-
公开(公告)号：CN108217580A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711329337.7
申请日：2017-12-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81B7/0077 , B81B7/02 , B81C1/00238 , B81C1/00269 , B81C3/005 , B81C3/008 , B81C2203/019 , B81C2203/054 , B81C2203/0735 , B81C2203/075 , B81C3/001 , B81B7/0006
Abstract: 一种封装的形成方法包括：提供上面形成有多个第一半导体装置的第一衬底；提供上面形成有多个第二半导体装置的第二衬底；以及通过使所述第一衬底及所述第二衬底各自的虚拟垫接触来将所述第一衬底与所述第二衬底耦合，其中所述第一衬底的所述虚拟垫及所述第二衬底的所述虚拟垫中的至少一者包括多个峰与谷。
-
公开(公告)号：CN114709149A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210232600.5
申请日：2022-03-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例的一种结合工具包括气体供应管线，所述气体供应管线可直接在和一个或多个气体供应罐相关联的阀门与处理腔室之间延伸，使得气体供应管线在无任何中间阀门或其他类型的结构的情况下不间断，否则所述中间阀门或其他类型的结构可能会导致在处理腔室与和所述一个或多个气体供应罐相关联的阀门之间的气体供应管线中的压力累积。气体供应管线中的压力可维持在处理腔室中的压力或接近处理腔室中的压力，使得经由气体供应管线被提供到处理腔室的气体不会导致处理腔室中的压力不平衡，否则所述压力不平衡可能会导致将在处理腔室中结合的半导体衬底之间的提早接触或过早接触。
-
公开(公告)号：CN109928358A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201811434525.0
申请日：2018-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种用于形成半导体器件结构的方法。方法包括接收具有多个预定管芯区域的第一晶圆。方法还包括在第一晶圆中形成凹槽，且凹槽沿基本平行于所述预定管芯区域中一个预定管芯区域的边缘的方向延伸。方法还包括接收第二晶圆。另外，该方法包括在形成凹槽之后在升高的温度下接合第一晶圆和第二晶圆。本发明实施例涉及用于形成半导体器件结构的接合工艺。
-
公开(公告)号：CN106995204A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201610970705.5
申请日：2016-11-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81B7/02
CPC classification number: B81B3/0005 , B81B3/001 , B81B2203/04 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C1/00984 , B81C2201/0132 , B81C2203/037 , B81C2203/0785 , B81B7/02 , B81C2203/01 , B81C2203/0172 , B81C2203/0707
Abstract: 本发明实施例涉及具有粗糙金属抗静摩擦层以改善静摩擦特性的MEMS封装和相关联形成方法。在一些实施例中，所述MEMS封装包括接合到CMOS IC的MEMS IC。所述CMOS IC具有CMOS衬底及安置在所述CMOS衬底上方的互连结构。所述互连结构包括安置在多个介电层内的多个金属层。所述MEMS IC接合到所述互连结构的上表面并与所述CMOS IC合作而围封所述MEMS IC与所述CMOS IC之间的空腔。所述MEMS IC具有布置在所述空腔中的可移动块状物。所述MEMS封装进一步包括抗静摩擦层，其安置于所述互连结构的所述上表面之上、在所述可移动块状物之下。所述抗静摩擦层由金属制成并具有粗糙顶表面。
-
公开(公告)号：CN102683312B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210057624.8
申请日：2012-03-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , B81B7/00
CPC classification number: H01L21/768 , B81B2207/012 , B81C1/00269 , B81C2203/019 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/11826 , H01L2224/11827 , H01L2224/11848 , H01L2224/13017 , H01L2224/131 , H01L2224/13562 , H01L2224/13582 , H01L2224/13624 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/13666 , H01L2224/13669 , H01L2224/13684 , H01L2224/16145 , H01L2224/165 , H01L2224/81011 , H01L2224/81097 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/8121 , H01L2224/81801 , H01L2224/81948 , H01L2924/00013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01327 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/1461 , H01L2924/01014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种制造集成电路的方法，并且更具体地制造具有金属合金的半导体器件的方法。半导体器件的示例结构包括具有第一触点的第一硅衬底，该第一触点包括在该衬底和第一金属层之间的硅化物层；具有第二触点的第二硅衬底，该第二触点包括第二金属层；以及在第一触点的第一金属层和第二触点的第二金属层之间的金属合金。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108217580B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN201711329337.7
