-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109928358A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201811434525.0
申请日：2018-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种用于形成半导体器件结构的方法。方法包括接收具有多个预定管芯区域的第一晶圆。方法还包括在第一晶圆中形成凹槽，且凹槽沿基本平行于所述预定管芯区域中一个预定管芯区域的边缘的方向延伸。方法还包括接收第二晶圆。另外，该方法包括在形成凹槽之后在升高的温度下接合第一晶圆和第二晶圆。本发明实施例涉及用于形成半导体器件结构的接合工艺。
-
公开(公告)号：CN110010518A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811448403.7
申请日：2018-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 在一实施例中，一种共晶接合件包含：圆形框架，包括第一侧面以及与第一侧面相对的第二侧面，其中圆形框架包括穿过其形成的孔口；插入件，安置在孔口内；第一晶片，安置在插入件上方；第二晶片，安置在第一晶片上方，其中第一晶片以及第二晶片均配置成用于在加热时共晶接合；两个夹具，沿圆形框架安置在第一侧面上，其中两个夹具配置成在相应的夹具位置处接触第二晶片；以及多个片件，配置成将插入件紧固在孔口内，多个片件包括固定片件以及柔性片件，多个片件包括沿圆形框架的第二侧面分别邻近于夹具位置安置的两个固定片件。
-
公开(公告)号：CN109928358B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201811434525.0
申请日：2018-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种用于形成半导体器件结构的方法。方法包括接收具有多个预定管芯区域的第一晶圆。方法还包括在第一晶圆中形成凹槽，且凹槽沿基本平行于所述预定管芯区域中一个预定管芯区域的边缘的方向延伸。方法还包括接收第二晶圆。另外，该方法包括在形成凹槽之后在升高的温度下接合第一晶圆和第二晶圆。本发明实施例涉及用于形成半导体器件结构的接合工艺。
-
公开(公告)号：CN107381496A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710242800.8
申请日：2017-04-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0005 , B81B3/001 , B81B2207/012 , B81C2201/112 , B81C2201/115 , B81B7/02 , B81B7/0032 , B81B7/0077 , B81C1/00912
Abstract: 本发明提供了一种用于高质量抗粘滞的具有粗糙度的微机电系统（MEMS）封装件。在支撑器件上方布置器件衬底。器件衬底包括具有粗糙的下表面的可移动元件并且可移动元件布置在腔体内。在支撑器件和器件衬底之间布置介电层。介电层横向围绕腔体。抗粘滞层衬里可移动元件的下表面。本发明也提供了一种用于制造微机电系统(MEMS)封装件的方法。
-
公开(公告)号：CN107043086A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201611261004.0
申请日：2016-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C3/00 , H01L21/762
CPC classification number: B81C1/00357 , B81C1/00269 , B81C2203/036 , B81C2203/037 , H01L21/02334 , H01L21/02337 , H01L21/2007 , H01L21/3105 , B81C3/001 , B81C2203/01 , H01L21/76251
Abstract: 提供一种用硅烷预处理将一对衬底熔融粘合在一起的方法。用硅烷预处理第一氧化物层的表面或第二氧化物层的表面。将第一氧化物层和第二氧化物层分别布置于第一半导体衬底和第二半导体衬底上。将水施用到第一氧化物层的表面或第二氧化物层的表面。使第一氧化物层的表面和第二氧化物层的表面直接接触。使第一氧化物层和第二氧化物层退火。还提供一种用于使用熔融粘合制造微机电系统(microelectromechanical systems，MEMS)封装的方法。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.028 seconds)
