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公开(公告)号：CN113013049B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110205689.1
申请日：2016-05-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体制程及其制程设备与控制装置。其中半导体制程包括：对第一晶圆进行第一制程步骤；在完成所述第一制程步骤后，依据所述第一晶圆的实际表面形貌信息获取第一不可校正误差信息；以及，依据所述第一不可校正误差信息来调整所述第一制程步骤的制程参数。本发明还提出适用此半导体制程的制程设备与控制装置。本发明有助于减少制程步骤后续产生的不可校正误差，实时反馈制程误差，实现半导体制程的在线实时监测，有效提高制程良率。
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公开(公告)号：CN114622186A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110521761.1
申请日：2021-05-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/458
Abstract: 一种排除环、化学气相沉积机台及将于其上放置排除环的方法，排除环用在处理腔室，例如化学气相沉积腔室中以处理半导体基材。排除环包括第一对准结构，在晶圆的处理期间，第一对准结构与晶圆将放置的平台上的第二对准结构相配合。第一队准结构包含导引面，导引面促进第二对准结构在第一对准结构内的接收和定位。另提供排除环的使用方法。
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公开(公告)号：CN113942973A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110314941.2
申请日：2021-03-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 可从共晶接合序列省略预清洁工艺。为了从微机电系统(MEMS)结构的器件晶片的一个或多个表面去除氧化物，相对于在进行预清洁工艺时酸基刻蚀工艺的持续时间，可增加共晶接合序列中的酸基刻蚀工艺的持续时间。酸基刻蚀工艺的持续时间增加使得酸基刻蚀工艺能够在不使用前述预清洁工艺的情况下从器件晶片的一个或多个表面去除氧化物。这降低共晶接合序列的复杂度和循环时间，降低微机电系统结构的悬置机械组件之间粘附的风险，和/或降低微机电系统结构在制造期间可能变得有缺陷或不可操作的可能性，这增加工艺产量。
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公开(公告)号：CN114709149A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210232600.5
申请日：2022-03-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例的一种结合工具包括气体供应管线，所述气体供应管线可直接在和一个或多个气体供应罐相关联的阀门与处理腔室之间延伸，使得气体供应管线在无任何中间阀门或其他类型的结构的情况下不间断，否则所述中间阀门或其他类型的结构可能会导致在处理腔室与和所述一个或多个气体供应罐相关联的阀门之间的气体供应管线中的压力累积。气体供应管线中的压力可维持在处理腔室中的压力或接近处理腔室中的压力，使得经由气体供应管线被提供到处理腔室的气体不会导致处理腔室中的压力不平衡，否则所述压力不平衡可能会导致将在处理腔室中结合的半导体衬底之间的提早接触或过早接触。
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公开(公告)号：CN107346749A
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201610289162.0
申请日：2016-05-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/67011
Abstract: 本发明提供一种半导体制程及其制程设备与控制装置。其中半导体制程包括：对第一晶圆进行第一制程步骤；在完成所述第一制程步骤后，依据所述第一晶圆的实际表面形貌信息获取第一不可校正误差信息；以及，依据所述第一不可校正误差信息来调整所述第一制程步骤的制程参数。本发明更提出适用此半导体制程的制程设备与控制装置。本发明有助于减少制程步骤后续产生的不可校正误差，实时反馈制程误差，实现半导体制程的在线实时监测，有效提高制程良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1841740A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200510135095.9
申请日：2005-12-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H01L29/93 , H01L27/0808 , H01L29/417
Abstract: 本案揭示一种用以改良CMP制程及改良与主动区域电气绝缘的空白区域变容器以及其形成方法，该变容器包含具有一空白区域的一半导体基板，该空白区域包含具有一第一极性的一第一井区；一浅沟渠绝缘(STI)结构，是位于该基板中，以定义含有第一、第二及第三平台区的相邻平台区；以及一第二井区，是具有第二极性，位于具有该第二极性的该第一平台下方，以形成一PN接面界面；其中具有该第一极性的该第二及第三平台区是形成于相邻该第一平台区的每一侧。
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公开(公告)号：CN101752342A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910134147.9
申请日：2009-04-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种集成电路结构，其包括：一半导体基底以及位于半导体基底上方的一内连线结构。一实心金属环，形成于内连线结构内，其中实心金属环内未形成有源电路。此集成电路结构还包括一硅通孔电极，其具有被实心金属环所围绕的一部分。硅通孔电极穿过内连线结构而延伸至半导体基底内。本发明通过在低介电常数介电层内形成围绕硅通孔电极的实心金属环，可排除在制造硅通孔电极期间可能发生低介电常数介电层劣化的问题，因而防止低介电常数介电层内金属线之间漏电流的增加。本发明不需要额外的光掩模及工艺步骤，因此不会额外增加制造成本。
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公开(公告)号：CN100481456C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200510135095.9
申请日：2005-12-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H01L29/93 , H01L27/0808 , H01L29/417
Abstract: 本案揭示一种用以改良CMP工艺及改良与有源区域电气绝缘的空白区域变容器以及其形成方法，该变容器包含具有一空白区域的一半导体基板，该空白区域包含具有一第一极性的一第一阱区；一浅沟渠绝缘(STI)结构，是位于该基板中，以定义含有第一、第二及第三平台区的相邻平台区；以及一第二阱区，是具有第二极性，位于具有该第二极性的该第一平台下方，以形成一PN结；其中具有该第一极性的该第二及第三平台区是形成于相邻该第一平台区的每一侧。
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公开(公告)号：CN115505895A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210062000.9
申请日：2022-01-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/04 , C23C16/458 , H01L21/205
Abstract: 一种用于在半导体晶片上执行沉积工艺的设备包括腔室、晶片固持件和屏蔽结构。腔室包含反应区域，晶片固持件设置在腔室中以固持半导体晶片，反应区域在半导体晶片之上。屏蔽结构设置在腔室中并将腔室的内侧壁与反应区域隔离。屏蔽结构包括基底构件、第一构件和第二构件。基底构件设置在腔室的内侧壁和晶片固持件之间。第一构件设置在基底构件上且不具窗口。第二构件设置在基底构件上且在第一构件内，第二构件包括具有第一窗口的侧壁以传送半导体晶片。
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公开(公告)号：CN114927446A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202111187621.1
申请日：2021-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/673
Abstract: 一种晶片盒转移组合件包含用于接收晶片盒的晶片盒端口、耦合到晶片盒端口的转移轴、轴杆接收器、耦合到转移轴且耦合到轴杆接收器的轴杆、穿过轴杆接收器且穿过轴杆的插销以及包含第一环和第二环的插销扣，其中插销包括第一端和与第一端相对的第二端。插销扣耦合到插销，第一环环绕插销的第一端，并且第二环环绕插销的第二端。
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