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公开(公告)号：CN102074549B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201010151859.4
申请日：2010-04-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/532 , H01L23/485
CPC classification number: H01L23/53295 , H01L23/5329 , H01L24/02 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种具有双重镶嵌结构的集成电路组件，双重镶嵌结构包含具有一低介层窗部分和一高导线部分。低介层窗部分形成在一个聚酰亚胺层之内，高导线部分形成在由USG或聚酰亚胺所形成的内金属介电层上。保护层形成于内金属介电层上，以及一焊垫位于保护层之上以便能与高导线部分电性连接。在顶部介层窗阶或次顶部介层窗阶应用可挠性薄膜，能释放应力以减少或避免下层低介电常数内金属介电层碎裂的产生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102074549A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010151859.4
申请日：2010-04-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/532 , H01L23/485
CPC classification number: H01L23/53295 , H01L23/5329 , H01L24/02 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种具有双重镶嵌结构的集成电路组件，双重镶嵌结构包含具有一低介层窗部分和一高导线部分。低介层窗部分形成在一个聚酰亚胺层之内，高导线部分形成在由USG或聚酰亚胺所形成的内金属介电层上。保护层形成于内金属介电层上，以及一焊垫位于保护层之上以便能与高导线部分电性连接。在顶部介层窗阶或次顶部介层窗阶应用可挠性薄膜，能释放应力以减少或避免下层低介电常数内金属介电层碎裂的产生。
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公开(公告)号：CN101950738A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010108476.9
申请日：2010-02-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L2221/68372 , H01L2224/0557 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01019 , H01L2924/04941 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种集成电路结构，该集成电路结构包含：一半导体基材，一半导体穿孔(through-semiconductor via；TSV)开口，延伸进入此半导体基材：以及一半导体穿孔内衬(TSV liner)，位于此半导体穿孔开口(TSV opening)中。此半导体穿孔内衬包含一侧壁部分于此半导体穿孔开口的侧壁上及一底部部分于此半导体穿孔开口的底部上。此半导体穿孔内衬的底部部分具有一底部高度，且其较此半导体穿孔内衬的侧壁部分的中间厚度大。本发明的集成电路结构具有如下优点：当使用旋转涂布时，所形成的半导体穿孔内衬具有较佳的顺应性。底部及侧壁覆盖优于以化学气相沉积形成。此工艺所需时间少且成本低廉。此外，半导体穿孔内衬的介电常数是可调整的。
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公开(公告)号：CN102437143B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201110294605.2
申请日：2011-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/02203 , C08G77/50 , C09D183/14 , C23C16/30 , C23C18/122 , C23C18/1254 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02282 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种包括低介电常数材料和添加剂的介电材料。添加剂包括具有Si-X-Si桥的化合物，其中X为1和8之间的碳原子数。添加剂可包括末端Si-CH3基团。包括添加剂的介电材料可用作半导体器件的层间介电(ILD)层。可使用CVD或溶胶-凝胶工艺形成包括添加剂的介电材料。所述添加剂的一个示例为双(三乙氧基硅基)乙烷。
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公开(公告)号：CN101950738B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201010108476.9
申请日：2010-02-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L2221/68372 , H01L2224/0557 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01019 , H01L2924/04941 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种集成电路结构，该集成电路结构包含：一半导体基材，一半导体穿孔(through-semiconductor via；TSV)开口，延伸进入此半导体基材：以及一半导体穿孔内衬(TSV liner)，位于此半导体穿孔开口(TSV opening)中。此半导体穿孔内衬包含一侧壁部分于此半导体穿孔开口的侧壁上及一底部部分于此半导体穿孔开口的底部上。此半导体穿孔内衬的底部部分具有一底部高度，且其较此半导体穿孔内衬的侧壁部分的中间厚度大。本发明的集成电路结构具有如下优点：当使用旋转涂布时，所形成的半导体穿孔内衬具有较佳的顺应性。底部及侧壁覆盖优于以化学气相沉积形成。此工艺所需时间少且成本低廉。此外，半导体穿孔内衬的介电常数是可调整的。
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公开(公告)号：CN102437143A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110294605.2
申请日：2011-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/02203 , C08G77/50 , C09D183/14 , C23C16/30 , C23C18/122 , C23C18/1254 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02282 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种包括低介电常数材料和添加剂的介电材料。添加剂包括具有Si-X-Si桥的化合物，其中X为1和8之间的碳原子数。添加剂可包括末端Si-CH3基团。包括添加剂的介电材料可用作半导体器件的层间介电(ILD)层。可使用CVD或溶胶-凝胶工艺形成包括添加剂的介电材料。所述添加剂的一个示例为双(三乙氧基硅基)乙烷。
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