公开(公告)号：CN110010518A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811448403.7

申请日：2018-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张智杭 ,  黄彦豪 ,  王乙翕 ,  刘人豪 ,  周银铜

IPC: H01L21/67

Abstract: 在一实施例中，一种共晶接合件包含：圆形框架，包括第一侧面以及与第一侧面相对的第二侧面，其中圆形框架包括穿过其形成的孔口；插入件，安置在孔口内；第一晶片，安置在插入件上方；第二晶片，安置在第一晶片上方，其中第一晶片以及第二晶片均配置成用于在加热时共晶接合；两个夹具，沿圆形框架安置在第一侧面上，其中两个夹具配置成在相应的夹具位置处接触第二晶片；以及多个片件，配置成将插入件紧固在孔口内，多个片件包括固定片件以及柔性片件，多个片件包括沿圆形框架的第二侧面分别邻近于夹具位置安置的两个固定片件。

公开(公告)号：CN114709149A

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202210232600.5

申请日：2022-03-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄彦豪 ,  陈君仪 ,  王乙翕 ,  周银铜 ,  纪元兴 ,  林生元

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/50 ,  B08B5/00

Abstract: 本发明实施例的一种结合工具包括气体供应管线，所述气体供应管线可直接在和一个或多个气体供应罐相关联的阀门与处理腔室之间延伸，使得气体供应管线在无任何中间阀门或其他类型的结构的情况下不间断，否则所述中间阀门或其他类型的结构可能会导致在处理腔室与和所述一个或多个气体供应罐相关联的阀门之间的气体供应管线中的压力累积。气体供应管线中的压力可维持在处理腔室中的压力或接近处理腔室中的压力，使得经由气体供应管线被提供到处理腔室的气体不会导致处理腔室中的压力不平衡，否则所述压力不平衡可能会导致将在处理腔室中结合的半导体衬底之间的提早接触或过早接触。