申请日：2017-12-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种封装的形成方法包括：提供上面形成有多个第一半导体装置的第一衬底；提供上面形成有多个第二半导体装置的第二衬底；以及通过使所述第一衬底及所述第二衬底各自的虚拟垫接触来将所述第一衬底与所述第二衬底耦合，其中所述第一衬底的所述虚拟垫及所述第二衬底的所述虚拟垫中的至少一者包括多个峰与谷。
-
公开(公告)号：CN113942973A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110314941.2
申请日：2021-03-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 可从共晶接合序列省略预清洁工艺。为了从微机电系统(MEMS)结构的器件晶片的一个或多个表面去除氧化物，相对于在进行预清洁工艺时酸基刻蚀工艺的持续时间，可增加共晶接合序列中的酸基刻蚀工艺的持续时间。酸基刻蚀工艺的持续时间增加使得酸基刻蚀工艺能够在不使用前述预清洁工艺的情况下从器件晶片的一个或多个表面去除氧化物。这降低共晶接合序列的复杂度和循环时间，降低微机电系统结构的悬置机械组件之间粘附的风险，和/或降低微机电系统结构在制造期间可能变得有缺陷或不可操作的可能性，这增加工艺产量。
-
公开(公告)号：CN110010518A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811448403.7
申请日：2018-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 在一实施例中，一种共晶接合件包含：圆形框架，包括第一侧面以及与第一侧面相对的第二侧面，其中圆形框架包括穿过其形成的孔口；插入件，安置在孔口内；第一晶片，安置在插入件上方；第二晶片，安置在第一晶片上方，其中第一晶片以及第二晶片均配置成用于在加热时共晶接合；两个夹具，沿圆形框架安置在第一侧面上，其中两个夹具配置成在相应的夹具位置处接触第二晶片；以及多个片件，配置成将插入件紧固在孔口内，多个片件包括固定片件以及柔性片件，多个片件包括沿圆形框架的第二侧面分别邻近于夹具位置安置的两个固定片件。
-
公开(公告)号：CN102683312A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210057624.8
申请日：2012-03-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , B81B7/00
CPC classification number: H01L21/768 , B81B2207/012 , B81C1/00269 , B81C2203/019 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/11826 , H01L2224/11827 , H01L2224/11848 , H01L2224/13017 , H01L2224/131 , H01L2224/13562 , H01L2224/13582 , H01L2224/13624 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/13666 , H01L2224/13669 , H01L2224/13684 , H01L2224/16145 , H01L2224/165 , H01L2224/81011 , H01L2224/81097 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/8121 , H01L2224/81801 , H01L2224/81948 , H01L2924/00013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01327 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/1461 , H01L2924/01014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种制造集成电路的方法，并且更具体地制造具有金属合金的半导体器件的方法。半导体器件的示例结构包括具有第一触点的第一硅衬底，该第一触点包括在该衬底和第一金属层之间的硅化物层；具有第二触点的第二硅衬底，该第二触点包括第二金属层；以及在第一触点的第一金属层和第二触点的第二金属层之间的金属合金。
-
公开(公告)号：CN109928358B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201811434525.0
申请日：2018-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种用于形成半导体器件结构的方法。方法包括接收具有多个预定管芯区域的第一晶圆。方法还包括在第一晶圆中形成凹槽，且凹槽沿基本平行于所述预定管芯区域中一个预定管芯区域的边缘的方向延伸。方法还包括接收第二晶圆。另外，该方法包括在形成凹槽之后在升高的温度下接合第一晶圆和第二晶圆。本发明实施例涉及用于形成半导体器件结构的接合工艺。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.031 seconds)
