明的堆叠结构具有高积集度与高速度的良好效果,改善了电路的操作速率。
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公开(公告)号:CN101162717A
公开(公告)日:2008-04-16
申请号:CN200710085523.0
申请日:2007-03-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2224/0554 , H01L2224/05573 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2225/06589 , H01L2225/06596 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 一种堆叠结构,包括:第一芯片,耦接于第一基板,该第一芯片包括穿透该第一芯片的第一导电结构;第二芯片,安装于该第一芯片上,该第二芯片经由该第一导电结构而耦接该第一基板;至少一个第一支撑结构,由形成于该第一基板上的第二基板所制成,该第一支撑结构至少邻近该第一芯片与该第二芯片其中之一,该第一支撑结构的顶面大体与其邻近的该第一芯片与第二芯片其中之一共平面;以及散热片,安装于该第二芯片上。本发明的堆叠结构具有高积集度与高速度的良好效果,改善了电路的操作速率。
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