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公开(公告)号：CN112563269A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011023396.3
申请日：2020-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置，包括位于半导体基板上鳍状结构。鳍状结构包括底部与顶部。底部与顶部包括不同材料。装置亦包括位于底部的侧壁上的衬垫层、位于衬垫层的侧表面上的介电层、界面层、与位于介电层上并接合鳍状结构的栅极结构。衬垫层的上表面延伸低于顶部的下表面。界面层的第一部分位于底部的侧壁表面上并与其直接接触，且界面层的第二部分位于顶部的上表面与侧壁表面上并与其直接接触。栅极结构包括高介电常数的介电层，与高介电常数的介电层上的金属栅极。高介电常数的介电层直接接触界面层的第一部分。
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