公开(公告)号：CN110648971B

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN201910112315.8

申请日：2019-02-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗裔 ,  陈燕铭 ,  李宗霖 ,  何柏慷

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/324 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明的实施例提供了半导体器件。半导体器件具有垂直向上突出的鳍结构。减小鳍结构的横向尺寸。在横向尺寸的减小之后，在鳍结构上形成半导体层。在半导体层的形成之后，对半导体器件实施退火工艺。在退火工艺的实施之后，在鳍结构上方形成介电层。本发明的实施例还提供了制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN115084020A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210358669.2

申请日：2022-04-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何柏慷 ,  黄才育 ,  张惠政 ,  杨育佳

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 本公开涉及晶体管隔离区域及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括：从衬底延伸的第一半导体鳍；从衬底延伸的第二半导体鳍；混合鳍，位于衬底之上，第二半导体鳍被设置在第一半导体鳍和混合鳍之间；第一隔离区域，位于第一半导体鳍和第二半导体鳍之间；以及第二隔离区域，位于第二半导体鳍和混合鳍之间，第二隔离区域的顶表面被设置得比第一隔离区域的顶表面更远离衬底。

公开(公告)号：CN110648971A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201910112315.8

申请日：2019-02-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗裔 ,  陈燕铭 ,  李宗霖 ,  何柏慷

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/324 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明的实施例提供了半导体器件。半导体器件具有垂直向上突出的鳍结构。减小鳍结构的横向尺寸。在横向尺寸的减小之后，在鳍结构上形成半导体层。在半导体层的形成之后，对半导体器件实施退火工艺。在退火工艺的实施之后，在鳍结构上方形成介电层。本发明的实施例还提供了制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN119317175A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202410406297.5

申请日：2024-04-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林育樟 ,  何柏慷 ,  陈亮吟 ,  黄才育 ,  徐志安

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/03

Abstract: 描述了一种半导体器件结构及其形成方法。该结构包括设置在衬底之上的第一半导体材料以及设置在第一半导体材料上的电介质层。电介质层包括掺杂剂。该结构还包括设置在电介质层上的第二半导体材料、与第二半导体材料接触的第一半导体层、以及与第一半导体层接触的第一电介质间隔件，其中第一电介质间隔件包括掺杂剂。

公开(公告)号：CN107134493A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201611087885.9

申请日：2016-12-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴政达 ,  王廷君 ,  林钰庭 ,  何柏慷 ,  萧柏铠

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 一种鳍式场效晶体管，包括：衬底、多个隔离结构、多个阻挡层以与栅极叠层结构。衬底具有多个半导体鳍片。隔离结构位在衬底上，以隔离半导体鳍片。另外，半导体鳍片突出于隔离结构。阻挡层位在隔离结构与半导体鳍片之间。阻挡层的材料与隔离结构的材料不同。栅极叠层结构横跨过部分半导体鳍片、部分所述阻挡层以及部分所述隔离结构。另外，也提供一种鳍式场效晶体管的制造方法。