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公开(公告)号:CN101162717B
公开(公告)日:2010-05-26
申请号:CN200710085523.0
申请日:2007-03-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2224/0554 , H01L2224/05573 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2225/06589 , H01L2225/06596 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 一种堆叠结构,包括:第一芯片,耦接于第一基板,该第一芯片包括穿透该第一芯片的第一导电结构;第二芯片,安装于该第一芯片上,该第二芯片经由该第一导电结构而耦接该第一基板;至少一个第一支撑结构,由形成于该第一基板上的第二基板所制成,该第一支撑结构至少邻近该第一芯片与该第二芯片其中之一,该第一支撑结构的顶面大体与其邻近的该第一芯片与第二芯片其中之一共平面;以及散热片,安装于该第二芯片上。本发明的堆叠结构具有高积集度与高速度的良好效果,改善了电路的操作速率。
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公开(公告)号:CN101162717A
公开(公告)日:2008-04-16
申请号:CN200710085523.0
申请日:2007-03-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2224/0554 , H01L2224/05573 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2225/06589 , H01L2225/06596 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 一种堆叠结构,包括:第一芯片,耦接于第一基板,该第一芯片包括穿透该第一芯片的第一导电结构;第二芯片,安装于该第一芯片上,该第二芯片经由该第一导电结构而耦接该第一基板;至少一个第一支撑结构,由形成于该第一基板上的第二基板所制成,该第一支撑结构至少邻近该第一芯片与该第二芯片其中之一,该第一支撑结构的顶面大体与其邻近的该第一芯片与第二芯片其中之一共平面;以及散热片,安装于该第二芯片上。本发明的堆叠结构具有高积集度与高速度的良好效果,改善了电路的操作速率。
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